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[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法-CN201911394517.2在审
发明人：金宰中;李灿珩;张镇圭;金洛焕;李东洙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：栅电极可以包括介电层、第一逸出功调整图案和第二逸出功调整图案。介电层可以分别围绕半导体图案、第一逸出功调整图案可以分别围绕介电层，第二逸出功调整图案可以分别围绕第一逸出功调整图案。第一逸出功调整图案可以由含铝的材料形成，第一逸出功调整图案中的每个相应的第一逸出功调整图案接触第二逸出功调整图案中的围绕第一逸出功调整图案中的所述相应的第一逸出功调整图案的对应的一个第二逸出功调整图案。
半导体器件制造方法

[发明专利]一种用于气体火花开关的电极结构及设计方法-CN201810497016.6有效
发明人：丛培天;黄涛;翟戎骁;罗维熙 -专利权人：西北核技术研究所
申请日： 2018-05-22 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： H01T1/22 文献下载
摘要：该电极结构包括相间排列的N个低逸出功电极材料组块以及N个高逸出功电极材料组块；N的数量依据低逸出功电极材料组块能够产生的放电通道数量确定；N≥1；该电极的设计方法包括以下步骤：1)确定低逸出功电极材料组块以及高逸出功电极材料组块的材料；2)确定低逸出功电极材料组块以及高逸出功电极材料组块的数量；3)组装。
电极材料组块电极结构气体火花开关逸出功电子发射效率放电通道火花放电气体间隙数量确定相间排列多通道电极放电组装调控

[发明专利]半导体存储器装置及其制造方法-CN201811192019.5有效
发明人：全南镐;李进成;李炫静;禹东秀;许栋圭;洪载昊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-10-12 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：栅极线中的每一者包括：导电层；衬层，设置在导电层与衬底之间且将导电层与衬底分隔开；以及第一逸出功调整层，设置在导电层及衬层上。第一逸出功调整层包含第一逸出功调整材料。第一逸出功调整层的逸出功小于导电层及衬层的逸出功。本发明的半导体存储器装置具有增强的电特性。
半导体存储器装置及其制造方法

[发明专利]具有多阈值电压的半导体器件-CN201810833546.3在审
发明人：宋在烈;金完敦;裴洙瀯;李东洙;李钟汉;丁炯硕;玄尚镇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-07-26 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：每个单独的栅极结构包括顺序堆叠的高介电层、第一逸出功金属层、具有比第一逸出功金属层低的逸出功的第二逸出功金属层和栅极金属层。栅极结构的第一逸出功金属层具有不同的厚度，从而栅极结构包括最大栅极结构，其中最大栅极结构的第一逸出功金属层具有第一逸出功金属层中的最大厚度。
栅极结构逸出功金属层半导体器件半导体基底高介电层阈值电压覆盖层源区源极/漏极区栅极金属层顺序堆叠杂质元素

[发明专利]发射针结构、热场发射电子源及电子显微镜-CN202110233582.8在审
发明人：郝占海;蔡素枝;陆梁 -专利权人：大束科技（北京）有限责任公司
申请日： 2021-03-03 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01J37/063 文献下载
摘要：本发明提供了一种发射针结构、热场发射电子源及电子显微镜，涉及电子显微镜技术领域，解决了氧化锆等低逸出功材料团易从发射针上脱落，影响电子源寿命的技术问题。该发射针结构位于电子源中发射电子，其包括针本体和低逸出功材料团，针本体的周壁上设置有容纳部，低逸出功材料团在烧结过程中形成有嵌入容纳部内的结合部位，且结合部位与容纳部的配合结构将低逸出功材料团夹固于针本体上本发明的发射针结构能够将低逸出功材料团更为牢固的固定在针本体上，既能够增加储备氧化锆的数量，也能够增强低逸出功材料团与针本体结合的强度，防止低逸出功材料团脱落，延长了热场发射电子源的使用寿命。
发射结构电子电子显微镜

[实用新型]发射针结构、热场发射电子源及电子显微镜-CN202120464207.X有效
发明人：郝占海;蔡素枝;陆梁 -专利权人：大束科技（北京）有限责任公司
申请日： 2021-03-03 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01J37/063 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种发射针结构、热场发射电子源及电子显微镜，涉及电子显微镜技术领域，解决了氧化锆等低逸出功材料团易从发射针上脱落，影响电子源寿命的技术问题。该发射针结构位于电子源中发射电子，其包括针本体和低逸出功材料团，针本体的周壁上设置有容纳部，低逸出功材料团在烧结过程中形成有嵌入容纳部内的结合部位，且结合部位与容纳部的配合结构将低逸出功材料团夹固于针本体上本实用新型的发射针结构能够将低逸出功材料团更为牢固的固定在针本体上，既能够增加储备氧化锆的数量，也能够增强低逸出功材料团与针本体结合的强度，防止低逸出功材料团脱落，延长了热场发射电子源的使用寿命。
发射结构电子电子显微镜

[发明专利]具有改进的发光效率和辐射率的长效聚合物发光装置-CN00810523.5无效
发明人： M·B·奥雷甘;张驰 -专利权人：优尼爱克斯公司
申请日： 2000-07-18 - 公布日： 2002-10-09 - 主分类号： H01L51/20 文献下载
摘要：通过在装置中使用包括低逸出功层和高逸出功高反射率层的多层阴极以及高逸出功高反射率阳极材料可以提高由有机发光材料制造的发光二极管(LEDs)的发光效率和辐射率。
具有改进发光效率辐射长效聚合物装置

[发明专利]半导体装置-CN201811046123.3有效
发明人：徐圣仁;罗勋奏;宋珉宇;李炳训;李灿珩;李厚容;玄尚镇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-09-07 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：所述半导体装置包括：衬底；第一有源图案，设置在所述衬底上且与所述衬底间隔开；栅极绝缘膜，环绕所述第一有源图案；第一逸出功调整膜，环绕所述栅极绝缘膜且包含碳；以及第一阻挡膜，环绕所述第一逸出功调整膜，其中所述第一逸出功调整膜的碳浓度随着所述第一逸出功调整膜远离所述第一阻挡膜而增大
半导体装置

[发明专利]光电器件及其制造方法-CN201180035247.1有效
发明人：多萝特·克丽丝婷·赫尔墨斯;邹安娜·莎拉·威尔逊 -专利权人：荷兰应用自然科学研究组织TNO
申请日： 2011-06-17 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明涉及一种光电器件，其具有堆叠的层，该堆叠的层包括以下：具有第一逸出功的材料的第一电极层(20)，第一电极层沉积在衬底(10)上或者形成衬底(20)；在第一电极层(20)上的有机光电层(30)；印刷在光电层(30)上的图案化导电层(40)；在提供有图案化导电层(40)的光电层(30)上的、具有第二逸出功的材料的透明的第二电极层(50)，第二逸出功的值低于第一逸出功。
光电器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201910137418.X在审
发明人：金柱然;金辰昱 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-02-25 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底；层间介电层，位于基底上，并具有第一开口和第二开口；第一栅极图案，位于第一开口中，并包括堆叠的第一逸出功图案、第一导电阻挡图案、第一阻挡图案和导电图案；第二栅极图案第二栅极图案包括第二逸出功图案和第二导电阻挡图案，第二逸出功图案包括与第一逸出功图案的材料相同的材料，第二导电阻挡图案位于第二逸出功图案上并填充第二开口。
阻挡图案逸出功开口导电图案半导体装置栅极图案导电图案基底层间介电层堆叠填充

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201580084681.7有效
发明人： S·T·马;W·拉赫马迪;M·V·梅茨;C·S·莫哈帕特拉;G·杜威;N·M·拉哈尔-乌拉比;J·T·卡瓦列罗斯;A·S·默西;T·加尼 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2015-12-17 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：装置包括：在衬底上的非平面主体，非平面主体包括在阻挡材料上的导电沟道材料；以及在主体上的栅极叠置体，栅极叠置体包括电介质材料和第一栅极电极材料以及第二栅极电极材料，第一栅极电极材料包括第一逸出功，第一栅极电极材料设置在所述沟道材料上，第二栅极电极材料包括不同于所述第一逸出功的第二逸出功，第二栅极电极材料设置在沟道材料上和阻挡材料上。方法包括：在衬底上形成非平面主体，非平面主体包括在阻挡材料上的导电沟道材料；以及在主体上形成栅极叠置体，栅极叠置体包括电介质材料和第一栅极电极材料以及第二栅极电极材料，第一栅极电极材料包括第一逸出功，第一栅极电极材料设置在所述沟道材料上，第二栅极电极材料包括不同于所述第一逸出功的第二逸出功，第二栅极电极材料设置在沟道上和阻挡材料上。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]带电单元和使用该带电单元的静电分离机-CN201410677222.7在审
发明人：梁永哲;朴钟力;金贞娥;徐仁国 -专利权人： POSCO公司
申请日： 2014-11-21 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： B03C3/017 文献下载
摘要：带电单元包括与第一材料和第二材料碰撞并摩擦的带电球，所述带电球满足如下条件：第一材料的逸出功<带电球的逸出功<第二材料的逸出功。
带电单元使用静电分离

[发明专利]集成电路装置及其制造方法-CN201610833846.2在审
发明人：林夏珍;朴起宽;金元洪 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-09-20 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：所述集成电路装置包括第一栅极堆叠件，形成在第一高介电层上并包括第一含逸出功调节金属结构；第二栅极堆叠件，形成在第二高介电层上并包括具有比第一含逸出功调节金属结构的氧含量大的氧含量的第二含逸出功调节金属结构
集成电路装置及其制造方法

[发明专利]集成电路装置及其制造方法-CN202211405327.8在审
发明人：林夏珍;朴起宽;金元洪 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-09-20 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：所述集成电路装置包括：第一栅极堆叠件，形成在第一高介电层上并包括第一含逸出功调节金属结构；第二栅极堆叠件，形成在第二高介电层上并包括具有比第一含逸出功调节金属结构的氧含量大的氧含量的第二含逸出功调节金属结构
集成电路装置及其制造方法

[发明专利]一种基于发射探针技术的材料逸出功测量方法及装置-CN202210634123.5在审
发明人：李建泉;张清和;邢赞扬 -专利权人：山东大学
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： G01N27/62 文献下载
摘要：本发明属于材料逸出功测量阴极电子学技术领域，提供了一种基于发射探针技术的材料逸出功测量方法及装置，包括发射探针、真空腔以及样品支撑平台，所述发射探针通过三维驱动器固定在真空腔的内部；所述样品支撑平台固定在真空腔内部；所述发射探针位于样品支撑平台的一侧，用于检测样品支撑平台上的放置的待测样品；在测量固体材料的逸出功时，不需要对待测材料进行加热或者是对其施加外电场，对待测材料的形状和尺寸大小没有特殊要求，通过发射探针灯丝在不同位置、先后测得的两条发射探针伏安特性曲线的位移之差给出固体材料的逸出功测量结果，所获得的逸出功测量结果能够真实反应材料表面的实际情况。
一种基于发射探针技术材料逸出功测量方法装置

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