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[发明专利]固态成像设备-CN200810213478.7无效
发明人：二村文章;木村哲司 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2008-09-08 - 公布日： 2009-03-11 - 主分类号： H01L27/148 文献下载
摘要：在固态成像设备中，光电转换部分被配置为通过光电转换产生电荷，并且第一电荷转移部分与光电转换部分相连。第一读栅极部分位于光电转换部分与第一电荷转移部分之间，并且被配置为使电荷从光电转换部分转移到第一电荷转移部分。第二电荷转移部分独立于第一电荷转移部分进行操作，并且被配置为接收从第一电荷转移部分转移的电荷。
固态成像设备

[发明专利]一种SiC MOSFET反向转移电容测量方法-CN202011541017.X有效
发明人：王来利;李华清;杨成子;于龙洋;朱梦宇 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiC MOSFET反向转移电容测量方法，包括以下步骤：栅极驱动器输出的高电平电压Vgg、下桥臂SiC MOSFET的漏极外接引线端子G与母线电源的负极性端子S’之间的电压uGS’、外加驱动电阻Rg_de、栅极驱动器内部驱动电阻Rg_drdg’、SiC MOSFET漏源极电容两端的电压uDS及SiC MOSFET漏栅极电容两端的电压uDG，得SiC MOSFET的反向转移电容Cdg，该方法能够较为准确测量SiC MOSFET的反向转移电容，且测量较为简单
一种 sic mosfet 反向转移电容测量方法

[发明专利]具有外延自对准光传感器的图像传感器-CN201110008440.8有效
发明人：顾克强;刘家颖;戴幸志;V·韦内齐亚;钱胤;D·毛 -专利权人：美商豪威科技股份有限公司
申请日： 2011-01-06 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：转移晶体管栅极形成于该第一外延层上。外延生长的光传感器区域置于该第一外延层中且具有第二导电型。该外延生长的光传感器区域包括在转移晶体管栅极的一部分下延伸的延伸区域。
具有外延对准传感器图像传感器

[发明专利]升压电路-CN200610064347.8有效
发明人：山平征二;森俊树 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-12-22 - 公布日： 2007-07-25 - 主分类号： H02M3/04 文献下载
摘要：当抽出电荷转移晶体管的栅极电压时用于设置电压电平的抽出下限电压被提供给复位电路。为了确保在升压单元中使用的该晶体管和电容器的击穿电压裕度，不必恒定的电压被用作抽出下限电压。因此，可以提供稳定的升压电路，其中可设置电荷转移晶体管的最佳栅极电压电平，可抑制过充电，且可缩短升压电路的恢复时间。
升压电路

[发明专利]具有稳健电荷转移感测放大的SRAM-CN202180057164.6在审
发明人：晶昌镐;P·达达博伊;A·B·帕勒拉 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：一种电荷转移晶体管，耦合在位线和感测放大器的感测节点之间。在读取操作期间，电荷转移驱动器驱动电荷转移晶体管的栅极电压以控制电荷转移晶体管在电荷转移期间是否导通。为了辅助电荷转移晶体管的电荷转移，第一交叉耦合晶体管和第二交叉耦合晶体管耦合在位线和互补位线之间。
具有稳健电荷转移放大 sram

[实用新型]成像系统与图像传感器像素-CN201520769638.1有效
发明人： J·希内塞克 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2015-09-29 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： H04N5/335 文献下载
摘要：每个像素都可以具有用于接收穿过背面的光的光电二极管、浮置扩散节点、电荷转移栅极，以及第一及第二复位晶体管栅极。源极跟随器晶体管可以具有与浮置扩散节点耦接的栅极以及与寻址晶体管耦接的源极。浮置扩散可以通过转移栅极、复位栅极和p型掺杂区界定于正面处。
成像系统图像传感器像素

[发明专利]适用于丝印工艺的冷阴极X射线管阴栅极组件及制作方法-CN201711433269.9在审
发明人：朱卓娅;昌盛成;雷威;张晓兵;刘金虎;李劲生 -专利权人：东南大学
申请日： 2017-12-26 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： H01J35/04 文献下载
摘要：本发明公开一种适用于丝印工艺的冷阴极X射线管阴栅极组件，包括栅极底座、阴极底座、陶瓷垫片、冷阴极、栅网和刻有凹槽的栅极法兰，阴极底座固定于栅极底座上，且二者之间设有陶瓷垫片绝缘；冷阴极由导电银浆和场发射材料丝印于阴极底座上而形成；栅极法兰固定于栅极底座上，而栅网点焊在栅极法兰的凹槽内。本发明还公开一种阴栅极组件的制作方法，将阴极底座装配在栅极底座上，栅极底座和阴极底座通过陶瓷垫片绝缘；在室温下采用丝印法先后将导电银浆和场发射材料转移到阴极底座上制成冷阴极；将栅网点焊在栅极法兰的凹槽内后，将栅极法兰和栅极底座通过螺丝固定。
阴极底座底座冷阴极法兰丝印工艺陶瓷垫片栅极组件场发射材料导电银浆绝缘丝印装配阴极发射材料网点法兰固定螺丝固定栅网制备制作保证

[发明专利]形成集成电路的方法-CN201810457817.X有效
发明人：程仲良;陈彦羽 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-05-14 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本申请提供了具有栅极结构的集成电路和形成该集成电路的方法的实例。在一些实例中，接收工件，该工件包括具有沟道区域的衬底。在沟道区域上形成栅极电介质，在栅极电介质上形成含有掺杂剂的层。将工件退火，以将掺杂剂转移到栅极电介质，以及在退火后去除层。在一些这样的实例中，在去除层之后，在栅极电介质上形成功函数层，以及在功函数层上形成填充材料以形成栅极结构。
形成集成电路方法

[发明专利]时序控制模块、显示装置、以及时钟信号的电平调整方法-CN201810786385.7在审
发明人：单剑锋 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2018-07-17 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：本发明揭露了一种时序控制模块、显示装置、以及时钟信号的电平调整方法，显示装置包括显示面板、以及时序控制模块，显示面板具有多个级联的栅极线路，时序控制模块包括时序控制电路以及电平转移电路，时序控制电路用于对栅极线路产生时钟信号，电平转移电路用于对时钟信号产生三种准位的电平，三种准位包括低预设电平、高电平、以及过低预设电平，当有效的时钟信号产生前，电平转移电路会产生低预设电平，当有效的时钟信号产生时，电平转移电路会产生高电平，当有效的时钟信号产生后，电平转移电路会产生过低预设电平，其中依电平自高而低依序为高电平、低预设电平、过低预设电平。
预设电平电平转移电路时序控制模块时钟信号产生显示装置高电平时序控制电路电平调整时钟信号显示面板栅极线路准位产生时钟信号扫描信号拖尾现象防错级联栅级充电

[发明专利]具有增强近红外量子效率及调制传递函数的CMOS图像传感器-CN201810635918.1有效
发明人：赵诚;杨存宇;陆震伟;林志强 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2018-06-20 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器包括：半导体材料，其具有受照表面及非受照表面；光电二极管，其形成于所述半导体材料中，从所述受照表面延伸以接收穿过所述受照表面的入射光，其中所述接收到的入射光在所述光电二极管中生成电荷；转移栅极，其电耦合到所述光电二极管以响应于转移信号从所述光电二极管转移所述所生成的电荷；浮动扩散，其电耦合到所述转移栅极以接收从所述光电二极管转移的所述电荷；及近红外NIR量子效率QE及调制传递函数MTF增强结构
具有增强红外量子效率调制传递函数 cmos 图像传感器

[发明专利]基于干法转移的碳纳米管阵列的柔性射频器件的制备方法-CN202211240966.3在审
发明人：严可;杨扬;霍帅;张勇;王元;李忠辉 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2022-10-11 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H10K10/46 文献下载
摘要：本发明公开一种基于干法转移的碳纳米管阵列的柔性射频器件的制备方法，具体为：1）刚性支撑层制备；2）碳纳米管阵列保护层制备；3）辅助层制备；4）全剥离揭膜；5）目标衬底贴附；6）阵列薄膜热释放转移；7）残胶清洗；8）低温退火；9）自上而下的图形化；10）定义栅极区域；11）栅极的制备。本发明利用硬质刚性材料对热释放胶的剥离过程进行机械支撑，使用金属保护层避免有机胶对碳纳米管薄膜材料的污染，并构建辅助层解决前两者在转移过程中的应力匹配问题，从而实现碳纳米管阵列向柔性衬底的完全剥离，无损高质量转移
基于转移纳米阵列柔性射频器件制备方法

[发明专利]光电二极管栅极介电保护层-CN201310456351.9有效
发明人：周正贤;许文义;曹淳凯;赖志育;卢玠甫;杜友伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-09-29 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及一种有源像素传感器及其相关的形成方法，其中，有源像素传感器具有在制造过程中降低对下面的栅极介电层的损害的栅极介电保护层。在一些实施例中，有源像素传感器具有设置在半导体衬底内的光电检测器。具有第一栅极结构的转移晶体管位于设置在半导体衬底之上的第一栅极介电层上。具有第二栅极结构的复位晶体管位于第一栅极介电层上。栅极介电保护层设置栅极氧化物上在第一栅极结构和第二栅极结构之间延伸的位置处以及位于光电检测器上方的位置处。栅极介电保护层保护第一栅极介电层在有源像素传感器的制造过程中免于蚀刻步骤。
光电二极管栅极保护层

[发明专利]用于显示面板的栅极驱动器、显示面板及显示器-CN201610683196.8有效
发明人：王照 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2016-08-17 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于显示面板的栅极驱动器，其包括：削角模块，被构造为：接收栅极导通电压信号以及方波控制信号，根据方波控制信号对栅极导通电压信号进行削角处理，以产生并输出削角栅极导通电压信号；电位转移模块，被构造为：接收削角栅极导通电压信号、输入电压信号以及栅极截止电压信号，根据输入电压信号的电压值输出削角栅极导通电压信号或者栅极截止电压信号。通过将削角模块集成到栅极驱动器中，无需在显示面板的CB板上设置削角电路，从而可以使CB板微小化。此外，当显示面板具有多个栅极驱动器时，由于每个栅极驱动器均具有削角的功能，可以实现每个栅极驱动器所对应区域的削角波形的独立控制，优化画面的显示效果。
用于显示面板栅极驱动器显示器

[发明专利]一种改善CMOS图像传感器性能的方法-CN202211491968.X在审
发明人：孙浩;米魁;程刘锁;王柯 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种改善CMOS图像传感器性能的方法，在P型衬底上形成N阱和位于N阱一侧的P阱；在P阱内靠近P型衬底上表面的区域分别形成第一、第二N+区；在P型衬底上表面分别形成位于N阱和P阱之间的转移管栅极和位于第一、第二N+区之间的复位管栅极；在N阱浅区域靠近转移管栅极一侧形成非晶化层；在非晶化层的下表面形成Pin阻挡层；形成自对准硅化物阻挡层，自对准硅化物阻挡层覆盖在非晶化层上表面并连续延伸至转移管栅极表面、第一
一种改善 cmos 图像传感器性能方法

[发明专利]一种提高量子效率的CMOS图像传感器-CN201810392924.9有效
发明人：孙德明 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
申请日： 2018-04-27 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高量子效率的CMOS图像传感器，包括位于衬底上的转移晶体管、PN光电二极管和石墨烯层，所述转移晶体管包括栅极、侧墙、栅介质层、漏区和源区，所述侧墙围绕在所述栅极周围，所述栅介质层位于所述侧墙和栅极的下方，所述源区和漏区分别位于所述栅介质层之下，且在垂直方向上位于栅极的两侧；所述PN光电二极管与所述转移晶体管的源区相连接，所述栅介质层延伸至覆盖所述PN光电二极管的上表面，所述PN光电二极管在远离衬底的方向依次形成
一种提高量子效率 cmos 图像传感器

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