专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种污水厂用污泥处理装置-CN202122845041.9有效
  • 朱洪斌;吴魏;文正 - 苏州科博思流体科技有限公司
  • 2021-11-19 - 2022-06-17 - C02F11/00
  • 本实用新型涉及一种污水厂用污泥处理装置,包括从上到下呈阶梯式设置的金属滤网处理池、碎石处理池、粗砂处理池、细砂处理池、活性炭处理池和沉淀池,相邻两个池之间通过斜坡面衔接,相邻两个池之间设有闸门,所述闸门位于相邻两个池中位于上方池的尾部,所述金属滤网处理池中设有金属滤网,所述碎石处理池中设有碎石层,所述粗砂处理池中设有粗砂层,所述细砂处理池中设有细砂层,所述活性炭处理池中设有活性炭层,该污水厂用污泥处理装置结构简单,通过对体积大小的污泥进行逐级处理,不仅处理效率高,而且成本低。
  • 一种污水污泥处理装置
  • [实用新型]一种水箱智能化人孔-CN202122874559.5有效
  • 朱洪斌;吴魏;文正 - 苏州科博思流体科技有限公司
  • 2021-11-19 - 2022-06-17 - E03B11/00
  • 本实用新型公开了一种水箱智能化人孔,包括水箱本体、感应器、电磁锁、报警器、摄像头、检测器和控制器,所述水箱本体上设有人孔,所述检测器嵌设在所述人孔的侧壁上,所述人孔处设有封盖,所述电磁锁安装在所述封盖上,所述感应器嵌设在所述封盖中,所述报警器安装在所述水箱本体的外壁上,所述控制器安装在所述水箱本体的顶部,所述摄像头安装在所述制器的外壁上并朝向所述人孔,所述感应器、电磁锁、报警器、检测器和摄像头均与所述控制器通信连接,该水箱智能化人孔使用灵活方便、实用性好,智能化程度高,能够提高安全性。
  • 一种水箱智能化
  • [实用新型]一种自动清洗及排水水箱-CN202122875226.4有效
  • 朱洪斌;吴魏;文正 - 苏州科博思流体科技有限公司
  • 2021-11-19 - 2022-04-19 - B08B9/093
  • 本实用新型公开了一种自动清洗及排水水箱,包括水箱本体,三维旋转清洗喷头,加药箱和透气孔,所述三维旋转清洗喷头安装在所述水箱本体中并与外部水管连接,所述加药箱呈独立设置并放置在所述水箱本体的周围,所述加药箱与所述三维旋转清洗喷头之间通过管道连通,所述透气孔位于所述水箱本体的顶部,所述透气孔中安装有活性炭滤芯,所述加药箱中放置有水箱清洗液,所述水箱本体的底部呈下凹的圆弧状,所述水箱本体的底部中间设有排水口,该自动清洗及排水水箱能够使清洗自动化,清洗效率高,清洗无死角,方便排水,消除异味,成本低。
  • 一种自动清洗排水水箱
  • [发明专利]一种半导体设备加热装置-CN202111305888.6在审
  • 王宝财;杨金;王学仕;文正;余洋 - 中国电子科技集团公司第四十八研究所
  • 2021-11-05 - 2022-02-11 - H05B3/02
  • 本发明公开了一种半导体设备加热装置,包括环形的主加热器,所述主加热器上端的内侧设有上加热器,所述主加热器下方设有环形的下加热器,所述下加热器的高度小于所述主加热器的高度,所述主加热器上设有沿竖向布置的第一连接电极,所述上加热器上设有沿竖向布置的第二连接电极,所述下加热器上设有沿竖向布置的第三连接电极,所述第一连接电极、第二连接电极和第三连接电极分别与加热电源相连。本发明具有结构简单、可靠,加热温度高,有利于保证反应管圆周面和端面温度基本一致等优点。
  • 一种半导体设备加热装置
  • [发明专利]一种极性半导体发光二极管-CN201710977998.4有效
  • 文正 - 北京天元广建科技研发有限责任公司
  • 2017-10-17 - 2021-08-10 - H01L33/36
  • 本发明公开了一种极性半导体发光二极管,属于半导体器件技术领域,在不需要采用非极性AlInGaN半导体衬底材料的基础上,解决极性半导体发光二极管的发光效率退化问题。所述极性半导体发光二极管包括依次布置的重掺杂的N型接触层、重掺杂的P型有源区和肖特基金属层,所述重掺杂的P型有源区和所述肖特基金属层之间为肖特基接触。本发明提供的极性半导体发光二极管适用于强光照明和强光显示的设备,对节能和有效利用资源有重大意义。
  • 一种极性半导体发光二极管

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