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[发明专利]接触层与金属接触衬底连接的方法,及有关的接触层-CN94193439.X无效
发明人：弗朗兹·豪纳尔 -专利权人：西门子公司
申请日： 1994-09-20 - 公布日： 1999-12-15 - 主分类号： H01H11/06 文献下载
摘要：接触层通常是通过硬焊或焊接与其衬底连接。为此，结合面必须是合适的料层。根据本发明的方法，将接触层在进行无熔融的焊接前，至少在接触层表面上的焊面上，而且表面邻近区域中的金属氧化物至少部分地还原成金属。尤其是基于银－氧化铁（AgFe2O3／Fe3O4）的接触材料也可以使在连接面上的氧化铁还原，因为在连接后又可以重新形成氧化铁。或者还可以将作为还原剂的的碳加入到接触层的焊面上。
接触金属衬底连接方法有关

[发明专利]半导体器件的形成方法-CN201410042193.7有效
发明人：禹国宾 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2014-01-28 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种半导体器件的形成方法，包括：提供衬底，衬底表面形成有栅极结构；在栅极结构两侧衬底内形成掺杂区；在掺杂区表面形成第一金属层；在掺杂区表面形成第一金属接触层；在第一金属接触层表面形成第二金属层；对第二金属层进行第二退火处理，使第二金属层中的金属扩散至第一金属接触层内，将第一金属接触层转化为第二金属接触层，第二金属接触层与衬底间的肖特基势垒高度低于第一金属接触层与衬底间的肖特基势垒高度。本发明采用退火处理工艺使金属原子扩散至第一金属接触层内，形成的第二金属接触层的金属原子分布均匀，具有较强的降低第二金属接触层与衬底间肖特基势垒高度的能力，从而降低半导体器件的接触电阻，优化半导体器件的驱动性能
半导体器件形成方法

[发明专利]金属钴互连层和钨金属接触孔层的形成方法-CN202011479348.5在审
发明人：张文广;朱建军 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种金属钴互连层和钨金属接触孔层的形成方法，包括提供一含有金属钴互连线层结构的衬底，在衬底上形成介质层；对介质层进行光刻刻蚀工艺，形成金属钨通孔层；利用湿法刻蚀工艺向下刻蚀位于金属钴互连线层结构表面的部分金属钴，在金属钨通孔层中的通孔底部形成铆钉状形貌；用选择性钨沉积工艺填充金属钨通孔层中的通孔，形成底部铆钉状的钨通孔；依次沉积TiN粘附层和金属钨层，在通孔层形成通孔钨塞覆盖层；对金属钨通孔层进行钨化学机械平坦化，去除通孔钨塞覆盖层，以形成平坦化的所述通孔层。
金属互连接触形成方法

[发明专利]用于半导体器件的电接触结构和半导体器件-CN201580028224.6有效
发明人：科比尼安·佩尔茨尔迈尔;比约恩·米曼;卡尔·恩格尔;克里斯蒂安·艾兴格 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2015-05-22 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： H01L51/44 文献下载
摘要：提出一种用于半导体器件(100)的电接触结构(10)，所述电接触结构具有：透明导电接触层(1)，在所述透明导电接触层上施加第一金属接触层(2)；第二金属接触层(3)，所述第二金属接触层完全地遮盖第一金属接触层(2)；和分离层(4)，所述分离层设置在透明导电接触层(1)和第二金属接触层(3)之间，并且所述分离层将第二金属接触层(3)与透明导电接触层(1)分离。此外，提出一种具有这种电接触结构(10)的半导体器件(100)。
用于半导体器件接触结构

[发明专利]一种半导体器件及其的阴极结构-CN202110519068.0在审
发明人：洪志苍;饶睿恩 -专利权人：常州纵慧芯光半导体科技有限公司
申请日： 2021-05-12 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其的阴极结构，该阴极结构包括形成在衬底下表面的欧姆接触层，阻隔金属层和表面金属层；所述欧姆接触层包括n个第一半导体接触金属层和n个第二半导体接触金属层，所述第一半导体接触金属层与所述第二半导体接触金属层交替设置，其中，1n≤10，n为正整数；所述欧姆接触层用于与所述衬底形成欧姆接触，所述阻隔金属层用于阻隔所述表面金属层中的金属粒子扩散至所述欧姆接触层中，所述表面金属层用于连接外部电极，该种阴极结构使得阴极结构与衬底形成欧姆接触时可提升界面金属融合，以减小欧姆接触效应形成的过程中对器件自身的性能与可靠性的影响。
一种半导体器件及其阴极结构

[发明专利]一种半导体欧姆接触结构-CN201910746197.6有效
发明人：洪鹏达;高逸;洪鹏辉;洪宝璇;方小姣;陈奇芝 -专利权人：深圳市矽赫科技有限公司
申请日： 2019-08-13 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本发明属于半导体工艺技术领域，公开了一种半导体欧姆接触结构，包括n型GaAs的半导体基层，以及在基层的两侧面上氧化成型的氧化层，还包括金属层，所述金属层由内至外依次设有四层，分别包括第一金属层、第二金属层、第三金属层和第四金属层，其中所述第一金属层与第二金属层组合形成初始接触层，且初始接触层、第三金属层和第四金属层的厚度均由内至外依次增加；其中所述第三金属层至少包括一层结构层；本发明利用初始接触层、第三金属层和第四金属层的设置，实现提高欧姆接触结构氧化层附着力和减小金属接触电阻目的，其中初始接触层由第一金属层与第二金属层组合而成，形成部分扩散的效果，从而达到提高附着力的目的。
一种半导体欧姆接触结构

[发明专利]一种高压肖特基二极管-CN201510864419.6有效
发明人：卢晔 -专利权人：成都九十度工业产品设计有限公司
申请日： 2015-12-01 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压肖特基二极管，其特征在于：包括衬底、外延层、金属接触层和保护层；所述衬底上表面外延生长有外延层；多个沟槽，间隔形成于所述外延层中；所述金属接触层设于外延层的上表面；所述金属接触层两端各设有一个欧姆接触金属，肖特基接触金属设置于金属接触层的中心部位，欧姆接触金属与肖特基接触金属之间设置有源层；所述肖特基接触金属上表面设有保护层；所述欧姆接触为高压肖特基二极管的阴极；所述肖特基接触为高压肖特基二极管的阳极。
肖特基二极管金属接触层肖特基接触外延层欧姆接触金属保护层上表面金属阴极衬底上表面反向漏电流阳极反向偏压欧姆接触外延生长衬底减小源层

[发明专利]具有叠层栅极接触件的常关型MESFET器件-CN202180063691.8在审
发明人：法希德·拉伊西 -专利权人：三五科技有限责任公司
申请日： 2021-09-13 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：其中披露了：一种常关型MESFET器件，包括半导体层(1)、源极接触件(2)、漏极接触件(3)和叠层栅极接触件(4)，其中，叠层栅极接触件包括底部金属层(41)、顶部金属层(43)以及该底部金属层与该顶部金属层之间的绝缘层(42)，其中，源极接触件、漏极接触件和叠层栅极接触件与半导体层接触，其中，底部金属层和半导体层形成肖特基接触，从而在底部金属层下面的半导体层中形成耗尽区域(5)，其中，该耗尽区域向半导体层中的延伸被配置为通过向顶部金属层施加电压而被调制
具有栅极接触常关型 mesfet 器件

[发明专利]金属硅化物接触层的制造方法-CN200710094567.X有效
发明人：杜珊珊;韩秋华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-12-13 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：金属硅化物接触层的制造方法，包括：提供具有多晶硅栅极的半导体衬底；在所述多晶硅栅极侧壁形成侧壁层；在所述半导体衬底表面、多晶硅栅极和侧壁层表面形成金属层；对具有金属层的半导体衬底执行退火工艺，所述金属层与多晶硅栅极反应，生成金属硅化物；去除未发生反应的金属层材料；通过增大或减小侧壁层施加于所述多晶硅栅极的张应力，使形成于所述多晶硅栅极上的金属硅化物的方块电阻相应的减小或增大。本发明能够根据需要调整金属硅化物接触层的方块电阻，且对其它结构或膜层具有较小的影响。
金属硅接触制造方法

[发明专利]具有厚金属层的半导体发光器件-CN202010032796.4在审
发明人： S.施亚夫菲诺;A.H.尼克伊尔;J.勒 -专利权人：亮锐控股有限公司
申请日： 2012-12-04 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：根据本发明的实施例的器件包括半导体结构，该半导体结构包括：发光层，该发光层夹在n型区和p型区之间，以及第一金属接触和第二金属接触，其中，该第一金属接触与n型区直接接触，并且该第二金属接触与p型区直接接触第一金属层和第二金属层分别布置在第一金属接触和第二金属接触上。第一金属层和第二金属层充分厚以机械地支撑半导体结构。第一金属层和第二金属层之一的侧壁包括三维特征。
具有金属半导体发光器件

[发明专利]具有厚金属层的半导体发光器件-CN201280060299.9在审
发明人： S.施亚夫菲诺;A.H.尼克伊尔;J.勒 -专利权人：皇家飞利浦有限公司
申请日： 2012-12-04 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：根据本发明的实施例的器件包括半导体结构，该半导体结构包括：发光层，该发光层夹在n型区和p型区之间，以及第一金属接触和第二金属接触，其中，该第一金属接触与n型区直接接触，并且该第二金属接触与p型区直接接触第一金属层和第二金属层分别布置在第一金属接触和第二金属接触上。第一金属层和第二金属层充分厚以机械地支撑半导体结构。第一金属层和第二金属层之一的侧壁包括三维特征。
具有金属半导体发光器件

[发明专利]一种IGBT器件的制造方法及结构-CN202210475740.5在审
发明人：曹功勋;吴晓丽;刘建华 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明提供一种IGBT器件的制造方法及结构，方法包括：首先提供一基底，于基底表面形成绝缘层；然后刻蚀绝缘层和基底，形成多个接触孔槽；接着于接触孔槽侧面和底部以及绝缘层表面形成接触金属，各个接触孔槽中的接触金属相连；接着于接触金属表面形成正面金属层；最后刻蚀正面金属层，形成正面金属层图案，以金属层图案为掩膜，刻蚀去除部分接触金属。本发明的接触金属可以和正面金属层具有更大的接触面积，从而降低接触金属和正面金属层的接触电阻，进而降低IGBT的导通压降。本发明的IGBT结构表面具有更厚的金属，提高了金属热容，从而有利于器件工作时散热，降低IGBT工作结温，提升IGBT工作寿命。
一种 igbt 器件制造方法结构

[发明专利]氮化镓基器件的欧姆接触及其制备方法-CN200810212053.4无效
发明人：董志华;王金延;郝一龙;文正;王阳元 -专利权人：北京大学
申请日： 2008-09-16 - 公布日： 2009-02-18 - 主分类号： H01L29/41 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓基器件的欧姆接触及其制备方法，属于半导体技术领域。该氮化镓基器件的欧姆接触，由钛金属层、铝金属层、阻挡金属层和金金属层组成，与氮化镓基器件欧姆接触的是钛金属层，钛金属层上覆盖铝金属层，在钛金属层和铝金属层上依次覆盖阻挡金属层和金金属层，其中，钛金属层和铝金属层重叠排列与传统欧姆接触结构相比，本发明基于多层Ti/Al结构的欧姆接触能够兼顾低比欧姆接触率，且具有好的表面形貌和高可靠性，能够提高欧姆接触的综合性能。对于实现高性能、高可靠性的氮化镓基器件具有重要意义。
氮化器件欧姆接触及其制备方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN200610081351.5有效
发明人：朴信胜 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2006-05-18 - 公布日： 2006-12-06 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法，包括：提供半导体衬底，在该半导体衬底上已限定了多个晶体管；在晶体管之上形成布线图案，该布线图案接触至少一个晶体管；在布线图案之上沉积第一氧化物膜；在氧化物膜上限定第一接触孔，该第一接触孔暴露了布线图案；在氧化物膜之上形成具有第一阻挡金属层、第一金属层以及第二阻挡金属层的下金属层；该下金属层填充第一接触孔；在下金属层之上形成接触孔停止传导层；在接触孔停止传导层之沉积上第二氧化物膜；蚀刻第二氧化物膜的所选部分，以形成暴露接触孔停止传导层的孔；蚀刻暴露的接触孔停止层以限定第二接触孔；在第二接触孔内形成接触塞，该接触塞接触下金属层；以及形成包括第三阻挡金属层和第二金属层的上金属层，该上金属层接触接触塞。
制造半导体器件方法

[发明专利]接触孔结构、阵列基板及显示面板-CN201910509008.3有效
发明人：宋振莉 -专利权人：惠科股份有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司
申请日： 2019-06-11 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： G02F1/1343 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种接触孔结构、阵列基板及显示面板，接触孔结构包括第一金属层、第二金属层、绝缘层以及公共电极层，第二金属层设置于第一金属层上，绝缘层位于第二金属层背离第一金属层的一侧，绝缘层设置部分暴露第一金属层和第二金属层表面的接触孔，公共电极层位于绝缘层背离第二金属层的一侧并分别与接触孔暴露的第一金属层和第二金属层的表面电连接，其中，接触孔暴露的第一金属层和接触孔暴露的第二金属层处于同一水平面。本实施例提供的技术方案可以通过将接触孔暴露的第一金属层和第二金属层的表面设置为同一水平面，保证信号在第二金属层、公共电极层以及第一金属层之间传输的通畅性，以保证信号传输的导通性和提高面板良率。
接触结构阵列显示面板

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