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[发明专利]固态成像装置以及摄像机-CN201310232383.0有效
发明人：丸山康;山口哲司;安藤崇志;桧山晋;大岸裕子 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2007-02-25 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种固态成像装置，包括具有第一表面和第二表面的衬底，光入射在第二表面侧；设置在第一表面侧的布线层；形成在衬底中且包括第一导电类型的第一区的光电检测器；设置在衬底的第一表面上且邻近光电检测器的转移栅极，转移栅极传输积累在光电检测器中的信号电荷；设置在衬底的第一表面且叠置在光电检测器上的至少一个控制栅极，控制栅极控制第一表面附近该光电检测器的电势。
固态成像装置以及摄像机

[发明专利]固态成像装置及其制造方法、以及摄像机-CN201210551421.4有效
发明人：丸山康;山口哲司;安藤崇志;桧山晋;大岸裕子 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2007-02-25 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种固态成像装置，包括具有第一表面和第二表面的衬底，光入射在第二表面侧；设置在第一表面侧的布线层；形成在衬底中且包括第一导电类型的第一区的光电检测器；设置在衬底的第一表面上且邻近光电检测器的转移栅极，转移栅极传输积累在光电检测器中的信号电荷；设置在衬底的第一表面且叠置在光电检测器上的至少一个控制栅极，控制栅极控制第一表面附近该光电检测器的电势。
固态成像装置及其制造方法以及摄像机

[发明专利]固态成像装置及其制造方法、以及摄像机-CN200710128250.3有效
发明人：丸山康;山口哲司;安藤崇志;桧山晋;大岸裕子 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2007-02-25 - 公布日： 2007-11-28 - 主分类号： H04N5/335 文献下载
摘要：本发明提供一种固态成像装置，包括具有第一表面和第二表面的衬底，光入射在第二表面侧；设置在第一表面侧的布线层；形成在衬底中且包括第一导电类型的第一区的光电检测器；设置在衬底的第一表面上且邻近光电检测器的转移栅极，转移栅极传输积累在光电检测器中的信号电荷；设置在衬底的第一表面且叠置在光电检测器上的至少一个控制栅极，控制栅极控制第一表面附近该光电检测器的电势。
固态成像装置及其制造方法以及摄像机

[发明专利]图像传感器及其像素组和像素阵列-CN202111464513.4在审
发明人：李承俊;李景镐;尹浈斌;金智勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：第一至第四单位像素中的每个包括在半导体衬底中的光电转换元件以及在半导体衬底中并在垂直于半导体衬底的表面的垂直方向上延伸的一对垂直转移栅极。该对垂直转移栅极将光电转换元件收集的光电荷转移到公共浮置扩散区。通过经由公共浮置扩散区的共用结构和垂直转移栅极的对称结构来增大单位像素的感测灵敏度，图像质量得到提高。
图像传感器及其像素阵列

[发明专利]一种用于控制桥式驱动电路的栅极驱动电路-CN201010222197.5有效
发明人：姚海霆 -专利权人：日银IMP微电子有限公司
申请日： 2010-07-02 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于控制桥式驱动电路的栅极驱动电路，包括采用CMOS工艺生产的低压侧控制芯片和高压侧控制芯片、采用高压隔离制造工艺生产的电平转移芯片，低压侧控制芯片主要由控制逻辑模块和低压侧驱动模块集成，电平转移芯片主要由电平转移模块集成，高压侧控制芯片主要由高压侧驱动模块集成，优点在于将集成所有模块的单芯片分成三个芯片来实现，采用高压隔离制造工艺技术只生产电平转移模块，而对于控制逻辑模块、低压侧驱动模块和高压侧驱动模块则采用CMOS工艺生产，将该栅极驱动电路封装成一个集成电路，与现有的栅极驱动芯片相比，降低了生产工艺的复杂程度，减少了芯片面积，降低了生产成本，且有利于设计出性能更加复杂的电路。
一种用于控制驱动电路栅极

[发明专利]一种图像传感器及其制作方法-CN201910411774.6在审
发明人：祁荣斐;王淞山;李超;许爱春;孔翠翠;赵强 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种图像传感器及其制作方法，该图像传感器包括衬底、转移栅沟槽及转移栅结构，其中，衬底中埋设有光电二极管，转移栅沟槽位于自衬底顶面开口，并往光电二极管方向延伸，且转移栅沟槽的底面高于光电二极管的顶面，转移栅结构位于转移栅沟槽中并包括转移栅介质层及L型转移栅导电层，转移栅介质层位于转移栅沟槽与L型转移栅导电层之间，L型转移栅导电层包括水平导电部与垂直导电部，垂直导电部连接于水平导电部的一端，且垂直导电部的横截面宽度小于水平导电部的横截面宽度本发明中，由于L型转移栅导电层具有较宽的水平导电部，可以增大转移栅极与光电二极管的接触面积，增强栅极对光电二极管的控制能力，从而减小图像延迟几率。
转移栅导电部光电二极管导电层图像传感器垂直介质层衬底衬底顶面方向延伸控制能力图像延迟转移栅极底面顶面减小制作开口

[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法-CN200710300704.0无效
发明人：金升炫 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2007-12-25 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种CMOS图像传感器及其制造方法，该CMOS图像传感器包括栅极，位于半导体衬底的有源区域中的栅极绝缘层上；光电二极管区域，位于该栅极一侧的半导体衬底中；浮置扩散区域，位于该栅极另一侧的半导体衬底中；以及补偿杂质区域，位于该栅极的该另一侧的半导体衬底中，叠置在该浮置扩散区域上。本发明可以增大转移晶体管的宽度和/或可以将补偿杂质离子注入浮置扩散区域中，从而使浮置扩散区域有效地复位，并且经由光而产生并被转移到浮置扩散节点的电子具有相对更好的效果，从而可以提高图像传感器的性能。
cmos 图像传感器及其制造方法

[发明专利]半导体器件和具有势垒区的绝缘栅双极型晶体管-CN201811436630.8有效
发明人： J·G·拉文;R·巴布斯克;C·耶格 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2014-11-27 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：一种电路配置包括：具有输出的栅极驱动器电路，其被配置为输出三个不同的电压电平；以及绝缘栅双极型晶体管，包括：栅极端子，连接到栅极驱动器电路的输出；晶体管单元，具有电连接到栅极端子的栅极电极；以及辅助单元，其包括：势垒区，其被夹在漂移区和电荷载流子转移区之间，势垒区和电荷载流子转移区形成pn结，并且势垒区和漂移区形成单质结；控制结构，包括控制电极，控制电极电连接到栅极端子或者经由电压移位器电耦合到栅极端子
半导体器件具有势垒区绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]固体摄像装置及其读出方法-CN200910223634.2无效
发明人：原田耕一;萩原浩树;菊地裕介;铃木启太 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2009-11-18 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H04N3/15 文献下载
摘要：该固体摄像装置包括：沿垂直转移方向和水平转移方向布置的多个像素；设置在多个像素的水平转移方向相邻的两像素之间的垂直CCD移位寄存器；像素之间用于分离的第一沟道停止部，在水平转移方向相邻的所述两像素，以及与水平转移方向的所述两像素在水平转移方向相邻的像素之间形成；以及读出栅极部和第二沟道停止部，形成在与所述像素和所述垂直CCD移位寄存器之间的垂直转移方向平行的方向；其中，水平转移方向相邻的所述两像素共用所述垂直CCD移位寄存器，并且其中比垂直CCD移位寄存器的栅极绝缘层厚的绝缘层形成在第一沟道停止部的上方
固体摄像装置及其读出方法

[发明专利]电平移位电路-CN200710149647.0无效
发明人：张育瑞 -专利权人：奇景光电股份有限公司
申请日： 2007-09-10 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：该电平移位单元包含一第一晶体管，其接收一电源电压及一第一栅极控制信号以产生一第二栅极控制信号；一第二晶体管，其接收该电源电压及该第二栅极控制信号以产生该第一栅极控制信号；一第三晶体管，其接收该输入信号以将该第二栅极控制信号接地；一第四晶体管，其接收该输入信号的一反相信号以将第一栅极控制信号接地；一第五晶体管，其接收一第一控制信号以将该第二栅极控制信号转移至该第三晶体管；及一第六晶体管，其接收该第一控制信号以将第一栅极控制信号转移至该第四晶体管
电平移位电路

[发明专利]MOSFET的阈值电压的测量方法-CN201911062930.9有效
发明人：张瑜;商干兵 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种MOSFET的阈值电压的测量方法，包括步骤：步骤一、将MOSFET的栅极和漏极短接，在漏极注入漏极电流，测量源漏电压并作为初始阈值电压；步骤二、根据初始阈值电压设定栅极电压测量范围；步骤三、在栅极电压测量范围内测量MOSFET的线性工作区的静态转移特性曲线；步骤四、从静态转移特性曲线得到最大跨导值并线性外推形成最终阈值电压。
mosfet 阈值电压测量方法

[发明专利]具有JFET源极跟随器的图像传感器和图像传感器像素-CN201680031814.9有效
发明人：马佳居;里奥·安扎吉拉;埃里克·R·福萨姆 -专利权人：达特茅斯学院
申请日： 2016-03-31 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一些实施例提供一种图像传感器像素，该图像传感器像素包括结型场效应晶体管(JFET)和被配置为作为该JFET的栅极使用的浮动扩散。图像传感器可以包括多个像素，至少一个所述像素包括：浮动扩散区域，形成在半导体衬底中；转移栅极，被配置为选择性地使存储在所述像素中的光电荷转移到所述浮动扩散；以及JFET，具有(i)通过沟道区域耦合的源极和漏极和(ii)包括所述浮动扩散区域的栅极。
具有 jfet 跟随图像传感器像素

[发明专利]具有用于高动态范围成像的嵌入式分裂像素的像素阵列-CN201910159651.8有效
发明人：杨大江;詹智勇;陆震伟;毛杜立;王昕;马渕圭司 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2019-03-04 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：第一转移栅极接近所述半导体材料而安置在介于所述第一光电二极管与所述第二光电二极管之间的第一沟道区域上方。所述第一转移栅极经耦合以将所述图像电荷从所述第一光电二极管转移到所述第二光电二极管。第二转移栅极接近所述半导体材料而安置在介于所述第二光电二极管与所述浮动扩散部之间的第二沟道区域上方。所述第二转移栅极经耦合以将所述图像电荷从所述第二光电二极管转移到所述浮动扩散部。
具有用于动态范围成像嵌入式分裂像素阵列

[发明专利]减少照明诱发的闪烁的图像传感器像素和成像系统-CN201710905557.3有效
发明人：毛杜立;特吕格弗·维拉森;约翰内斯·索尔胡斯维克;马渕圭司;陈刚;真锅宗平;戴森·H·戴;比尔·潘;奥拉伊·奥尔昆·赛莱克;林志强 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：实例图像传感器像素可包含光电二极管、转移栅极、抗溢出栅极及第一及第二源极跟随器晶体管。所述光电二极管可捕获光且作为响应产生电荷，且所述光电二极管可具有电荷容量。所述转移栅极可将电荷选择性地转移到第一浮动扩散区，且当所述产生的电荷大于所述光电二极管电荷容量时，所述抗溢出栅极可将过量电荷选择性地转移到第二浮动扩散区。所述第一源极跟随器晶体管可通过栅极直接耦合到所述第一浮动扩散区，所述第一源极跟随器响应于第一行选择晶体管的启用选择性地输出第一信号到第一位线，且所述第二源极跟随器晶体管可电容耦合到所述第二浮动扩散区，所述第二源极跟随器响应于第二行选择晶体管的启用选择性地输出第二信号到第二位线
减少照明诱发闪烁图像传感器像素成像系统

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200810144386.8有效
发明人：畑本光夫;松宫芳明 -专利权人：三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社
申请日： 2008-08-04 - 公布日： 2009-02-11 - 主分类号： H01L29/808 文献下载
摘要：在J－FET中，由于沟道区域的杂质浓度比栅极区域和背栅极区域的杂质浓度低，故因来自栅极区域和背栅极区域的p型杂质的扩散而使栅极区域正下方的沟道区域的n型杂质浓度降低，导致存在因IDSS偏差、电流路径的电阻值增加而引起的正向转移导纳为了解决上述问题，本发明的半导体装置在源极区域下方、栅极区域下方和漏极区域下方的沟道区域底部设置连续的n型杂质区域。n型杂质区域的杂质浓度比沟道区域和背栅极区域的杂质浓度高，几乎不受来自栅极区域和背栅极区域的p型杂质扩散的影响。通过从源极区域下方到漏极区域下方连续设置，从而能使该区域的电流路径的电阻值大致均匀。因此，能稳定IDSS，提高正向转移导纳gm和电压增益Gv，并降低噪声电压Vno。并且也能抑制同一晶片内的IDSS偏差。
半导体装置及其制造方法