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[发明专利]图像传感器-CN202310102510.9在审
发明人：柳制亨;林夏珍;全宅洙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-01-19 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供了一种图像传感器，该图像传感器包括第一像素和与第一像素相邻设置的第二像素。像素分离结构设置在第一像素和第二像素之间。后抗反射层设置在第一像素、第二像素和像素分离结构上。栅栏结构设置在后抗反射层上并定位成在平面图中与像素分离结构叠置。栅栏结构包括阻挡金属层和栅栏。阻挡金属层的高度小于栅栏的高度。阻挡金属层的宽度小于栅栏的宽度。
图像传感器

[发明专利]图像传感器及其制造方法-CN202211267956.9在审
发明人：许在成;尹琪重;林夏珍;田钟珉;全宅洙;赵寅成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开提供了一种图像传感器及其制造方法。一种图像传感器包括：基板；多个单位像素，提供在基板的像素区上；多个器件隔离图案，在像素区上限定所述多个单位像素；遮光层，提供在基板的顶表面上并包括限定多个光透射区的栅格结构；多个滤色器，提供在遮光层的所述多个光透射区上；以及多个微透镜，提供在所述多个滤色器上。遮光层包括：遮光图案；提供在遮光图案上的低折射图案；以及保护层，提供在基板上并覆盖遮光图案和低折射图案。低折射图案包括多孔硅化合物。在低折射图案中的每个孔具有约0.2nm至约1nm的直径。
图像传感器及其制造方法

[发明专利]集成电路装置及其制造方法-CN202211405327.8在审
发明人： 林夏珍;朴起宽;金元洪 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-09-20 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：提供了集成电路装置及其制造方法。所述集成电路装置包括：第一栅极堆叠件，形成在第一高介电层上并包括第一含逸出功调节金属结构；第二栅极堆叠件，形成在第二高介电层上并包括具有比第一含逸出功调节金属结构的氧含量大的氧含量的第二含逸出功调节金属结构。
集成电路装置及其制造方法

[实用新型]一种市政用多功能安全警告装置-CN202220227284.8有效
发明人： 林夏珍;崔昆雷;崔璐阳;崔小冰;杨迎辉;徐光超;高新杰;冯帅;郭少军;赵贺贺;高新彦;毛亚亚;段慧勇;马源;王洪舜 -专利权人：河南裕泰安全工程师事务所有限公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： G09F7/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种市政用多功能安全警告装置，涉及市政施工技术领域，包括固定框，所述固定框的中部转动连接有螺纹丝杠，所述螺纹丝杠的侧面传动连接有移动块；该市政用多功能安全警告装置，通过设置第一翻转块、摩擦块、和六角转动块等，推动第一翻转块和第二翻转块向中部旋转九十度进入收纳框内部，之后推动限位框向收纳框的两侧移动对第一翻转块和第二翻转块进行限位，以此避免了不方便进行收纳的缺点；通过设置伺服电机、移动块和限位板等，下降过程中刮板首先对第一显示牌和第二显示牌表面的大颗粒灰尘或其他杂物进行刮取落至地面，之后通过清理板对其表面的灰尘进行清理，以此避免了不能对装置进行清理的缺点。
一种市政多功能安全警告装置

[发明专利]图像传感器以及制造图像传感器的方法-CN202010083771.7在审
发明人：金昶和;金宽植;金东灿;朴商秀;李范硕;李泰渊;林夏珍 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-02-10 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：一种图像传感器以及制造图像传感器的方法，所述图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有第一浮置扩散区；模制图案，所述模制图案位于所述第一浮置扩散区上方，并且包括开口；第一光电转换部，所述第一光电转换部位于所述半导体衬底的表面；以及第一传输晶体管，所述第一传输晶体管将所述第一光电转换部连接到所述第一浮置扩散区。所述第一传输晶体管包括第一传输栅电极和位于所述开口中的沟道图案。所述沟道图案包括氧化物半导体。所述沟道图案还包括侧壁部分和中心部分，所述侧壁部分覆盖所述开口的侧表面，所述中心部分从所述侧壁部分延伸到所述第一传输栅电极上方的区域。
图像传感器以及制造方法

[发明专利]图像传感器-CN202010000398.4在审
发明人：全宅洙;金起园;严祥训;尹琪重;林夏珍 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-01-02 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供了一种具有改善的性能和更高集成度的图像传感器。所述图像传感器包括：衬底，所述衬底包括彼此相对的第一表面和第二表面；第一有机光电转换层，所述第一有机光电转换层位于所述衬底的所述第一表面上；第一穿透通路，所述第一穿透通路连接到所述第一有机光电转换层，并且延伸穿过所述衬底；第一浮置扩散区域，所述第一浮置扩散区域位于所述衬底中并且与所述衬底的所述第二表面相邻；以及第一晶体管结构，所述第一晶体管结构位于所述衬底的所述第二表面上，其中，所述第一晶体管结构包括：被配置为连接所述第一穿透通路和所述第一浮置扩散区域的半导体层、位于所述半导体层上的栅电极、以及位于所述半导体层与所述栅电极之间的栅极介电膜。
图像传感器

[发明专利]图像传感器-CN201911423578.7在审
发明人：许在成;金振均;金局泰;李荣彬;林夏珍;全宅洙;洪守珍 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器可以包括：衬底，所述衬底包括彼此相对的第一表面和第二表面；多个光电转换器件，所述多个光电转换器件在所述衬底内彼此不直接接触；第一沟槽，所述第一沟槽被构造为从所述衬底的所述第一表面延伸到所述衬底的内部并且在所述多个光电转换器件中的相邻光电转换器件之间延伸；第一支撑件，所述第一支撑件在所述第一沟槽内；以及第一隔离层，所述第一隔离层在所述第一沟槽内至少部分地覆盖所述第一支撑件的两个侧壁，其中，所述第一支撑件的下表面与所述衬底的所述第一表面共面。
图像传感器

[发明专利]图像传感器及其制造方法-CN201911116541.X在审
发明人：许在成;金永倬;林夏珍 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供了一种图像传感器及其制造方法，所述图像传感器包括：多个滤色器，所述多个滤色器在半导体衬底上彼此间隔开；保护层，所述保护层覆盖所述滤色器的侧壁和所述滤色器的顶表面；以及低折射图案，所述低折射图案填充所述滤色器之间的空间。
图像传感器及其制造方法

[发明专利]图像传感器、图像传感器模块和制造图像传感器的方法-CN201910938386.3在审
发明人： 林夏珍;金局泰;田钟珉;许在成;洪慧理 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供了图像传感器、图像传感器模块和制造图像传感器的方法。所述图像传感器包括：光电转换器，位于基底的像素区域中，以响应于入射到像素区域上的入射光而产生光电子；信号发生器，在像素区域中位于基底的第一表面上，以根据光电子产生与对象的图像信息对应的电信号；以及像素分离图案，从基底的第一表面到基底的与基底的第一表面相对的第二表面穿透基底，像素分离图案包括折射率小于基底的折射率的绝缘图案和被绝缘图案围绕的金属导电图案，并且像素区域被像素分离图案围绕并与邻近像素区域隔离。
图像传感器模块制造方法

[发明专利]包括激光屏障图案的图像传感器-CN201910724515.9在审
发明人： 林夏珍 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-08-07 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供了一种图像传感器。所述图像传感器包括：基底，包括多个单元像素；堆叠结构，位于基底上；以及栅格图案，在堆叠结构上位于所述多个单元像素中的相邻单元像素之间。栅格图案包括下栅格图案和下栅格图案上的上栅格图案，下栅格图案包括氧化镧(LaO)、非晶硅(a‑Si)或多晶硅(poly‑Si)，上栅格图案包括导电材料。
包括激光屏障图案图像传感器

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN201610720187.1有效
发明人： 林夏珍;朴起宽;李相烨;李钟汉;任廷爀;洪慧理 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-08-24 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：制造半导体器件的方法被提供。所述方法可以包括：形成从衬底突出的鳍型有源区；形成覆盖鳍型有源区的顶表面和两侧壁的栅绝缘膜。栅绝缘膜可以包括高k电介质膜。所述方法还可以包括：在栅绝缘膜上形成含金属层；在含金属层上形成包含氢原子的硅覆盖层；去除硅覆盖层中包含的氢原子的一部分；去除硅覆盖层和至少一部分含金属层；以及在栅绝缘膜上形成栅电极。栅电极可以覆盖鳍型有源区的顶表面和两个侧壁。
制造半导体器件方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201510035301.2有效
发明人： 林夏珍;金亨俊;李来寅 -专利权人：三星电子株式会社;首尔大学校产学协力团
申请日： 2015-01-23 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：半导体衬底，包括III族元素和V族元素；以及栅极结构，在半导体衬底上。半导体衬底包括：第一区，接触栅极结构的底表面；以及第二区，设置在第一区之下。III族元素在第一区中的浓度低于V族元素在第一区中的浓度，III族元素在第二区中的浓度基本上等于V族元素在第二区中的浓度。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]集成电路装置及其制造方法-CN201610833846.2在审
发明人： 林夏珍;朴起宽;金元洪 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-09-20 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：提供了集成电路装置及其制造方法。所述集成电路装置包括第一栅极堆叠件，形成在第一高介电层上并包括第一含逸出功调节金属结构；第二栅极堆叠件，形成在第二高介电层上并包括具有比第一含逸出功调节金属结构的氧含量大的氧含量的第二含逸出功调节金属结构。
集成电路装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201010623026.3有效
发明人： 林夏珍;金明宣;郑会晟;都晋昈;金元洪;宋文均;朱大权 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2010-12-31 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：装置隔离层，布置在半导体基底的预定区域上，以限定有源区，所述有源区包括(100)晶面的中央顶表面和从所述中央顶表面延伸到所述装置隔离层的倾斜边缘表面；半导体图案，覆盖所述有源区的所述中央顶表面和所述倾斜边缘表面，所述半导体图案包括(100)晶面的与所述有源区的所述中央顶表面平行的平坦顶表面和与所述平坦顶表面基本上和/或完全地垂直的侧壁；栅极图案，与所述半导体图案叠置。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200710001445.1无效
发明人：丁炯硕;李钟镐;林夏珍;俞美英 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-01-08 - 公布日： 2007-07-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：其中形成第一导电沟道的有源层，形成于在半导体基底上形成的有源区上的栅极、夹在所述有源区和栅极之间的栅极介电层。该半导体装置还包括沿半导体基底上的有源区和栅极介电层之间界面形成的电荷产生层，使得在该界面周围产生固定电荷。
半导体装置及其制造方法

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