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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]制造半导体器件的方法-CN201710166680.8有效
发明人：张星旭;朴起宽;孙豪成;申东石 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-03-20 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：在一种制造半导体器件的方法中，隔离图案可以形成在衬底上以限定多个有源图案。有源图案可以从隔离图案凸出。初始多晶硅层可以形成在有源图案上以填充有源图案中的相邻有源图案之间的间隙。无导电性的离子可以被注入到初始多晶硅层中以形成无空隙的多晶硅层。有源图案在离子的注入期间维持它们的结晶状态。多晶硅层可以被图案化以在有源图案上形成虚设栅结构。源极/漏极区可以形成在有源图案的与虚设栅结构的侧面相邻的上部分处。
制造半导体器件方法

[发明专利]半导体器件-CN201710217824.8有效
发明人：徐东灿;卓容奭;朴起宽;朴美善;梁炆承;李承勋;P.唐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-04-05 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本公开提供了半导体器件。一种半导体器件至少包括第一线图案、栅电极、半导体图案、栅绝缘层和第一间隔物。第一线图案在衬底上并与衬底分隔开。栅电极围绕第一线图案并交叉第一线图案。半导体图案在第一线图案的两侧，并且半导体图案包括交叠第一线图案的部分。栅绝缘层设置在栅电极与第一线图案之间，并且栅绝缘层围绕第一线图案。第一间隔物在第一线图案与衬底之间，并且第一间隔物在栅绝缘层与半导体图案之间。
半导体器件

[发明专利]集成电路器件及其制造方法-CN201710130993.8有效
发明人：郑在烨;严命允;车东镐;刘庭均;朴起宽 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-03-07 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种集成电路(IC)器件包括：彼此邻近的一对鳍形有源区，在其间有鳍分离区，所述一对鳍形有源区延伸成一行；以及在鳍分离区中的鳍分离绝缘结构，其中所述一对鳍形有源区包括第一鳍形有源区，第一鳍形有源区具有限定部分的鳍分离区的第一拐角，并且其中鳍分离绝缘结构包括：下绝缘图案，覆盖所述一对鳍形有源区的侧壁；以及上绝缘图案，在下绝缘图案上以覆盖第一拐角的至少部分，上绝缘图案具有在比所述一对鳍形有源区的每个的顶表面高的水平处的顶表面。
集成电路器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN202310119081.6在审
发明人：徐东灿;朴起宽;金东宇;申东石 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-06-20 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件，该半导体器件包括：包括第一区和第二区的衬底；鳍型有源区域，其在第一区和第二区的每个中在远离衬底的第一方向上延伸；平行于鳍型有源区域的上表面延伸并与鳍型有源区域的上表面间隔开的多个纳米片；栅极，其在交叉第一方向的第二方向上在鳍型有源区域之上延伸；栅极电介质层，其被插置在栅极与每个纳米片之间；第一区中包括的第一源极和漏极区以及第二区中包括的第二源极和漏极区；以及绝缘间隔物，其被插置在鳍型有源区域与纳米片之间，其中空气间隔物被插置在绝缘间隔物与第一源极和漏极区之间。
半导体器件

[发明专利]集成电路装置及其制造方法-CN202211405327.8在审
发明人：林夏珍;朴起宽;金元洪 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-09-20 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：提供了集成电路装置及其制造方法。所述集成电路装置包括：第一栅极堆叠件，形成在第一高介电层上并包括第一含逸出功调节金属结构；第二栅极堆叠件，形成在第二高介电层上并包括具有比第一含逸出功调节金属结构的氧含量大的氧含量的第二含逸出功调节金属结构。
集成电路装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN201710469526.8有效
发明人：徐东灿;朴起宽;金东宇;申东石 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-06-20 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件，该半导体器件包括：包括第一区和第二区的衬底；鳍型有源区域，其在第一区和第二区的每个中在远离衬底的第一方向上延伸；平行于鳍型有源区域的上表面延伸并与鳍型有源区域的上表面间隔开的多个纳米片；栅极，其在交叉第一方向的第二方向上在鳍型有源区域之上延伸；栅极电介质层，其被插置在栅极与每个纳米片之间；第一区中包括的第一源极和漏极区以及第二区中包括的第二源极和漏极区；以及绝缘间隔物，其被插置在鳍型有源区域与纳米片之间，其中空气间隔物被插置在绝缘间隔物与第一源极和漏极区之间。
半导体器件

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN201710063704.7有效
发明人： 朴起宽;刘庭均;金基一;成石铉;严命允 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-02-03 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法包括由其面对的末端之间的第一沟槽分开的第一鳍式图案和第二鳍式图案，形成填充第一沟槽的第一绝缘层，去除第一绝缘层的一部分以在第一绝缘层上形成第二沟槽，以及通过增大第二沟槽的宽度形成第三沟槽。
半导体器件制造方法

[发明专利]材料层、包括其的半导体器件、以及制造材料层和半导体器件的方法-CN201610978132.0有效
发明人：卓容奭;朴起宽;金真范;具本荣;朴起演;李泰宗 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-11-07 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本文中提供材料层、包括材料层的半导体器件、以及形成材料层和半导体器件的方法。形成SiOCN材料层的方法可包括：将硅源供应至基底上，将碳源供应至所述基底上，将氧源供应至所述基底上，将氮源供应至所述基底上，和将氢供应至所述基底上。当根据本发明构思的方法形成材料层时，可形成具有高的对湿蚀刻的耐受性和/或良好的电特性的材料层，并且所述材料层可甚至当在低温下实施所述方法时形成。
材料包括半导体器件以及制造方法

[发明专利]具有衬层的鳍型场效应晶体管-CN201610791568.9有效
发明人：成石铉;刘庭均;朴起宽;金基一 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种集成电路器件包括：鳍型有源区，从基板突出；多个衬层，顺序地覆盖鳍型有源区的下侧壁；器件隔离层，覆盖鳍型有源区的下侧壁并且多个衬层在器件隔离层和鳍型有源区之间；以及栅绝缘层，延伸以覆盖鳍型有源区的沟道区、多个衬层和器件隔离层，并包括位于栅绝缘层的覆盖多个衬层的部分上的突起。
具有场效应晶体管

[发明专利]半导体器件-CN201611191848.2有效
发明人：金柱然;朴起宽 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：基板，包括第一区域和第二区域；在第一区域中的第一鳍型图案；在第二区域中的第二鳍型图案；交叉第一鳍型图案的第一栅结构，第一栅结构包括第一栅间隔物；交叉第二鳍型图案的第二栅结构，第二栅结构包括第二栅间隔物；形成在第一鳍型图案上的第一栅结构的相反侧上的第一外延图案，第一外延图案具有第一杂质；形成在第二鳍型图案上的第二栅结构的相反侧上的第二外延图案，第二外延图案具有第二杂质；第一硅氮化物膜，沿着第一栅间隔物的侧壁延伸；以及第一硅氧化物膜，沿着第一栅间隔物的侧壁延伸。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201610900212.4有效
发明人：金成洙;朴起宽;姜尚求;柳庚玟;李在训;河泰元 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-10-14 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件。一种能够通过将元素半导体材料注入或掺入到层间绝缘层中来调节栅电极和栅间隔物的外形的半导体器件可以被提供。所述半导体器件可以包括：衬底上的栅间隔物，栅间隔物限定沟槽；填充沟槽的栅电极；以及衬底上的层间绝缘层，层间绝缘层围绕栅间隔物，以及层间绝缘层的至少一部分包括锗。
半导体器件

[发明专利]集成电路器件及其制造方法-CN201610463537.0有效
发明人：刘庭均;朴起宽 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-06-23 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种集成电路(IC)器件包括第一鳍型有源区、第二鳍型有源区和区域间台阶部。第一鳍型有源区在基板的第一区中从基板突出并具有在第一方向上的第一宽度。第二鳍型有源区在基板的第二区中从基板突出并具有在第一方向上的第二宽度。第二宽度小于第一宽度。区域间台阶部形成在底表面上的第一区和第二区之间的界面处，该区域间台阶部是基板的在第一鳍型有源区和第二鳍型有源区之间的部分。
集成电路器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201710017588.5有效
发明人：崔成贤;卓容奭;朴起宽;具本荣;朴起演;徐元吾 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-01-11 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体器件及其制造方法以及半导体结构。所述半导体器件包括：衬底上的有源鳍；有源鳍上的栅极结构；栅极结构的侧壁上的栅极间隔件结构；以及在有源鳍邻近栅极间隔件结构的至少一部分上的源极/漏极层。所述栅极间隔件结构包括顺序地堆叠的湿法刻蚀停止图案、含氧硅图案和除气阻止图案。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201610962976.6有效
发明人：金基一;朴起宽;刘庭均;金炯东;成石铉;严命允 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-10-28 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供了一种制造半导体器件的方法，该方法包括以下步骤：在衬底上形成包括真实掩模图案和伪掩模图案的多个掩模图案；去除伪掩模图案；以及利用真实掩模图案作为掩模对衬底进行蚀刻，以形成第一沟槽、第二沟槽以及由第一沟槽和第二沟槽限定的鳍式图案。接触鳍式图案的第二沟槽包括凸出并且位于第二沟槽的底表面与侧表面之间的平滑图案、位于第二沟槽的侧表面与平滑图案之间的第一凹进部分和位于凸出部分与第二沟槽的底表面之间的第二凹进部分。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN201610944717.0有效
发明人：金成洙;朴起宽;崔正宪;柳庚玟;李宣姃 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-10-26 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底，其包括第一区和第二区；第一区的衬底上的第一栅极结构和第二栅极结构；第二区的衬底上的第三栅极结构和第四栅极结构；第一层间绝缘膜，其位于第一区的衬底上，并且包括第一下层间绝缘膜和第一上层间绝缘膜；第二层间绝缘膜，其位于第二区的衬底上，并且包括第二下层间绝缘膜和第二上层间绝缘膜；第一接触部分，其位于第一栅极结构与第二栅极结构之间和第一层间绝缘膜中；以及第二接触部分，其形成在第三栅极结构与第四栅极结构之间，并且位于第二层间绝缘膜中。
半导体器件

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