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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]发光晶体管-CN202110986411.2有效
发明人：时玉萌;周科 -专利权人：深圳大学
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H10K50/30 文献下载
摘要：本申请属于发光器件技术领域，尤其涉及一种发光晶体管，包括：半导体材料组成的发光层，设于所述发光层一侧的栅极，设于所述发光层另一侧的源极和漏极；所述栅极与所述发光层之间设有栅极绝缘层，所述栅极绝缘层的材料包括有机绝缘材料和掺杂在所述有机绝缘材料中的有机荧光染料，所述有机荧光染料与所述发光层的半导体材料能发生荧光共振能量转移。该发光晶体管基于荧光共振能量转移将该发光层的半导体材料形成的激子能量转移至有机荧光染料掺杂的栅极绝缘层发光，从而既可以实现电荷传输和发光层分离，同时充分发挥半导体材料的特性，使得该发光晶体管在保持其高迁移率的同时
发光晶体管

[发明专利]栅极的制造方法-CN200610119061.5有效
发明人：张海洋;杜珊珊;刘乒;马擎天 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-12-04 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种栅极的制造方法，包括；提供一半导体基底，在所述半导体基底上形成导电层；在所述导电层上旋涂光刻胶层并进行图形化，形成栅极图案；通过刻蚀将所述栅极图案转移到所述导电层上；测量所述栅极的线宽并判断所述栅极底部是否有足形缺陷，对具有足形缺陷的栅极进行定向等离子体刻蚀。该方法形成的栅极具有较好的侧壁轮廓。
栅极制造方法

[发明专利]图像传感器-CN202211686674.2在审
发明人：李梦;卢意飞;孙德明 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请提供一种图像传感器，涉及半导体技术领域，用于解决电荷转移噪声和集成度难以兼顾的技术问题，该图像传感器包括：具有多个光电掺杂区的衬底；设置在衬底上的多个栅极结构，每个栅极结构包括栅极，以及位于栅极和衬底之间的栅介质层，每个栅极在衬底上的正投影与所有的光电掺杂区均具有部分重合区；多个读出电路，多个读出电路与多个光电掺杂区一一对应且电连接，每个读出电路包括晶体管。利用光电掺杂区及栅极结构，以实现无噪声电荷信号转移，保证电荷信号传输效率。利用读出电路的多个晶体管可以实现电压信号的高速读出，读出电路、光电掺杂区及栅极结构通过半导体制备工艺进行制作，便于提高集成度。
图像传感器

[发明专利]成像设备、成像方法、制造设备、制造方法和电子设备-CN201410460817.7有效
发明人：熊谷至通;阿部高志;山下和芳 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2014-09-11 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：提供一种成像设备，其包括光电转换部、保持部和第一栅极和第二栅极。光电转换部构造为将接收光转换为电荷。保持部构造为保持由光电转换部所提供的电荷。第一栅极和第二栅极设置在光电转换部和保持部之间，第一栅极和第二栅极在将电荷从光电转换部转移至保持部的情况下导通，并且第二栅极在第一栅极截止后截止。
成像设备方法制造电子设备

[发明专利]图像传感器-CN202310380792.9在审
发明人：李周熹;任东模;梁至希;李泰宪;林智焄 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器包括：衬底；光电转换区域，所述光电转换区域位于所述衬底中，所述衬底在所述光电转换区域上限定衬底沟槽；浮置扩散区域，所述浮置扩散区域在所述衬底中与所述衬底沟槽的侧表面相邻；栅极电介质膜，所述栅极电介质膜沿着所述衬底沟槽的所述侧表面和下表面延伸；以及转移栅电极，所述转移栅电极包括在所述栅极电介质膜上填充所述衬底沟槽的一部分并且具有第一宽度的下栅极和位于所述下栅极上并且具有小于所述第一宽度的第二宽度的上栅极。所述栅极电介质膜包括下电介质膜和上电介质膜，所述下电介质膜介于所述衬底和所述下栅极之间并且具有第一厚度，所述上电介质膜与所述浮置扩散区域相邻并且具有大于所述第一厚度的第二厚度。
图像传感器

[发明专利]低VIN高效电荷泵-CN201910400170.1有效
发明人： J·B·迪恩 -专利权人：亚德诺半导体无限责任公司
申请日： 2019-05-15 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：一种电荷泵电路，包括：第一电荷转移电路路径，耦合包括耦合到第一时钟输入的第一升压电容器、耦合到电路输入的第一充电开关以及耦合到电路输出的第一放电开关；第二电荷转移电路路径，包括耦合到第二时钟输入的第二升压电容器、耦合到电路输入的第二充电开关以及耦合到电路输出的第二放电开关；第一充电控制电路，包括耦合到第一充电开关的栅极输入的第一栅极开关、以及耦合到第二充电开关的栅极输入的第一栅极驱动电容器；以及第二充电控制电路，包括耦合到第二充电开关的栅极输入的第二栅极开关、以及耦合到第一充电开关的栅极输入的第二栅极驱动电容器。
vin 高效电荷

[发明专利]图像传感器-CN201711344138.3有效
发明人：李贵德;李泰渊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H04N25/00 文献下载
摘要：公开了一种图像传感器，包括：光敏元件，响应于入射光来生成电荷；存储二极管，形成在衬底中，其中存储二极管存储由光敏元件生成的电荷；浮置扩散区域，形成在衬底的顶面中并且与存储二极管间隔开；以及转移栅极，至少部分地埋置在衬底的顶面的下方，其中转移栅极控制电荷从存储二极管向浮置扩散区域转移。
图像传感器

[发明专利]一种带使能检测和掉电保护的高压差电平转移电路-CN202210947749.1有效
发明人：邹永成 -专利权人：成都市安比科技有限公司
申请日： 2022-08-09 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：本发明公开了一种带使能检测和掉电保护的高压差电平转移电路，涉及集成电路技术领域，使能检测和掉电检测输出控制信号至MOS管P0和N0的栅极，P0的源极连接AVD，漏极连接P1和P2的源极，P1的栅极连接P2和N6的漏极，P2的栅极连接P1和N5的漏极；两个反相器差分输入MOS管N1和N2的栅极，N1和N2源极接地，N1漏极与N5源极连接，N2漏极与N6源极连接；M1源极连接AVD，漏极连接N5和N6的栅极，M1栅极连接M2的栅极和漏极，M2的源极接地；N6的漏极连接缓冲器后输出电平转移后的电压信号。本发明添加了耐压隔离器件，节省中间电平转换，完成了高压差的电平转移，节省功耗和面积。
一种带使能检测掉电保护高压电平转移电路

[发明专利]U形栅极的形成方法-CN201510624106.3有效
发明人：桑宁波;李润领;关天鹏 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-09-27 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种U形栅极的形成方法，包括：在硅片中形成有源区和浅沟槽隔离；在硅片上依次形成栅氧化层和栅极多晶硅薄膜，在栅极多晶硅薄膜上沉积硬掩模层；布置光刻胶，并且对光刻胶进行第一次光刻以形成H型图案，并且通过干法刻蚀将H型图案转移到硬掩模上；旋涂填充材料将硬掩模上的H型图案填平；随后布置光刻胶并进行第二次光刻，形成用于将硬掩模上的H型图案切断以形成U形图案的光刻胶图案；通过干法刻蚀将所述光刻胶图案转移到硬掩模上以形成U形图案；进行最终刻蚀将硬掩模上的U形图案转移到多晶硅上形成U形栅极。
栅极形成方法

[发明专利]用于提供白天场景和夜间场景的改进的图像的系统-CN201380031880.2有效
发明人：约阿夫·格劳尔;奥弗·大卫;亚阿拉·大卫;海姆·加滕;艾伦·克雷勃伊姆;莎伦·利夫希茨;奥伦·谢赫 -专利权人：布莱特瓦维森有限公司
申请日： 2013-04-17 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H04N3/14 文献下载
摘要：该系统包括在单像素级具有完全掩蔽的栅极断开能力的像素阵列传感器，其中，像素阵列传感器在单像素级设置有固有的抗高光溢出能力；其中，通过相应的具有高转移栅极效率的转移栅极晶体管对每个像素进行栅控。该系统还包括栅控单元和处理单元，该栅控单元被配置为用脉冲或连续波调制的有源光源和无源光源控制转移栅极晶体管以从传感器产生同步感测信号，其中单个脉冲足以覆盖传感器的整个视场和照射的场景的整个景深；处理单元被配置为接收同步的感测信号并对其进行处理
每次读出多个栅控像素

[发明专利]固态成像装置、其制造方法以及电子信息设备-CN201280037073.7无效
发明人：小西武文 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2012-05-24 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：固态成像装置100a包括：光电变换元件PD1和PD2，其形成在半导体衬底100内；以及转移晶体管Tt1和Tt2，其形成在半导体衬底100的第一主表面上，用于转移由光电变换元件PD1和PD2生成的信号电荷转移晶体管中的每一个的栅极电极107被配置成，配置在电荷累积区102的第一主表面侧的表面上，所述电荷累积区102配置光电变换元件中的每一个。栅极电极107被配置有多晶硅栅极层107a和由用于覆盖多晶硅栅极层107a的表面的由高熔点金属硅化物层107b构成的反射膜。结果，针对固态成像装置实现灵敏度的改善。
固态成像装置制造方法以及电子信息设备

[发明专利]利用部分转移栅极脉冲处理和数字累加来执行高动态范围成像的系统和方法-CN202011149971.4在审
发明人： R·潘尼卡西 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2020-10-23 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H04N5/355 文献下载
摘要：本发明题为“利用部分转移栅极脉冲处理和数字累加来执行高动态范围成像的系统和方法”。本发明公开了一种图像传感器系统，该图像传感器系统可包括图像传感器像素阵列。当读出该多个子帧时，可仅使电荷转移栅极脉冲部分地生效，使得满阱电荷的仅一部分被排出。使该电荷转移栅极脉冲部分地生效允许排出高光信号而不干扰低光信号。应通过使该电荷转移栅极脉冲完全生效来读出最后一个子帧，以确保该整个阱电荷被排出。可使用数字累加电路来对从该多个子帧所收集的数据进行累加。该阵列的该其余部分可以标称帧速率读出。
利用部分转移栅极脉冲处理数字累加执行动态范围成像系统方法

[实用新型]图像传感器和成像像素-CN201621200771.6有效
发明人： J·海耐克 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2016-11-08 - 公布日： 2017-08-15 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：图像传感器包括成像像素，成像像素包括第一衬底；第二衬底；在第一衬底中形成的光电二极管；在第一衬底中形成的第一电荷转移栅极和第二电荷转移栅极；在第二衬底中形成的第一电荷存储区和第二电荷存储区；以及第一互连层和第二互连层，其中第一互连层将第一电荷转移栅极耦接到第一电荷存储区，并且其中第二互连层将第二电荷转移栅极耦接到第二电荷存储区。
图像传感器成像像素

[发明专利]多栅极薄膜晶体管-CN201380038720.0有效
发明人：约翰·贤哲·洪;金天弘;冯子青 -专利权人：高通MEMS科技公司
申请日： 2013-07-12 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供多栅极晶体管、结构、装置、设备、系统及有关工艺的实施方案。在一个方面中，一种装置包含布置在衬底之上的薄膜半导体层。漏极及源极耦合到所述半导体层。所述装置还包含第一栅极、第二栅极及第三栅极，其皆邻近所述半导体层而布置且经配置以分别接收第一控制信号、第二控制信号及第三控制信号。介电层使所述栅极与所述半导体层及彼此绝缘。在第一模式中，所述第一栅极、所述第二栅极及所述第三栅极经配置以使得电荷存储在邻近所述第二栅极的所述半导体层的区中的势阱中。在第二模式中，所述第一栅电极、所述第二栅电极及所述第三栅电极经配置以使得所述所存储电荷穿过邻近所述第三栅电极的所述半导体层的所述区转移且穿过所述源极转移到负荷。
栅极薄膜晶体管

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN200610026761.X有效
发明人：吴金刚;高关且;高大为;罗飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-05-22 - 公布日： 2007-11-28 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：在一半导体衬底上，依次形成氧化硅层，多晶硅层，金属硅化物层和氮化硅层；通过光刻将栅极图案转移到所述膜层上形成栅极；对形成的栅极进行高温退火处理。
半导体器件制造方法

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