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[发明专利]用于经增强图像传感器性能的源极跟随器装置-CN201811441725.9有效
发明人：渡辺一史;郑荣友;熊志伟;戴森·H·戴;林赛·格朗 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：转移晶体管耦合到光电二极管以响应于施加到转移晶体管的转移栅极的转移信号而将图像电荷从光电二极管转移到浮动扩散部中。源极跟随器晶体管耦合到浮动扩散部以放大浮动扩散部上的电荷。源极跟随器晶体管包含：栅极电极，其包含具有第一掺杂剂类型的半导体材料；源极电极，其具有第二掺杂剂类型，安置于半导体材料中；漏极电极，其具有第二掺杂剂类型，安置于半导体材料中；及沟道，其具有第二掺杂剂类型
用于增强图像传感器性能跟随装置

[发明专利]在磁性隧道结元件处读取及写入数据的系统及方法-CN201080004093.5有效
发明人：穆罕默德·哈桑·阿布-拉赫马;宋森秋;杨赛森;朴东奎;钟成;阿诺什·B·达维耶瓦拉 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2010-01-08 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：在特定实施例中，装置(100)包括自旋转移力矩磁性隧道结(STT-MTJ)元件(102)及耦合到所述STT-MTJ元件的具有第一栅极(106)及第二栅极(108)的晶体管(104)。
磁性隧道元件读取写入数据系统方法

[发明专利]全局快门高动态范围像素及影像传感器-CN201610969736.9有效
发明人：李永忠;邱奕诚;徐新惠;邱瑞德;刘汉麒 -专利权人：原相科技股份有限公司
申请日： 2016-10-28 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： H04N5/355 文献下载
摘要：全局快门高动态范围像素包括：光感测单元、浮动扩散节点、第一电荷转移单元、第二电荷转移单元及像素讯号输出单元。第一电荷转移单元至少包括金属氧化物半导体电容，以暂时储存从光感测单元转移而来的至少部分感测电荷。金属氧化物半导体电容根据控制讯号而导通/不导通，由此在金属氧化物半导体电容自身的内部形成有栅极感应位能阱，藉以控制至少部分感测电荷的转移。
全局快门动态范围像素影像传感器

[发明专利]具有全域快门的图像传感器-CN201010169638.X有效
发明人：真锅宗平 -专利权人：美商豪威科技股份有限公司
申请日： 2010-04-30 - 公布日： 2010-11-03 - 主分类号： H04N5/335 文献下载
摘要：一转移晶体管耦合于该光电二极管与该储存晶体管之一输入之间，以选择性地将该图像电荷自该光电二极管转移至该储存晶体管。一输出晶体管耦合至该储存晶体管之一输出以选择性地将该图像电荷转移至一读出节点，且一重设晶体管耦合至该读出节点。一控制器被配置为在激活该储存晶体管之一栅极以储存该图像电荷之前将一负电压施加至该储存晶体管之该栅极。
具有全域快门图像传感器

[发明专利]像素架构和图像传感器-CN201910635416.3有效
发明人： M·罗斯莫伦;A·萨斯 -专利权人： IMEC 非营利协会
申请日： 2019-07-15 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：中，其中所述电荷传输层包括偏置区域(121)以及与该偏置区域(121)相关联的电荷分配区域(120)；连接到偏置区域(121)并向偏置区域(121)提供可选择的偏置电压的电连接(132)；以及至少一个转移栅极(124、126)，其中掺杂区域(122)和偏置区域(121)被不同地偏置以用于将所生成的电荷的传输朝向电荷分配区域(120)驱动，以及用于与至少一个转移栅极(124、126)一起控制电荷从电荷分配区域(120)到电荷节点(128、130)的转移。
像素架构图像传感器

[发明专利]半导体结构的制作方法-CN202211533534.1有效
发明人：陈兴;黄普嵩 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H10B10/00 文献下载
摘要：该方法包括：提供基底，基底包括衬底以及相邻设置的第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管包括第一栅极，第二晶体管包括第二栅极，第一栅极与第二栅极之间的衬底中具有共用掺杂区，且第一栅极和第二栅极的侧壁上覆盖有第一侧墙，共用掺杂区为第一晶体管的源区和第二晶体管的漏区，或共用掺杂区为第一晶体管的漏区和第二晶体管的源区；将第一侧墙减薄，得到覆盖第一栅极和第二栅极的侧壁上的第二侧墙；在衬底上形成应力层，以覆盖第一晶体管、第二晶体管、第二侧墙和共用掺杂区；将应力层中的应力转移至第一栅极、第二栅极和共用掺杂区；去除应力层中覆盖第二侧墙之外的部分，剩余的应力层形成保护层。
半导体结构制作方法

[发明专利]栅极无损伤制备方法及基于该制备方法的HEMT-CN202010809883.6在审
发明人：许明伟;李海滨;樊晓兵 -专利权人：深圳市汇芯通信技术有限公司
申请日： 2020-08-12 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种栅极无损伤制备方法及基于该制备方法的HEMT。方法包括：在HEMT外延结构的上方沉积多层介质层；干法刻蚀多层介质层中位于顶层的介质层，形成第一栅极接触孔；湿法刻蚀多层介质层中位于次顶层的介质层，形成第二栅极接触孔；在第一栅极接触孔与第二栅极接触孔中沉积金属，得到栅极。采用本申请，干法刻蚀顶层介质层，可以实现图形的精确转移，避免湿法刻蚀对图形尺寸控制较差的缺点，确保器件性能的稳定。
栅极损伤制备方法基于 hemt

[发明专利]具减低电压应力的栅极控制电路的电路-CN200910134532.3有效
发明人：张泰亨 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2009-04-15 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： H03K19/094 文献下载
摘要：公开了一种在组件上具有减低电压应力的栅极控制输出电路的电路。在用于供应输出以控制转移栅极的金属氧化物半导体晶体管的电路中，提供第一和第二箝制电路。第一箝制电路可确保耦接泵电压至输出的P型金属氧化物半导体晶体管的栅极和源极/漏极与漏极/源极之间的电压不超过预定电压，而第二箝制电路则可确保在N型金属氧化物半导体晶体管的栅极与耦接于该N型金属氧化物半导体晶体管的漏极上述箝制电路可通过确保介于栅极与源极/漏极和漏极/源极端之间的电压不超过预定的电压，而避免晶体管的栅极应力的问题。
减低电压应力栅极控制电路电路

[发明专利]电荷积分多线性图像传感器-CN201210056894.7有效
发明人： F·迈耶尔 -专利权人： E2V半导体公司
申请日： 2012-01-20 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H01L27/148 文献下载
摘要：根据本发明，像素包括覆盖半导电层(12)的一连串数个绝缘栅极G1i、G2i、G3i、G4i，一个像素的栅极通过栅极的狭窄的未覆盖的间隙彼此分离并与另一线的相邻像素的栅极分离，并且该所述一个像素的栅极包括由第一类型(p)的掺杂表面区域(16)覆盖的第二类型导电性的掺杂区域(14，n型)；表面区域保持在同一参考电势；相邻栅极之间的狭窄间隙的宽度使得：当栅极维持将电荷从一个像素转移到下一个像素所必需的交替的电势时，第二类型的区域的内部电势在狭窄间隙的整个宽度上被更改
电荷积分线性图像传感器

[发明专利]一种减小栅极多晶硅头对头关键尺寸的方法-CN201710761501.5在审
发明人：陆连;陈伏宏;李全波 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-08-30 - 公布日： 2018-01-12 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明提供一种减小栅极多晶硅头对头关键尺寸的方法，包括于Si‑ARC层的上表面涂设一具有预设光刻图案的光刻胶层；以光刻胶层为掩膜对Si‑ARC层进行刻蚀以将预设光刻图案装转移至Si‑ARC层；去除光刻胶层，以Si‑ARC层为掩膜对SOC材料层进行刻蚀以将预设光刻图案装转移至SOC材料层，Si‑ARC层、SOC材料层以及介质层构成一凹槽；沉积一预定厚度的碳氢集合物层；去除位于Si‑ARC层的上表面以及凹槽的底面的碳氢集合物层；去除Si‑ARC层，以SOC材料层为掩膜对介质层进行刻蚀以将预设光刻图案转移至介质层；去除SOC材料层，以介质层为掩膜对多晶硅层进行刻蚀以将预设光刻图案转移至多晶硅层。本发明的有益效果提高工艺精度，减小栅极多晶硅头对头关键尺寸。
一种减小栅极多晶对头关键尺寸方法

[发明专利]用于检测不闪烁发光二极管的系统及方法-CN201710374063.7有效
发明人：毛杜立;特吕格弗·维拉森;约翰内斯·索尔胡斯维克;马渕圭司;陈刚;真锅宗平;戴森·H·戴;比尔·潘;奥拉伊·奥尔昆·赛莱克;林志强;马思光;杨大江;博伊德·艾伯特·佛勒 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2017-05-24 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：第一子像素包含用于获取第一图像电荷的第一光敏元件及用于选择性地将所述第一图像电荷从所述第一光敏元件转移到第一浮动扩散FD节点的第一转移栅极晶体管。第二子像素包含用于获取第二图像电荷的第二光敏元件及用于选择性地将所述第二图像电荷从所述第二光敏元件转移到第二FD节点的第二转移栅极晶体管。DFD晶体管耦合到所述第一及所述第二FD节点。
用于检测闪烁发光二极管系统方法

[发明专利]半导体制造方法-CN201310215647.1有效
发明人：殷华湘;秦长亮;朱慧珑 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2013-05-31 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种FinFET制造方法，在去除假栅极层和假栅极绝缘层之后，在外延腔中，采用HCl或H2预烘焙工艺对所述鳍片中的FinFET沟道区域进行选择性刻蚀，避免了现有工艺中的缺陷，在保护沟道区域、栅极侧墙以及ILD层的同时，能够精确控制选择性刻蚀的量，有利于在沟道区域形成高迁移率薄膜和进行不同沟道长度和阈值电压器件的集成；同时，减少了晶片转移次数，避免了晶片沾污。
半导体制造方法

[发明专利]液晶装置及电子设备-CN200810129719.X有效
发明人：土屋丰;河西利幸;泽渡彩映;春山明秀 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2008-08-11 - 公布日： 2009-02-11 - 主分类号： G02F1/1343 文献下载
摘要：本发明提供一种容易实现向弯曲取向的转移的液晶装置及电子设备。而且，在基板(11)的液晶层(40)侧形成有多根栅极线(12)、形成为俯视下与栅极线(12)交叉的多根源极线(14)、TFT元件(20)和像素电极(16)。像素电极(16)俯视下与栅极线(12)的一部分重叠。
液晶装置电子设备

[发明专利]一种多值存储器-CN202110159606.X在审
发明人：黄琨;赵立新;彭文冰 -专利权人：格科微电子（上海）有限公司
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种多值存储器，该多值存储器包括：多个存储子列；每个存储子列包括浮置扩散区和多个存储单元；所述存储单元至少包括：电荷存储区和对应的转移晶体管；所述转移晶体管的部分沟道为垂直方向，通过位于转移晶体管沟道两侧的多晶硅栅极结构，控制转移晶体管电荷在所述浮置扩散区和所述电荷存储区之间的转移。本发明实施例通过将部分沟道为垂直方向的转移晶体管应用于多值存储器，并将光电二极管作为电荷存储区，提高转移晶体管整合密度的同时，降低了芯片制备的成本。
一种存储器

[发明专利]借助转移栅极升压读出图像传感器的方法-CN201410165300.5有效
发明人：真锅宗平;柳政澔 -专利权人：全视科技有限公司
申请日： 2014-04-23 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： H04N5/378 文献下载
摘要：本申请案涉及一种借助转移栅极升压读出图像传感器的方法。图像传感器包含光敏区、转移晶体管及一个或一个以上共享电荷/电压机构。一种用于读出所述图像传感器的方法包含启用第一转移晶体管以将光生电荷从第一光敏区转移到共享电荷/电压机构。所述方法还包含在将所述光生电荷从所述第一光敏区转移到所述共享电荷/电压机构时不多于部分地启用第二转移晶体管以部分地接通所述第二转移晶体管以增加所述共享电荷/电压机构的电容。
借助转移栅极升压读出图像传感器方法