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[发明专利]一种垂直栅CMOS图像传感器及制造方法-CN201911133006.5有效
发明人：田志;李娟娟;邵华;陈昊瑜 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2019-11-19 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种垂直栅CMOS图像传感器及制造方法，位于外延层上的转移管以及该转移管一侧、外延层中的光电二极管；转移管的垂直栅伸入外延层中并延伸至光电二极管所在的深度；位于外延层上、转移管另一侧的复位管；该复位管栅极两侧的外延层中分别设有N+区；其中一个与转移管相邻的N+区域形成浮动扩散点；转移管的垂直栅靠近所述光电二极管的区域呈凸面，靠近所述浮动扩散点的区域呈凹面。本发明形成靠近光电二极管区域易于收集的凸面，以及靠近浮动扩散点附近易于形成电子聚集效果的凹面，可以尽最大面积收集电子，朝浮动扩散点转移时集中转移，降低损失。从而实现电子从转移的多面性到收集的聚集性的全面改善。
一种垂直 cmos 图像传感器制造方法

[发明专利]CMOS图像传感器-CN200610170120.1无效
发明人：任劲赫 -专利权人：东部电子股份有限公司
申请日： 2006-12-22 - 公布日： 2007-07-04 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器，其包括用于吸收光的光电二极管、转移晶体管(Tx)、复位晶体管(Rx)、驱动晶体管(Dx)和选择晶体管(Sx)。CMOS图像传感器包括转移晶体管(Tx)和复位晶体管(Rx)之间的浮置扩散区。驱动晶体管(Dx)的栅极利用多晶硅与该浮置扩散区相连接。
cmos 图像传感器

[发明专利]具有非对称栅极的矩阵电荷转移图像传感器-CN201180024387.9有效
发明人： F·马耶尔;R·贝尔 -专利权人： E2V半导体公司
申请日： 2011-05-05 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01L27/148 文献下载
摘要：根据本发明，沿一列的相邻像素均包括至少一个光电二极管（PH1i，PH2i）和一个与所述光电二极管相邻的存储栅极（G1i，G2i）的交替。所述栅极包括主体和一系列窄指状物（20），所述一系列窄指状物（20）在电荷转移方向上的上游侧上而不在下游侧上且从所述主体向所述上游侧延伸，在所述上游侧上的所述指状物的末端与位于所述栅极的上游的光电二极管相邻而彼此分离，所述掺杂绝缘区域（18）的掺杂比所述表面区域的掺杂更高且所述掺杂绝缘区域优选地比所述表面区域更深，所述掺杂绝缘区域与所述表面区域一样被连接至所述有源层的所述基准电势，这些所述绝缘区域插置在所述栅极的所述主体与所述光电二极管之间这些指状物感应所述电荷转移的方向性。
具有对称栅极矩阵电荷转移图像传感器

[发明专利]一种探测器像素单元、图像传感器和探测方法-CN202010599143.4在审
发明人：雷述宇 -专利权人：宁波飞芯电子科技有限公司
申请日： 2020-06-28 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请提供了一种探测器像素单元，包括：光电二极管，包括N型掺杂区域和表面P型掺杂区域；N型掺杂的浮动扩散节点；所述浮动扩散节点包含于P阱掺杂区中；具有转移功能的晶体管，包含栅极，栅极下方的氧化层，所述氧化层下方还包含第一表面P型掺杂区，还包含位于所述第一表面P型掺杂区之下的第一N型掺杂区，所述第一N型掺杂区用于降低所述光电二极管的N型掺杂区至所述浮动扩散节点的电子转移势垒，通过设置第一N型掺杂区和第一表面P型掺杂区保证了器件工作电压低功耗小的特点
一种探测器像素单元图像传感器探测方法

[发明专利]一种应用于晶体管的高速三维电学特性测试系统-CN201610872855.2有效
发明人：赵毅;曲益明;陈冰;卢继武;韩菁慧 -专利权人：浙江大学
申请日： 2016-09-30 - 公布日： 2018-03-16 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明的创新在于通过给晶体管的漏极施加阶梯变化的电压波形，并在每个阶梯电平中给晶体管的栅极施加一个脉冲电压信号，来进行一次晶体管转移特性测试，从而在100nS内测出晶体管的三维电学特性(IDS‑VGS‑VDS)、转移特性(IDS‑VGS)和输出特性(IDS‑VDS)。本发明系统可适用于以硅、锗、Ⅲ‑Ⅴ族化合物为载流子沟道的高性能平面晶体管，以及鳍式立体栅极、环栅(GAA)结构场效应晶体管的电学特性研究。
一种应用于晶体管高速三维电学特性测试系统

[发明专利]用于扫描传感器的省电计时-CN201780054683.0有效
发明人：戴维·L·布朗 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2017-09-26 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H04N5/369 文献下载
摘要：所述像素阵列沿扫描方向及垂直于所述扫描方向的线方向分布，其中所述阵列的所述像素中的至少一些像素包含沿所述扫描方向对准的三个或多于三个栅极。所述时钟产生器提供计时信号以沿着所述扫描方向在包含沿所述扫描方向邻近的两个或多于两个像素的两个或多于两个像素群组之间转移电荷。所述计时信号包含相位信号以通过以下方式沿着所述扫描方向以与目标的速度对应的速率将所述电荷转移到邻近像素群组：驱动所述两个或多于两个像素群组的所述栅极且每像素群组产生用于围阻响应于入射照明而产生的电荷的共用电位阱
用于扫描传感器计时

[发明专利]半导体存储器设备-CN200710142365.8无效
发明人：儿玉典昭;日高宪一 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2007-08-22 - 公布日： 2008-02-27 - 主分类号： G11C14/00 文献下载
摘要：该非易失行存储器包括由6个MOS晶体管构成的SRAM单元、电连接到第一转移MOS晶体管的栅极的第一字线，和电连接到第二转移MOS晶体管的栅极的第二字线。
半导体存储器设备

[发明专利]一种固态电解质薄膜晶体管及其制备方法-CN201510119192.2在审
发明人：武倩;邵宪一;边惠;郭小军 -专利权人：南京华印半导体有限公司
申请日： 2015-03-18 - 公布日： 2015-08-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：固态电解质薄膜晶体管包括：绝缘衬底(11)、源电极(12)、漏电极(13)、半导体层(14)、电解质绝缘层(15)、栅电极(16)和栅极衬底(17)。先在绝缘衬底上制备源/漏电极；其次在绝缘衬底和源/漏电极上制备半导体层；在栅极衬底上制备栅电极；将栅极衬底、栅电极与电解质绝缘层一同切割形成适当尺寸的小片，利用全自动或半自动自对准机械转移覆盖在半导体层沟道区域之上
一种固态电解质薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]晶体管T型发射极或栅极金属图形的制造方法-CN01109272.6无效
发明人：刘训春;李无瑕;王润梅;钱永学;吴德馨;张龙海;郑坚斌;罗明雄 -专利权人：中国科学院微电子中心
申请日： 2001-03-02 - 公布日： 2004-04-28 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明晶体管T型发射极或栅极金属图形的制造方法属于半导体集成电路工艺。本方法是先在衬底片上涂两层正性光刻胶，或者先淀积一层SiO₂或SiN介质层后涂正性光刻胶，然后光刻出发射极或栅极窗口图形，再用等离子体刻蚀将上层光刻胶上的窗口图形转移到底层光刻胶或介质层上，适当扩大窗口后蒸发或溅射发射极所需金属，再经剥离获得T型发射极或栅极金属图形。
晶体管发射极栅极金属图形制造方法

[发明专利]半导体存储装置-CN200410068725.0无效
发明人：宫本英明;境直史;石塚良行 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2004-09-06 - 公布日： 2005-03-16 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：该半导体存储装置具备：互相交叉配置的字线及位线；包括与字线与位线连接的多个存储单元的存储单元阵列区域；以及配置在存储单元阵列区域下方的转移栅极晶体管。
半导体存储装置

[发明专利]具有耦合栅极结构的图像像素-CN202210143943.4在审
发明人： M·H·因诺森特;R·M·圭达世;T·吉尔茨 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开涉及具有耦合栅极结构的图像像素。本发明公开了一种图像传感器，该图像传感器可包括图像像素阵列。该图像像素阵列可耦合到控制电路和读出电路。该阵列中的一个或多个图像像素可以各自包括耦合栅极结构，该耦合栅极结构将一个输入端子处的光电二极管耦合到第一输出端子处的电容器并且耦合到第二输出端子处的浮动扩散区。该耦合栅极结构可以包括第一晶体管，该第一晶体管设置限定光电二极管所生成电荷的溢出部分的势垒。可以调节该耦合栅极结构中的第二晶体管和第三晶体管，以在合适的时间将溢出电荷转移到该电容器和该浮动扩散区。
具有耦合栅极结构图像像素

[发明专利]图像传感器、成像系统及电连接系统-CN201611137410.6有效
发明人：梁加圻;戴信能;翁鸿铭 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2016-12-12 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：转移栅极经安置以将所述光电二极管中所产生的图像电荷转移到所述浮动扩散区中。具有第一横截面面积的第一电接触件耦合到所述转移栅极。
图像传感器成像系统连接

[发明专利]图像拾取装置-CN201210007863.2有效
发明人：山下雄一郎;大贯裕介 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2009-10-09 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H04N5/376 文献下载
摘要：本发明涉及图像拾取装置，包含：多个像素，每一个具有光电转换单元、电荷存储单元、将光电转换单元的电荷转移到电荷存储单元的第一转移晶体管、浮动扩散区域、将电荷存储单元的电荷转移到浮动扩散区域的第二转移晶体管、和与浮动扩散区域电连接的放大晶体管；扫描单元，将使第二转移晶体管导通的导通脉冲、使第二转移晶体管不导通的非导通脉冲、和具有导通脉冲和非导通脉冲之间的峰值的中间电平脉冲提供到第二转移晶体管的栅极；产生单元，使用基于响应于导通脉冲和中间电平脉冲而转移的电荷的信号来产生图像信号；检测单元，检测温度；和控制单元，根据来自检测单元的关于所检测的温度的信息来改变中间电平脉冲的峰值和脉冲宽度中的至少一个。
图像拾取装置

[发明专利]使用斜变转移栅极时钟的A/D转换器-CN200780005721.X有效
发明人： W·徐 -专利权人：伊斯曼柯达公司
申请日： 2007-02-07 - 公布日： 2009-03-11 - 主分类号： H04N3/15 文献下载
摘要：一种图像传感器，包括感光区域，积累对应于接收的入射光的电荷；转移栅极，用于从感光区域转移电荷；电源电压，具有随时间渐增的电压；浮置扩散，用于从感光区域接收电荷并将电荷转换成电压；放大器，用于接收和放大来自浮置扩散的信号；比较器，用于将来自放大器的电压与基准电压比较；以及计数器，用于计数从渐增的电压的起始直到从比较器收到指示从感光区域到浮置扩散的电荷转移的信号之间的时钟周期，其中生成代表感光区域未填充的电容量的数字信号
使用转移栅极时钟转换器

[发明专利]一种NMOS功率管栅极箝位驱动模块、驱动电路和开关电源-CN202011255119.5有效
发明人：李瑞平;池伟;刘彬;吕战辉 -专利权人：上海芯龙半导体技术股份有限公司南京分公司
申请日： 2020-11-11 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种NMOS功率管栅极箝位驱动模块、驱动电路和开关电源，NMOS功率管栅极箝位驱动模块包括BOOST电容充电模块、基准电流源模块、电平转移模块以及功率管驱动模块，且采用晶体管集成电路工艺实现
一种 nmos 功率管栅极箝位驱动模块电路开关电源