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[发明专利]叉指型变容二极管及其制备方法-CN202310954490.8在审
发明人：付兴中;侯钧杰;周国;宋洁晶;李保第;戴峰;胡泽先;刘亚亮;张力江;崔玉兴 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/93 文献下载
摘要：本发明提供一种叉指型变容二极管及其制备方法，其中，制备方法包括在P型欧姆接触层上的第一预设区域制备第一叉指P型欧姆接触电极；对设有第一叉指P型欧姆接触电极的P型欧姆接触层进行刻蚀，使得刻蚀后得到的刻蚀台面的侧壁与N型欧姆接触层之间有一夹角；在N型欧姆接触层上的第二预设区域和第三预设区域分别制备第二叉指N型欧姆接触电极和第三叉指N型欧姆接触电极；对设有第二叉指N型欧姆接触电极、第三叉指N型欧姆接触电极和第一叉指P型欧姆接触电极的N型欧姆接触层进行刻蚀，直至露出半绝缘衬底；然后半绝缘衬底上生长金属层，以形成叉指型变容二极管。本发明制备的变容二极管具有较小的电容和电阻。
叉指型变容二极管及其制备方法

[发明专利]一种基于金属檐结构的GaN基完全垂直肖特基变容管及其制备方法-CN201911051857.5有效
发明人：祁路伟;张德海;孟进 -专利权人：中国科学院国家空间科学中心
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L29/93 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于金属檐结构的GaN基完全垂直肖特基变容管及其制备方法，所述变容管的结构包括：硅衬底层，硅衬底层上由下往上依次为衬底保护层、键合层、欧姆金属层、n+‑GaN层、n‑‑GaN层、肖特基接触金属层；肖特基接触金属层上为阳极pad，在键合层上还设置与键合层接触的阴极pad。本发明有效提高反偏特性，体现在反向击穿电压的增加、反偏时漏电流的降低，从而有效提高倍频效率。
一种基于金属结构 gan 完全垂直肖特基变容管及其制备方法

[发明专利]一种GaN基平面肖特基变容管的制备方法-CN202010448430.5有效
发明人：祁路伟;张德海;孟进 -专利权人：中国科学院国家空间科学中心
申请日： 2020-05-25 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L29/93 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件的制作领域，具体是一种GaN基平面肖特基变容管的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：1)对准标记的制作；2)欧姆电极的制作；3)一次平坦化制作肖特基“金属檐”结构；4)肖特基金属蒸发；5)刻蚀绝缘台；6)二次平坦化；7)电镀形成空气桥、电极pad及互连金属，即得到GaN基平面肖特基变容管。本发明有效改善“金属檐”结构的刻蚀条件，提高侧墙的表面质量并降低侧墙表面陷阱电荷，从而提高器件的反偏特性；改善“空气桥”结构由工艺引入的误差，有效降低器件的寄生电容。
一种 gan 平面肖特基变容管制备方法

[发明专利]变容二极管、集成电路及形成变容二极管的方法-CN201911006358.4有效
发明人：苏亮宇;姚智文;段孝勤;雷明达 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-10-22 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L29/93 文献下载
摘要：本公开内容的各种实施例涉及一种变容二极管，所述变容二极管包括降低表面场(RESURF)区。在一些实施例中，变容二极管包含漂移区、栅极结构、一对的接触区以及降低表面场区。漂移区位于衬底内且具有第一掺杂类型。栅极结构上覆漂移区。接触区位于衬底内且上覆漂移区。此外，接触区具有第一掺杂类型。栅极结构横向夹在接触区之间。降低表面场区位于衬底中，在漂移区下方且具有第二掺杂类型。第二掺杂类型与第一掺杂类型相反。降低表面场区有助于耗尽栅极结构下方的漂移区，这降低变容二极管的最小电容且增大变容二极管的调谐范围。
变容二极管集成电路形成方法

[发明专利]一种光敏型SiC异构结多势垒变容二极管-CN202110203368.8有效
发明人：韦文生;戴森荣;余寿豪;彭栋梁;郭文;周迪;何明昌 -专利权人：温州大学
申请日： 2021-02-23 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L29/93 文献下载
摘要：本发明公开了一种光敏型SiC异构结多势垒变容二极管，包括依次设置的N+型3C‑SiC衬底、至少一组异构结、N+型3C‑SiC接触层；所述异构结由N型3C‑SiC调制层、本征4H‑SiC或者6H‑SiC势垒层、N型3C‑SiC调制层构成，所述异构结中，窄带隙的N型3C‑SiC为势阱，宽带隙的本征4H‑SiC或本征6H‑SiC为势垒；所述异构结的表面产生二氧化硅保护层，之外涂覆遮光层；所述N+型3C‑SiC衬底、N+型3C‑SiC接触层的外表面分别有欧姆电极；N+型3C‑SiC接触层的外表面有透光孔。本发明优点是漏电流小、电容小、截止频率高、动态负载调制范围宽，光照改变电容；适用于倍频、参数放大、光探测等。
一种光敏 sic 异构结多势垒变容二极管

[发明专利]纳米硅/非晶碳化硅异质结多势垒变容二极管及制备方法-CN202110203412.5有效
发明人：韦文生;吴晓华;莫越达;王渊;熊愉可;何明昌;周迪 -专利权人：温州大学
申请日： 2021-02-23 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L29/93 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米硅/非晶碳化硅异质结多势垒变容二极管及制备方法，包括N+型单晶硅衬底、N+型单晶硅衬底上沉积的N型纳米硅调制层、N型纳米硅调制层上沉积的非晶碳化硅势垒层、非晶碳化硅势垒层上沉积的N型纳米硅调制层；根据耐压和容量要求，确定由N型纳米硅调制层、非晶碳化硅势垒层、N型纳米硅调制层构成的异质结的生长周期；然后沉积N+型纳米硅接触层；在N+型单晶硅衬底、纳米硅接触层上表面分别蒸镀金铝电极，异质结外面氧化产生保护层，之外涂覆遮光层，制成异质结多势垒变容二极管，加工时无扩散污染。本发明的异质结多势垒变容二极管的电容小、变容比率高、截止频率高、动态负载调制范围宽，适用于倍频、电调谐、参数放大等。
纳米碳化硅异质结多势垒变容二极管制备方法

[发明专利]一种基于TSV的积累型MOS变容二极管及其制备方法-CN201910419518.1有效
发明人：王凤娟;文炳成;余宁梅 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2019-05-20 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L29/93 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于TSV的积累型MOS变容二极管，包括P型硅衬底，硅衬底上开设有通孔，通孔中从内向外依次设置有金属柱和介质层，金属柱引出有端子a，靠近通孔端部的介质层与硅衬底之间设置有P型参杂区，P型参杂区的端面上引出有端子b。本发明还公开了一种基于TSV的积累型MOS变容二极管的制备方法，本发明基于TSV的积累型MOS变容二极管相比平面积累型MOS变容二极管具有更高的品质因数、更低的寄生电阻、更低的相位噪声和更好的调谐线性度。
一种基于 tsv 积累 mos 变容二极管及其制备方法

[发明专利]具有含隔开的超晶格的超突变结区域的变容二极管及相关方法-CN202080058848.3在审
发明人： R·伯顿;M·海塔;R·J·米尔斯 -专利权人：阿托梅拉公司
申请日： 2020-07-15 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L29/93 文献下载
摘要：一种半导体器件可以包括基板和由基板承载的超突变结区域。超突变结区域可以包括具有第一导电类型的第一半导体层、在第一半导体层上的第一超晶格层、在第一超晶格层上且具有与第一导电类型不同的第二导电类型的第二半导体层，以及在第二半导体层上的第二超晶格层。该半导体器件还可以包括耦合到超突变结区域的第一接触件和耦合到基板的第二接触件以限定变容二极管。第一超晶格和第二超晶格可以各自包括堆叠的层组，每个层组包括限定基础半导体部分的堆叠的基础半导体单层，以及被约束在相邻基础半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层。
具有隔开晶格突变区域变容二极管相关方法

[发明专利]具有包括超晶格的超突变结区域的变容二极管及相关方法-CN202080058873.1在审
发明人： R·伯顿;M·海塔;R·J·米尔斯 -专利权人：阿托梅拉公司
申请日： 2020-07-15 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L29/93 文献下载
摘要：一种半导体器件可以包括基板和由基板承载的超突变结区域。超突变结区域可以包括具有第一导电类型的第一半导体层、在第一半导体层上的超晶格层，以及在超晶格层上并且具有与第一导电类型不同的第二导电类型的第二半导体层。超晶格可以包括堆叠的层组，每个层组包括限定基础半导体部分的堆叠的基础半导体单层，以及被约束在相邻基础半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层。该半导体器件还可以包括耦合到超突变结区域的第一接触件和耦合到基板的第二接触件以限定变容二极管。
具有包括晶格突变区域变容二极管相关方法

[发明专利]一种超突变变容二极管-CN202110747919.7有效
发明人：马文力;董文俊;张雪飞;李浩;徐婷 -专利权人：扬州国宇电子有限公司
申请日： 2021-07-02 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L29/93 文献下载
摘要：本发明公开了射频半导体器件技术领域内的一种超突变变容二极管，包括：N型重掺杂衬底；N型轻掺杂外延层，设置于所述N型重掺杂衬底上方；P型重掺杂层，设置于所述N型轻掺杂外延层内上部，所述P型重掺杂层向下延伸出若干个凸起一，若干个所述凸起一均呈柱状且相互间隔分布；N型掺杂缓冲层，设置于所述N型轻掺杂外延层和所述P型重掺杂层之间。该超突变变容二极管P型重掺杂层和N型掺杂缓冲层的剖面呈叉指状延伸入N型轻掺杂外延层内，使得在不增加反偏结电容的前提下，增大了器件的零偏结电容，从而显著增大器件的变容比。
一种突变变容二极管

[实用新型]变容二极管-CN202022952129.6有效
发明人：曾伟翔;陈信全;李庆民;杨宗凯 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L29/93 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种变容二极管，包括：基底，其包括N型区域以及与所述N型区域相邻的P型区域；位于所述基底上的环型多晶硅栅；其中，所述N型区域和P型区域均包括源极及漏极，所述环型多晶硅栅包围所述源极及所述漏极。本实用新型中的变容二极管具有包围源极及漏极的环型多晶硅栅，能够有效的提升单位面积电容。
变容二极管

[发明专利]变容二极管及其形成方法-CN201710132009.1有效
发明人：王楠;潘梓诚 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2017-03-07 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L29/93 文献下载
摘要：本发明提供了一种变容二极管及其形成方法，所述变容二极管包括形成于一半导体衬底上的第一导电层以及形成于所述第一导电层上第二导电层；所述第一导电层和所述第二导电层相隔离，所述第一导电层连接至一第一端子，所述第二导电层和所述半导体衬底可连接至同一端子。即，本发明提供的变容二极管中，通过所述第二导电层不仅可实现多电极的同时引出，以缩减所述变容二极管的尺寸；并且，所述第二导电层和第一导电层还可构成一附加电容，有利于增加所述变容二极管的最大电容值Cmax，进而可改善其调谐范围。
变容二极管及其形成方法

[发明专利]基于III-V的可变电容器-CN201980039547.3在审
发明人：陶耿名;李夏;杨斌;梁晴晴;F·卡罗博兰特 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L29/93 文献下载
摘要：可变电容器包括在衬底上的台面。台面具有多个III‑V半导体层，并且包括第一侧和与第一侧相对的第二侧。第一侧具有第一倾斜部分和第一水平部分。第二侧具有第二倾斜部分和第二水平部分。控制端子位于台面的第三侧上。第一端子位于台面的第一侧上。第一端子设置在第一水平部分和第一倾斜部分上。第二端子也位于衬底上。
基于 iii 可变电容器

[发明专利]用于毫米波应用的基于氮化镓的跨电容器-CN201980034678.2在审
发明人： G·陶;李夏;B·杨;P·奇丹巴拉姆 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2019-05-07 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L29/93 文献下载
摘要：本公开的某些方面提供了半导体可变电容器。半导体可变电容器通常包括：第一半导体区，该第一半导体区具有第一掺杂类型；第二半导体区，该第二半导体区具有不同于该第一掺杂类型的第二掺杂类型；第三半导体区，该第三半导体区布置在该第一半导体区和该第二半导体区之间：第一端子，该第一端子布置成毗邻于该第一半导体区；第二端子，该第二端子布置成毗邻于该第二半导体区；以及第三端子，该第三端子布置在该第三半导体区上方。该第一半导体区、该第二半导体区和/或该第三半导体区包括氮化镓。该第三半导体区包括具有不同材料的多个半导体层。该第一端子和该第三端子之间的电容被配置成通过改变施加到该第一端子或该第二端子中的至少一者的控制电压来调节。
用于毫米波应用基于氮化电容器

[发明专利]绝缘体上硅（SOI）技术中的横向装置-CN201980026586.X在审
发明人：梁晴晴;F·卡罗博兰特;F·A·马里诺;N·卡尼克;P·梅内戈里;A·哈德吉克里斯托斯 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01L29/93 文献下载
摘要：本公开的某些方面提供了一种半导体装置。一个示例半导体装置通常包括第一半导体区；第一非绝缘区，与第一半导体区的第一横向侧相邻设置；第二非绝缘区，与第一半导体区的第二横向侧相邻设置，第二横向侧与第一横向侧相对；第二半导体区，与第一半导体区的第三横向侧相邻设置，第二半导体区和第一半导体区具有不同掺杂类型或不同掺杂浓度中的至少一项；绝缘层，与第一半导体区的顶侧相邻；以及第三非绝缘区，该绝缘层布置在第三非绝缘区与第一半导体区之间。
绝缘体 soi 技术中的横向装置

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