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[发明专利]用于自动驾驶车辆的交通灯光检测和分类-CN202180004904.X在审
发明人： 柳政澔;李领昌 -专利权人：百度时代网络技术（北京）有限公司;百度（美国）有限责任公司
申请日： 2021-04-20 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： G05D1/02 文献下载
摘要：基于从安装在ADV上的多个传感器获得的传感器数据来感知驾驶环境，包括检测交通灯光，其中，多个传感器包括至少一个图像传感器。将第一传感器设置(402)应用于至少一个图像传感器以捕获第一帧，并且将第二传感器设置(403)应用于至少一个图像传感器以捕获第二帧。基于第一帧中的至少一个图像传感器的传感器数据来确定交通灯光的颜色。根据基于第一帧中的至少一个图像传感器的传感器数据确定的交通灯光的颜色和基于第二帧中的至少一个图像传感器的传感器数据感知的驾驶环境来控制ADV自动驾驶。
用于自动驾驶车辆交通灯光检测分类

[发明专利]传感器同步离线实验室验证系统-CN202010668088.X在审
发明人：张满江;吴官锡;张妍嫣;申耀明;柳政澔 -专利权人：百度(美国)有限责任公司
申请日： 2020-07-13 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： G01C25/00 文献下载
摘要：本公开描述了验证有源传感器和无源传感器之间的数据同步的各种实施例。根据验证有源传感器和无源传感器之间的传感器同步的示例性方法，同步设备从有源传感器接收第一信号，第一信号指示有源传感器已经向测量板发送激光点。响应于第一信号，同步设备向无源传感器发送第二信号以触发无源传感器捕获测量板的图像。同步验证应用可以根据第一信号和第二信号的定时执行测量板的图像的分析，以确定无源传感器和有源传感器是否彼此同步。
传感器同步离线实验室验证系统

[发明专利]用于高动态范围图像传感器的图像传感器像素-CN201710719643.5有效
发明人： 柳政澔;真锅宗平 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2014-03-03 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种用于高动态范围图像传感器的图像传感器像素包含第一光电二极管及第二光电二极管。所述第一光电二极管包含第一经掺杂区、第一经轻掺杂区及安置于所述第一经掺杂区与所述第一经轻掺杂区之间的第一经高掺杂区。所述第二光电二极管具有实质上等于所述第一光电二极管的第一全阱容量的第二全阱容量。所述第二光电二极管包含第二经掺杂区、第二经轻掺杂区及安置于所述第二经掺杂区与所述第二经轻掺杂区之间的第二经高掺杂区。所述第一光电二极管可用于测量低光且所述第二光电二极管可用于测量亮光。
用于动态范围图像传感器像素

[发明专利]用于高动态范围图像传感器的图像传感器像素-CN201710719097.5有效
发明人： 柳政澔;真锅宗平 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2014-03-03 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种用于高动态范围图像传感器的图像传感器像素包含第一光电二极管及第二光电二极管。所述第一光电二极管包含第一经掺杂区、第一经轻掺杂区及安置于所述第一经掺杂区与所述第一经轻掺杂区之间的第一经高掺杂区。所述第二光电二极管具有实质上等于所述第一光电二极管的第一全阱容量的第二全阱容量。所述第二光电二极管包含第二经掺杂区、第二经轻掺杂区及安置于所述第二经掺杂区与所述第二经轻掺杂区之间的第二经高掺杂区。所述第一光电二极管可用于测量低光且所述第二光电二极管可用于测量亮光。
用于动态范围图像传感器像素

[发明专利]图像传感器像素及多色图像传感器像素-CN201410785588.6有效
发明人： 柳政澔;真锅宗平 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2014-12-17 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请案涉及一种图像传感器像素及一种多色图像传感器像素。图像传感器像素包含第一光电二极管、第二光电二极管、第一微透镜、第二微透镜及滤光片。所述第一及第二光电二极管在半导体材料中邻近于彼此而安置。所述第一光电二极管具有实质上等于所述第二光电二极管的第二最大阱容的第一最大阱容。所述第一微透镜安置在所述第一光电二极管上且所述第二微透镜安置在所述第二光电二极管上。所述第二微透镜与所述第一微透镜实质上相同。所述滤光片安置在所述第二微透镜与所述第二光电二极管之间以减小入射在所述第二光电二极管上的图像光的强度。所述滤光片不实质上影响朝向所述第一光电二极管引导的图像光。
光电二极管微透镜图像传感器像素滤光片多色图像传感器安置图像光像素半导体材料申请案引导的减小入射邻近

[发明专利]用于高动态范围图像传感器的图像传感器像素-CN201410074474.0有效
发明人： 柳政澔;真锅宗平 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2014-03-03 - 公布日： 2018-01-23 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种用于高动态范围图像传感器的图像传感器像素包含第一光电二极管及第二光电二极管。所述第一光电二极管包含第一经掺杂区、第一经轻掺杂区及安置于所述第一经掺杂区与所述第一经轻掺杂区之间的第一经高掺杂区。所述第二光电二极管具有实质上等于所述第一光电二极管的第一全阱容量的第二全阱容量。所述第二光电二极管包含第二经掺杂区、第二经轻掺杂区及安置于所述第二经掺杂区与所述第二经轻掺杂区之间的第二经高掺杂区。所述第一光电二极管可用于测量低光且所述第二光电二极管可用于测量亮光。
用于动态范围图像传感器像素

[发明专利]用于减少像素单元噪声的方法、设备及系统-CN201310113035.1有效
发明人：真锅宗平;柳政澔 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2013-04-02 - 公布日： 2017-09-05 - 主分类号： H04N5/3745 文献下载
摘要：本发明涉及一种电路，其用于减少图像传感器中的信号噪声特性。在一实施例中，位线迹线片段位于源极跟随器电力迹线与额外迹线的相邻的相应片段之间，所述额外迹线将在像素单元读出的时间周期期间保持在第一电压电平处。在另一实施例中，对每一此迹线片段来说，所述迹线片段与这些迹线片段的相应的相邻另一者之间的最小间隔大体上等于或小于某一最大长度，以在所述位线迹线与一个或一个以上其它迹线之间提供寄生电容。
用于减少像素单元噪声方法设备系统

[发明专利]借助转移栅极升压读出图像传感器的方法-CN201410165300.5有效
发明人：真锅宗平;柳政澔 -专利权人：全视科技有限公司
申请日： 2014-04-23 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： H04N5/378 文献下载
摘要：本申请案涉及一种借助转移栅极升压读出图像传感器的方法。图像传感器包含光敏区、转移晶体管及一个或一个以上共享电荷/电压机构。一种用于读出所述图像传感器的方法包含启用第一转移晶体管以将光生电荷从第一光敏区转移到共享电荷/电压机构。所述方法还包含在将所述光生电荷从所述第一光敏区转移到所述共享电荷/电压机构时不多于部分地启用第二转移晶体管以部分地接通所述第二转移晶体管以增加所述共享电荷/电压机构的电容。
借助转移栅极升压读出图像传感器方法

[发明专利]具有固定电位输出晶体管的图像传感器-CN201310168391.3有效
发明人：真锅宗平;柳政澔 -专利权人：全视科技有限公司
申请日： 2013-05-09 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有固定电位输出晶体管的图像传感器。图像传感器像素包括光敏区及像素电路。所述光敏区响应于入射在所述图像传感器上的光而积累图像电荷。所述像素电路包括传送存储晶体管、电荷存储区域、输出晶体管及浮动扩散区。所述传送存储晶体管耦合在所述光敏区与所述电荷存储区域之间。所述输出晶体管具有耦合在所述电荷存储区域与所述浮动扩散区之间的沟道且具有连接到固定电压电位的栅极。所述传送存储晶体管引起所述图像电荷从所述光敏区传送到所述电荷存储区域以及从所述电荷存储区域传送到所述浮动扩散区。
具有固定电位输出晶体管图像传感器

[发明专利]具有浮动扩散开关的成像传感器像素和系统及其操作方法-CN201310104010.5在审
发明人： 柳政澔 -专利权人：全视科技有限公司
申请日： 2013-03-28 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H04N5/369 文献下载
摘要：本申请案涉及具有浮动扩散开关的成像传感器像素和系统及其操作方法。本发明的实施例描述利用双浮动扩散开关来增强具有多个光敏元件的像素的动态范围。在所述光敏元件的浮动扩散节点之间插入双浮动扩散开关允许针对像素的每一光敏元件控制和选择转换增益。此外，在利用光敏元件用于高转换增益的实施例中，相应光敏元件的高转换增益的值可能由于浮动扩散节点之间的分离而增加，从而实现针对低光条件的高敏感性。
具有浮动扩散开关成像传感器像素系统及其操作方法

[发明专利]具有自对准沟道宽度的晶体管-CN201210399143.5有效
发明人： 柳政澔;真锅宗平 -专利权人：全视科技有限公司
申请日： 2012-10-19 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明涉及具有自对准沟道宽度的晶体管。一种装置包含晶体管，所述晶体管包含：源极及漏极，其安置于衬底中；及栅极，其安置于所述衬底上面。所述栅极包含安置于所述源极及所述漏极上面且大致平行于所述晶体管的沟道延续的第一纵向部件。所述第一纵向部件安置于第一结隔离区域上方。所述栅极还包含安置于所述源极及所述漏极上面且大致平行于所述晶体管的所述沟道延续的第二纵向部件。所述第二纵向部件安置于第二结隔离区上方。所述栅极还包含大致垂直于所述晶体管的所述沟道延续且将所述第一纵向部件连接到所述第二纵向部件的横向部件。所述横向部件安置于所述源极及所述漏极上面以及其之间。
具有对准沟道宽度晶体管

[发明专利]减少闪烁的图像传感器及其制备方法-CN200610075339.3有效
发明人： 柳政澔;李德炯;郑熙根;严甲成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-04-10 - 公布日： 2006-11-08 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种减少闪烁的图像传感器及其制备方法，图像传感器包括有源像素阵列和连接到所述有源像素阵列的控制电路。有源像素阵列包括多个第一栅极介电层，控制电路包括多个第二栅极介电层，其中第一栅极介电层是等离子氮化的氧化硅层。
减少闪烁图像传感器及其制备方法

[发明专利]具有非平面晶体管的固态图像传感器设备及其制造方法-CN200510118129.3有效
发明人： 柳政澔 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-10-20 - 公布日： 2006-08-02 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供了CMOS图像传感器设备以及制造该设备的方法，其中用具有垂直栅电极和沟道的非平面晶体管设计有源像素传感器，这可最小化图像滞后和暗电流的影响。
具有平面晶体管固态图像传感器设备及其制造方法

[发明专利]用于电荷转移元件的信号电荷转换器-CN200410099771.7无效
发明人：卢宰燮;李德炯;南丁铉;柳政澔;金利泰;孔海庆 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-12-16 - 公布日： 2005-09-28 - 主分类号： H01L27/148 文献下载
摘要：一种用于将信号电荷转换成电压的信号转换器，包括用于接收信号电荷的第一级的第一驱动器FET。后续驱动器FET连接到第一驱动器FET的输出端，且减少了后续驱动器FET的栅极电介质厚度。后续驱动器FET用于第二级或用于第三级。后续驱动器FET的栅极电介质厚度的减少增加了电压增益AV_total，而不会降低电荷转移效率，因此增强了信号转换器的整体灵敏度。
用于电荷转移元件信号转换器

[发明专利]偏置电路、固态成像装置及其制造方法-CN200510053008.5无效
发明人： 柳政澔;南丁铉;卢宰燮 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-03-04 - 公布日： 2005-09-07 - 主分类号： H01L27/148 文献下载
摘要：一种用于电荷耦合器件(CCD)的偏置电路，包括：一个或多个晶体管和一个非易失性存储单元，它们串联连接在第一电势节点和第二电势节点之间，并且被配置为在所述非易失性存储器和所述一个或多个晶体管之一之间的一个节点上产生偏压。所述一个或多个晶体管可以包括：在所述非易失性存储单元的第一端和所述第一电势节点之间串联耦合的一个或多个晶体管；在所述非易失性存储单元的第二端和所述第二电势节点之间串联耦合的一个或多个晶体管。所述非易失性存储单元可以包括快闪存储单元，例如叠层栅型快闪存储单元和/或分割栅型快闪存储单元。
偏置电路固态成像装置及其制造方法

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