“超极结”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果699112个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]源漏结构及其制造方法-CN201410387740.5在审
发明人：王成诚 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-08-07 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：其中，该源漏结构包括设置在衬底中的漏极区和源极区，漏极区包括轻掺杂超浅结和漏极重掺杂区，漏极区还包括：漏极-衬底结，设置在轻掺杂超浅结和衬底的靠近轻掺杂超浅结的侧面与底面结合处的部位，漏极-衬底结中的杂质离子与轻掺杂超浅结中的杂质离子为反型离子通过本申请，形成了漏极-衬底结，使得轻掺杂超浅结的陡峭侧面结构变得平缓，将漏极-衬底结的最大电场降到最低，减少了靠近沟道的离子运动，从而有效减少带间隧道效应激发热电子效应，进而达到了抑制漏极干扰的效果。
结构及其制造方法

[发明专利]一种极低反向恢复电荷超结功率VDMOS-CN201910055794.4有效
发明人：祝靖;田甜;李少红;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2019-01-21 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种极低反向恢复电荷超结功率VDMOS，包括兼做漏极的N型衬底及N型漂移区，N型漂移区内设有第一P柱，第一P柱的顶部设有第一P型体区，在第一P型体区上设有NMOS管，所述NMOS管与所述第一P型体区之间设有SiO2隔离层，所述第一P型体区上设有第一P型重掺杂区，所述超结VDMOS的源极金属、NMOS管的源极金属及第一P型重掺杂区相连接；所述超结VDMOS的漏极作为所述超结功率VDMOS的漏极，所述超结VDMOS的栅极与所述NMOS管的栅极连接并作为所述超结功率VDMOS的栅极，所述NMOS管的漏极作为所述超结功率VDMOS的源极；在超结VDMOS的N型漂移区上设有肖特基接触且肖特基接触与所述NMOS管的漏极连接，以形成阴极和阳极分别连接于本发明所提结构漏极与源极的肖特基二极管。
一种反向恢复电荷功率 vdmos

[发明专利]基于超结MOSFET的集成器件及其制造方法-CN202111216859.2在审
发明人：盛琳;东伟 -专利权人：茂睿芯（深圳）科技有限公司
申请日： 2021-10-19 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，提供了基于超结MOSFET的集成器件及其制造方法。本发明提供的基于超结MOSFET的集成器件包括：漏极、半导体衬底、半导体衬底上设置的至少两个超结MOSFET、用于源极不相连的超结MOSFET之间的源极隔离结构，所述隔离结构包括至少一个浮空P柱结构，所述超结MOSFET包括了P型体掺杂区、P柱、外延区、源极区、源极金属层、绝缘介质层、氧化物层、多晶硅栅极；所述两个源极不相连的超结MOSFET相邻P柱之间具有隔离距离，通过设置不同的隔离结构增大所述隔离距离，可以提高超结MOSFET之间的隔离电压，保证隔离电压性能同时将超结MOSFET集成一体。
基于 mosfet 集成器件及其制造方法

[实用新型]一种双芯超结MOS器件-CN202222485722.3有效
发明人：周文定;苏建中;辜睿智 -专利权人：成都赛力康电气有限公司
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双芯超结MOS器件，涉及半导体器件技术领域。其包括封装在塑料壳体内的双芯MOS结构，双芯MOS结构包括均与散热底板连接的第一超结MOS芯片和第二超结MOS芯片；且第一超结MOS芯片和第二超结MOS芯片并排设置在散热底板的表面上；散热底板与D极引脚连接；第一超结MOS芯片和第二超结MOS芯片通过引脚线组分别与G极引脚、K极引脚和S极引脚连接；且S极引脚靠近散热底板的一端设置有与引脚线组连接的引脚打线区。本实用新型结构简单，通过设置两个超结MOS芯片，以及引脚打线区的设置使得能够连接更多功率引脚线，从而能够有效增加本MOS器件通过电流的能力，实现大电压、大电流的使用需求。大大降低了MOS器件的成本。
一种双芯超结 mos 器件

[发明专利]一种具有双侧面超结槽栅LDMOS器件-CN202111139200.1在审
发明人：陈伟中;周铸;秦海峰 -专利权人：重庆邮电大学
申请日： 2021-09-26 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有双侧面超结槽栅LDMOS器件，属于半导体技术领域。该器件由双侧面超结槽栅区和LDMOS导电区组成，利用二氧化硅隔离层将双侧面超结槽栅区和LDMOS导电区分离，双侧面超结槽栅区由槽栅P+接触区、P型辅助耗尽区、漏极N‑buffer区、漏极N+区、漏极P+区组成，LDMOS导电区由源极P+区、源极N+区、P‑body、漂移区、漏极N‑buffer区、漏极N+区组成。本发明在传统LDMOS器件结构上，使用双侧面超结槽栅技术，在保证获得较高的击穿电压下，能够大幅降低器件的比导通电阻和增大器件的跨导，最终提高器件的Baliga优值FOM，并打破了硅极限。
一种具有侧面超结槽栅 ldmos 器件

[发明专利]一种具有改进型P柱的超结肖特基二极管及制备方法-CN202311008130.5在审
发明人：吴龙江 -专利权人：深圳天狼芯半导体有限公司
申请日： 2023-08-11 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种具有改进型P柱的超结肖特基二极管及制备方法，该超结肖特基二极管包括：P型掺杂层；所述P型掺杂层位于P柱和N‑漂移层之间；所述P型掺杂层与所述N‑漂移层的接触面与超结肖特基二极管的中轴线的夹角大小为本发明通过在传统的超结肖特基二极管中的P柱的不平滑的边缘掺杂一层P型材料，使P柱的边缘变得平滑，P型掺杂层的存在能够使电荷平衡得到优化的同时还具有很高的耐压能力和较低的导通电阻，使超结肖特基二极管的性能大大增强
一种具有改进型超结肖特基二极管制备方法

[发明专利]超结场效应管及超结场效应管的制造方法-CN201711414698.1在审
发明人：吴多武;马清杰;许正一 -专利权人：南京方旭智芯微电子科技有限公司
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种超结场效应管及超结场效应管的制造方法。超结场效应管包括：栅极源极层、漏极层、PN结型半导体层和P型补偿半导体层。PN结型半导体层具有相对设置的第一端和第二端，第一端与栅极源极层连接。P型补偿半导体层嵌入在第二端与漏极层的连接处，用于在超结场效应管处于反向恢复的过程中时，P型补偿半导体层与PN结型半导体层间为PN结导通状态，以使PN结型半导体层中包含注入的空穴，以维持PN结型半导体层中的载流子平衡
场效应制造方法

[发明专利]一种横向超结高压功率半导体器件-CN201210516380.5无效
发明人：乔明;李燕妃;章文通;吴文杰;许琬;蔡林希;陈涛;胡利志;黄健文;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2012-12-06 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种横向超结高压功率半导体器件，属于功率半导体器件技术领域。包括纵向超结元胞结构、终端结构和漏极引出结构；终端结构位于整体元胞结构的外侧或外围，漏极引出结构位于终端结构的外侧或外围；纵向超结元胞结构在提高击穿电压的同时降低导通电阻，相比传统横向超结器件，纵向超结元胞结构减小了版图面积，进一步降低了导通电阻；单个或多个元胞集成，多个并联元胞可共用同一个终端，并通过漏极引出结构将漏电极横向引出，使漏极、栅极和源极都在表面，不仅易于和常规电路集成，而且大大减小版图面积，进一步降低工艺成本；最后，本发明漏电极表面引出的具有低比导通电阻的超结横向高压器件可集成在各种衬底材料上，且集成度高。
一种横向高压功率半导体器件

[实用新型]超结金属栅场效应晶体管-CN201720464754.1有效
发明人：任留涛 -专利权人：上海超致半导体科技有限公司
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2018-01-12 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种超结金属栅场效应晶体管，包括肖特基二极管和超结MOSFET；所述超结MOSFET包括由上至下依次设置的N+源区外延层、P+体区外延层、N‑耐压漂移层和N+衬底层，所述N+源区外延层的边缘处开设有肖特基沟槽，所述N+源区外延层的中心开有栅极沟槽，所述肖特基沟槽的底部和所述栅极沟槽的底部均位于所述N‑耐压漂移层内；所述N‑耐压漂移层的边缘设有P‑电荷补偿区，所述P‑电荷补偿区位于所述肖特基沟槽的底部；所述超结MOSFET的漏极的铝线宽度随电流减小而逐渐变窄，所述超结MOSFET的源极的铝线宽度随电流减小而逐渐变窄，所述超结MOSFET的漏极的铝线和源极的铝线之间交叉布线。
金属场效应晶体管

[实用新型]超结金属栅场效应晶体管封装结构-CN201720466926.9有效
发明人：任留涛 -专利权人：上海超致半导体科技有限公司
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2018-01-12 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种超结金属栅场效应晶体管封装结构，包括超结MOSFET芯片、底载板、源极导电基板、栅极导电焊板和漏极导电焊板；所述超结MOSFET芯片的顶部设有源极、栅极和漏极，所述源极、栅极和漏极上均设有对应的导电凸点，所述源极的导电凸点高于所述栅极的导电凸点和所述漏极的导电凸点；所述源极导电基板包括基板引脚区和散热区，所述基板引脚区设于所述源极的导电凸点的顶部，且所述基板引脚区与所述源极的导电凸点电连接，所述散热区设于所述栅极的导电凸点和所述漏极的导电凸点的上方；所述超结MOSFET芯片靠近所述漏极的一端设有所述栅极导电焊板和漏极导电焊板。
金属场效应晶体管封装结构

[发明专利]一种高速超结横向绝缘栅双极型晶体管-CN201810137194.8有效
发明人：林智;袁琦;韩姝;胡盛东;周建林;唐枋;周喜川 -专利权人：重庆大学
申请日： 2018-02-10 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种高速超结横向绝缘栅双极型晶体管，属于半导体功率器件技术领域，通过将现有体硅超结横向绝缘栅双极型晶体管的轻掺杂的衬底换成重掺杂的衬底实现快速关断，通过合理设置超结耐压层中各漂移区的杂质总数保证器件的击穿电压本发明所述的一种高速超结横向绝缘栅双极型晶体管解决了超结横向绝缘栅双极型晶体管在成本以及在体硅衬底上实现快速关断之间所存在的矛盾。
一种高速横向绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]GaN基横向超结器件及其制作方法-CN201811153660.8有效
发明人：张晓东;张辉;张佩佩;于国浩;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2018-09-30 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基横向超结器件及其制作方法。所述横向超结器件包括异质结以及与异质结配合的源极、漏极和栅极，异质结包含第一半导体和第二半导体，第二半导体形成在第一半导体上，异质结中形成有二维电子气，源极与漏极通过二维电子气电连接；GaN基横向超结器件还包括复数个间隔设置的P型半导体，P型半导体分布在栅极下方；P型半导体形成于第一半导体上，且源极或漏极与P型半导体连接或不连接，或者，P型半导体形成于第二半导体上，且在相邻两个P型半导体之间以及在所述P型半导体与源极或漏极中的任意一者之间还形成有高阻半导体本发明提供的GaN基横向超结器件，击穿电压高、比导通电阻小；制作工艺简单，重复性好。
gan 横向器件及其制作方法

[实用新型]超结场效应管-CN201721831506.2有效
发明人：吴多武;马清杰;许正一 -专利权人：南京方旭智芯微电子科技有限公司
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供了一种超结场效应管。超结场效应管包括：栅极源极层、漏极层、PN结型半导体层和P型补偿半导体层。PN结型半导体层具有相对设置的第一端和第二端，第一端与栅极源极层连接。P型补偿半导体层嵌入在第二端与漏极层的连接处，用于在超结场效应管处于反向恢复的过程中时，P型补偿半导体层与PN结型半导体层间为PN结导通状态，以使PN结型半导体层中包含注入的空穴，以维持PN结型半导体层中的载流子平衡
半导体层场效应管超结栅极源极第一端漏极层空穴本实用新型载流子平衡导通状态电压波形反向恢复相对设置嵌入震荡电路

[发明专利]一种超结垂直氮化镓基异质结场效应晶体管-CN201310000143.8有效
发明人：杜江锋;赵子奇;尹成功;罗杰;黄思霓;严慧;罗谦;于奇 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-01-04 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供了一种超结垂直氮化镓基异质结场效应晶体管，从下至上依次主要由漏极，n+‑GaN衬底，GaN沟道层，AlGaN势垒层，以及AlGaN势垒层上的源极和栅极组成，源极与漏极均为欧姆接触，栅极为肖特基接触，其还包括由p‑GaN缓冲层和n‑GaN缓冲层竖向排列形成的超结缓冲层，所述的超结缓冲层位于n+‑GaN衬底与GaN沟道层之间。本发明中，由p‑GaN缓冲层和n‑GaN缓冲层形成的超结结构可以在器件击穿时完全耗尽，器件整个缓冲层都可以承受耐压，从而大幅提升器件击穿电压。
一种垂直氮化镓基异质结场效应晶体管

[发明专利]三维隔离型超结结构场效应晶体管及其制备方法-CN202111547163.8在审
发明人：张子敏;王宇澄;虞国新;吴飞;钟军满 -专利权人：无锡先瞳半导体科技有限公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请是关于一种三维隔离型超结结构场效应晶体管，包括：衬底区、漂移区、基体区、源区、屏蔽栅、控制栅、沟槽绝缘层、源极、漏极、金属栅极、P型超结柱以及三维绝缘层；P型超结柱以及漂移区沿着第一方向设置在衬底区上，三维绝缘层设置在P型超结柱及漂移区之间；基体区设置在漂移区上方，使得基体区的顶面与P型超结柱的顶面平齐；源区包括P型源区和N型源区；源区设置在基体区与P型超结柱上方；控制栅和屏蔽栅由上至下依次设置在漂移区的侧方，并通过绝缘层分别与漂移区、基体区、源区和P型超结柱相接；源极设置在源区上方；漏极设置在衬底区下方；金属栅极设在控制栅上方。
三维隔离型超结结构场效应晶体管及其制备方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条