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[实用新型]一种多功能茶叶展示架-CN202120987930.6有效
发明人：莫红芳;揭凯;冯高;熊晓妍;何东贤;覃振斌;黄金华;奚玉莲;陈炬渊;易纹丞;黄梅凤;徐新惠;檀璐潞;谢标初;马乾中 -专利权人：广西农业职业技术学院
申请日： 2021-05-10 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： A47F7/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种多功能茶叶展示架，包括背板、斜板和两块相对设置的侧板，所述斜板从上而下设置有多块陈列板，所述陈列板和斜板可转动连接，所述陈列板和斜板之间设置有锁定机构以使所述陈列板与斜板呈不同夹角进行固定。本实用新型的多功能茶叶展示架在展示罐装茶叶时，可将陈列板支起来，用锁定机构进行锁定，形成平整的展示台面，可以稳定地承托平底的茶叶罐将罐装茶叶产品的正面展示给顾客；在展示多种其他包装的茶叶产品时，可以自行调整陈列板的位置，通过不同的组合实现最佳的产品展示效果。
一种多功能茶叶展示

[发明专利]全局快门高动态范围像素及影像传感器-CN201610969736.9有效
发明人：李永忠;邱奕诚;徐新惠;邱瑞德;刘汉麒 -专利权人：原相科技股份有限公司
申请日： 2016-10-28 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： H04N5/355 文献下载
摘要：本发明提出一种全局快门高动态范围像素及影像传感器。全局快门高动态范围像素包括：光感测单元、浮动扩散节点、第一电荷转移单元、第二电荷转移单元及像素讯号输出单元。第一电荷转移单元至少包括金属氧化物半导体电容，以暂时储存从光感测单元转移而来的至少部分感测电荷。金属氧化物半导体电容根据控制讯号而导通/不导通，由此在金属氧化物半导体电容自身的内部形成有栅极感应位能阱，藉以控制至少部分感测电荷的转移。
全局快门动态范围像素影像传感器

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN201910433747.9在审
发明人：孙志铭;徐新惠;蔡明翰 -专利权人：原相科技股份有限公司
申请日： 2015-06-16 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明提出一种半导体元件及其制造方法。半导体元件的制造方法包括：提供基板；于基板上形成半导体堆叠结构；于半导体堆叠结构上形成堆叠覆盖层的至少一部分，其中堆叠覆盖层的至少一部分包括氮化层；移除氮化层的一部分；完成堆叠覆盖层的所有部分；于堆叠覆盖层上形成保护层，并蚀刻保护层，以形成至少一开孔，其中氮化层未被开孔所暴露；以及从开孔通入一蚀刻材料，以蚀刻基板。本发明另提出一种采用上述方法形成的半导体元件。
半导体元件覆盖层堆叠氮化层开孔半导体堆叠结构基板制造蚀刻保护层蚀刻材料蚀刻基板保护层移除暴露

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN201510332823.9有效
发明人：孙志铭;徐新惠;蔡明翰 -专利权人：原相科技股份有限公司
申请日： 2015-06-16 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明提出一种半导体元件的制造方法。半导体元件的制造方法包括：提供基板；于基板上形成半导体堆叠结构；于半导体堆叠结构上形成堆叠覆盖层的至少一部分，其中堆叠覆盖层的至少一部分包括氮化层；移除氮化层的一部分；完成堆叠覆盖层的所有部分；于堆叠覆盖层上形成保护层，并蚀刻保护层，以形成至少一开孔，其中氮化层未被开孔所暴露；以及从开孔通入一蚀刻材料，以蚀刻基板。本发明另提出一种采用上述方法形成的半导体元件。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]具有增强结构强度的微机电元件-CN201610824062.3有效
发明人：孙志铭;蔡明翰;徐新惠;王维中 -专利权人：原相科技股份有限公司
申请日： 2013-10-14 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种具有增强结构强度的微机电元件，包含多个金属层，多个金属层包含一最上金属层，此最上金属层包含多个独立金属段；其中，该多个独立金属段分别通过至少一支持柱以连接至相邻的金属层，且在该最上层独立金属段与该相邻的金属层之间除了支持柱外，无介电层设置于其中；除该最上金属层外，其余金属层分别通过至少一支持柱及一介电层而与相邻的金属层彼此连接。
具有增强结构强度微机元件

[发明专利]具有低基板电耦合效应的微机电元件-CN201410513985.8有效
发明人：蔡明翰;徐新惠 -专利权人：原相科技股份有限公司
申请日： 2014-09-29 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种具有低基板电耦合效应的微机电元件，通过一CMOS半导体制程所制作，其中包含一基板；至少一锚部，包含一氧化层、以及位于该氧化层上方的连接结构，该氧化层与该基板连接；以及至少一微机电结构，连接于该连接结构。该氧化层的制作步骤与厚度对应于CMOS半导体制程中定义晶体管元件区的场氧化区。该连接结构至少其中一层的出平面投影面积小于该氧化层的出平面投影面积。该基板面向该微机电结构的一侧设有多个凹状结构。
具有低基板电耦合效应微机元件

[发明专利]微电子装置及制造方法、微机电封装结构及封装方法-CN201410429767.6有效
发明人： 徐新惠;李昇达;王传蔚 -专利权人：原相科技股份有限公司
申请日： 2009-09-02 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明是有关于一种微电子装置及制造方法、微机电封装结构及封装方法，其中该微电子装置的制造方法，其先在基底的CMOS电路区内形成半导体元件，接着在基底上形成多层金属层、多个接触窗、多层氧化层与第一保护层，其中第一保护层位于至少一层氧化层上，且这些金属层与氧化层交错层叠，而接触窗形成于氧化层内，并连接至对应的金属层，以于基底的微机电区上构成微机电结构，并于CMOS电路区上构成内连线结构。然后，在内连线结构上形成第二保护层。之后，移除微机电区上的部分氧化层，以使微机电结构部份地悬于基底上方。由于CMOS电路与微机电元件可整合至同一工艺中完成，因此可降低微电子装置的生产成本。另外，本发明还提供一种微电子装置与微机电封装结构及其封装方法。
微电子装置制造方法微机封装结构

[发明专利]具有增强结构强度的微机电元件-CN201310478753.9有效
发明人：孙志铭;蔡明翰;徐新惠;王维中 -专利权人：原相科技股份有限公司
申请日： 2013-10-14 - 公布日： 2015-04-29 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种具有增强结构强度的微机电元件，包含多个金属层，多个金属层包含一最上金属层，此最上金属层包含多个独立金属段；其中，该多个独立金属段分别通过至少一支持柱以连接至相邻的金属层，且在该最上层独立金属段与该相邻的金属层之间除了支持柱外，无介电层设置于其中；除该最上金属层外，其余金属层分别通过至少一支持柱及一介电层而与相邻的金属层彼此连接。
具有增强结构强度微机元件

[发明专利]微机电封装结构及其制造方法-CN201010198045.6有效
发明人： 徐新惠;李升达;王传蔚 -专利权人：原相科技股份有限公司
申请日： 2010-06-11 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：一种微机电封装结构的制造方法，其先于基底上形成内连线结构与微机电结构。接着，在内连线结构与微机电结构上方形成具有第一开口与第二开口的膜层。之后，以第一开口及第二开口为蚀刻通道移除部分的氧化层，以形成相连通的第一空腔与第二空腔，并使微机电结构位于第一空腔内的部分悬于基底上方。然后，在真空环境下密封位于微机电结构上方的第二开口，之后在非真空环境下于形成封装件密封位于内连线结构上方的第一开口，以将微机电结构密封于第一空腔内。本发明还提供一种通过该制造方法形成的微机电封装结构。由于本发明的微机电封装结构能够在低温环境下制成，因此可减少微机电结构遭受高温而损坏的情况发生。
微机封装结构及其制造方法

[发明专利]改善钨沉积拓朴形貌的微机电系统光罩与方法-CN201010163295.6无效
发明人： 徐新惠;王传蔚;李昇达;吕志宏 -专利权人：原相科技股份有限公司
申请日： 2010-04-14 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种改善钨沉积拓朴形貌的微机电系统光罩，包含：交会图案，其由至少两不小于最小设计线宽的线段交会形成，且于该交会处的转角，形成由该转角处向该交会处的中心点延伸，使该交会处宽度相对小的凹入图案，其中，该光罩所定义的线段用以制作沟槽，以供沉积填入钨而构成微机电系统的一部份，且所填入的钨表面最低高度不低于沟槽表面高度的80％。
改善沉积拓朴形貌微机系统方法

[发明专利]微机电元件及微机电弹簧元件-CN200910211938.7有效
发明人：王传蔚;李昇达;徐新惠 -专利权人：原相科技股份有限公司
申请日： 2009-12-03 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明是有关于一种微机电元件及微机电弹簧元件，其中该微机电弹簧元件，包括基底、固定部以及可动部。其中，固定部固定在基底上。可动部具有连接于固定部的第一端与悬浮于基底上方的第二端，并且包括多层金属层以及连接于相邻的金属层之间的支撑层，而支撑层与其所连接的这些金属层之间具有中空区域。由于上述微机电弹簧元件采用中空结构，因此可避免在微机电弹簧元件受环境或封装温度变化时，因金属层与其间的膜层的热膨胀系数不同而导致可动部弯曲变形，从而确保微机电弹簧元件具有良好的工作性能。
微机元件弹簧

[发明专利]微机电系统芯片及其制作方法-CN200910246797.2有效
发明人：王傅蔚;李昇达;徐新惠;王维中 -专利权人：原相科技股份有限公司
申请日： 2009-12-01 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种微机电系统芯片及其制作方法。该微机电系统芯片包含：第一基板，其具有相对的第一表面与第二表面；位于第一表面的微电子电路元件区；位于第二表面的第一微机电元件区；以及将该微电子电路元件区与该第一微机电元件区电性连接的导线结构。
微机系统芯片及其制作方法

[发明专利]光学式侦测方法、光学式微机电侦测计及其制法-CN200910246798.7无效
发明人：王传蔚;徐新惠;吕志宏 -专利权人：原相科技股份有限公司
申请日： 2009-12-01 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种光学式侦测方法、光学式微机电侦测计及其制法，该光学式微机电侦测计，包含：一个基板；在该基板一区域内的至少一个光电二极管；位在该基板上方的隔离壁，包围该光电二极管区域；以及在该光电二极管上方的至少一个动件，该至少一个动件具有开孔可容许光线穿越到达光电二极管，其中于该至少一个动件移动时，改变穿越该开孔到达光电二极管的光量。
光学侦测方法式微机电及其制法

[发明专利]微电子装置及其微机电共振器的制造方法-CN200910171679.X有效
发明人：王传蔚;李昇达;徐新惠 -专利权人：原相科技股份有限公司
申请日： 2009-09-04 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明是有关于一种微电子装置及其微机电共振器的制造方法。该微机电共振器的制造方法，其是先形成具有待悬浮部的层叠主体，其包括硅基底、多层金属层及隔离层，并具有自金属层延伸至硅基底内的第一蚀刻通道，而隔离层填于第一蚀刻通道内。接着移除部分隔离层，以形成第二蚀刻通道，且隔离层剩余的部分覆盖住第一蚀刻通道的侧壁。然后，以覆盖于第一蚀刻通道的侧壁的隔离层为掩模，通过第二蚀刻通道等向性蚀刻硅基底，而形成悬在硅基底上的微机电共振器。上述微机电共振器的制造方法可与CMOS电路的制造工艺相整合，因此可简化微电子装置的制造工艺，进而降低其生产成本。另，本发明还提供一种微电子装置。
微电子装置及其微机共振器制造方法

[实用新型]防止沾黏的微机电结构-CN201020004173.8有效
发明人：王传蔚;李昇达;徐新惠 -专利权人：原相科技股份有限公司
申请日： 2010-01-20 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种防止沾黏的微机电结构，包含：基板；以及位于基板上的至少两结构层，其中至少一结构层为动件，该两结构层之一设有凸块，以防止该动件与其它结构部份沾黏。
防止微机结构

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