“双芯超结”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1868696个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]一种双芯超结MOS器件-CN202222485722.3有效
发明人：周文定;苏建中;辜睿智 -专利权人：成都赛力康电气有限公司
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双芯超结MOS器件，涉及半导体器件技术领域。其包括封装在塑料壳体内的双芯MOS结构，双芯MOS结构包括均与散热底板连接的第一超结MOS芯片和第二超结MOS芯片；且第一超结MOS芯片和第二超结MOS芯片并排设置在散热底板的表面上；散热底板与D极引脚连接；第一超结MOS芯片和第二超结MOS芯片通过引脚线组分别与G极引脚、K极引脚和S极引脚连接；且S极引脚靠近散热底板的一端设置有与引脚线组连接的引脚打线区。本实用新型结构简单，通过设置两个超结MOS芯片，以及引脚打线区的设置使得能够连接更多功率引脚线，从而能够有效增加本MOS器件通过电流的能力，实现大电压、大电流的使用需求。大大降低了MOS器件的成本。
一种双芯超结 mos 器件

[发明专利]一种高速超结横向绝缘栅双极型晶体管-CN201810137194.8有效
发明人：林智;袁琦;韩姝;胡盛东;周建林;唐枋;周喜川 -专利权人：重庆大学
申请日： 2018-02-10 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种高速超结横向绝缘栅双极型晶体管，属于半导体功率器件技术领域，通过将现有体硅超结横向绝缘栅双极型晶体管的轻掺杂的衬底换成重掺杂的衬底实现快速关断，通过合理设置超结耐压层中各漂移区的杂质总数保证器件的击穿电压本发明所述的一种高速超结横向绝缘栅双极型晶体管解决了超结横向绝缘栅双极型晶体管在成本以及在体硅衬底上实现快速关断之间所存在的矛盾。
一种高速横向绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]一种具有双侧面超结槽栅LDMOS器件-CN202111139200.1在审
发明人：陈伟中;周铸;秦海峰 -专利权人：重庆邮电大学
申请日： 2021-09-26 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有双侧面超结槽栅LDMOS器件，属于半导体技术领域。该器件由双侧面超结槽栅区和LDMOS导电区组成，利用二氧化硅隔离层将双侧面超结槽栅区和LDMOS导电区分离，双侧面超结槽栅区由槽栅P+接触区、P型辅助耗尽区、漏极N‑buffer区、漏极N+区、漏极P+本发明在传统LDMOS器件结构上，使用双侧面超结槽栅技术，在保证获得较高的击穿电压下，能够大幅降低器件的比导通电阻和增大器件的跨导，最终提高器件的Baliga优值FOM，并打破了硅极限。
一种具有侧面超结槽栅 ldmos 器件

[发明专利]一种超结逆导型栅控双极型器件-CN201911310477.9有效
发明人：郑崇芝;李青岭;夏云;陈万军 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种超结逆导型栅控双极型器件。与传统超结IGBT相比，本发明器件采用介质隔离层将器件沿超结的纵向分界线分为两部分，第一漂移区一侧正向导通时不参与导电，反向导通时作为二极管起续流作用。第二漂移区一侧，正向导通时为双极导电，内部发生电导调制效应，因此器件导通压降较低，而在反向导通时不参与导电。本发明的有益成果：正向导通时为双极型导电，具有反向导通能力。
一种超结逆导型栅控双极型器件

[发明专利]双芯智能电表的超差事件记录方法、装置和计算机设备-CN202110321338.7在审
发明人：李伟华;尹仕红;赵雪松;刘星廷;吴昊文;张乐平;谢文旺 -专利权人：深圳供电局有限公司;南方电网数字电网研究院有限公司
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： G01R35/04 文献下载
摘要：本申请涉及一种双芯智能电表的超差事件记录方法、装置和计算机设备。所述方法包括：从所述双芯智能电表的计量单元中获取实时误差自监测数据；获取所述双芯智能电表超差事件的当前状态标识，并基于所述实时误差自监测数据、所述当前状态标识和预设的超差事件状态识别条件，确定所述双芯智能电表超差事件的实时状态标识；若所述实时状态标识与所述当前状态标识不匹配，则将所述当前状态标识替换为所述实时状态标识，并记录所述实时状态标识对应的超差事件。采用本方法能够实现了双芯软件架构下，对超差事件的准确实时的记录。
智能电表事件记录方法装置计算机设备

[发明专利]一种具有双电场调制的横向超结双扩散金属氧化物半导体场效应管-CN201510267181.9有效
发明人：段宝兴;曹震;袁小宁;袁嵩;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2015-05-22 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提出了一种具有双电场调制效应的横向超结双扩散金属氧化物半导体场效应管(Super junction LDMOS SJ‑LDMOS)。该器件中，超结漂移区的缓冲层与沟道之间以外延层突起的结构形成间隔，使得缓冲层边缘对靠近沟道的超结漂移区电场产生调制作用；超结漂移区中P柱的长度短于N柱，即P柱与漏区保持距离，避免P柱与漏区连接产生的高峰电场，并且使得P柱边缘对靠近漏区的超结漂移区电场产生调制作用。这样，利用超结漂移区下方的部分缓冲层和漂移区上部分P柱的结构对器件的漂移区进行两处电场调制，使得器件表面的电场分布趋于均匀，在保证器件低导通电阻的条件下，大幅度提高了器件的击穿电压。
一种具有电场调制横向超结双扩散金属氧化物半导体场效应

[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法-CN201310058786.8在审
发明人：褚为利;朱阳军;田晓丽;卢烁今;胡爱斌 -专利权人：中国科学院微电子研究所;江苏物联网研究发展中心;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2013-02-25 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法，所述绝缘栅双极型晶体管包括：集电区；位于所述集电区表面上的超结漂移区；位于所述超结漂移区表面上的有源区以及第一终端结构，所述第一终端结构包围所述有源区；包围所述超结漂移区以及第一终端结构的第二终端结构本申请所述绝缘栅双极型晶体管设置有第二终端结构，该第二终端结构作为绝缘栅双极型晶体管的反向耐压终端结构，能有效提高绝缘栅双极型晶体管承受反向耐压的能力。
一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法

[发明专利]一种有梭织机用镶嵌复合注塑成型双头投梭结及其制备方法-CN201710422559.7有效
发明人：陈龙军;张卫兵 -专利权人：郑州豫达纺织机械有限公司
申请日： 2017-06-07 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： B29C45/14 文献下载
摘要：本发明公开一种有梭织机用镶嵌复合注塑成型双头投梭结及其制备方法。该双头投梭结包括由热塑性塑料注塑成型的基体，包覆在基体上下两平面的耐磨降噪织带，以及嵌装在基体两端的投梭结结芯；在所述双头投梭结的中部设置有上下贯穿的矩形通孔。本发明的制备方法步骤如下（1）通过注射成型方法制备投梭结结芯，备用；（2）对耐磨降噪织带进行剪裁加工，备用；（3）注射成型将投梭结结芯、上、下面耐磨降噪织带定位于投梭结注塑模具中进行注塑成型，生产出投梭结本发明的投梭结寿命更长，噪音更低，可双头使用，有效地延长使用寿命，节约原材料。本发明的工艺特点是镶嵌、复合注塑成型，劳动强度低，生产效率大幅提高，材料可以回收利用。
一种织机镶嵌复合注塑成型投梭及其制备方法

[发明专利]具有超驰功能的车门闩锁-CN202110592744.7在审
发明人：曼纽尔·安东尼奥·埃斯卡米拉·埃尔南德斯;爱德华多·埃斯特拉达·德利昂 -专利权人：恩坦华产品有限公司
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： E05B79/12 文献下载
摘要：一种车辆闩锁，所述车辆闩锁包括：超驰机构，所述超驰机构具有：中央门锁扇部；双锁扇部；双锁连杆，所述双锁连杆将所述中央门锁扇部可操作地联接到所述双锁扇部；锁芯；和锁芯连杆，所述锁芯连杆将所述锁芯可操作地联接到所述中央门锁扇部
具有功能车门

[实用新型]车辆闩锁-CN202121182981.8有效
发明人：曼纽尔·安东尼奥·埃斯卡米拉·埃尔南德斯;爱德华多·埃斯特拉达·德利昂 -专利权人：恩坦华产品有限公司
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： E05B79/12 文献下载
摘要：一种车辆闩锁，所述车辆闩锁包括：超驰机构，所述超驰机构具有：中央门锁扇部；双锁扇部；双锁连杆，所述双锁连杆将所述中央门锁扇部可操作地联接到所述双锁扇部；锁芯；和锁芯连杆，所述锁芯连杆将所述锁芯可操作地联接到所述中央门锁扇部
车辆

[发明专利]一种含有高阻p-top区的逆导型超结IGBT-CN202110351484.4在审
发明人：马瑶;黄铭敏;杨治美 -专利权人：四川大学
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种逆导型超结IGBT（Reverse Conducting Superjunction Insulated Gate Bipolar Transistor，逆导型超结绝缘栅双极型晶体管）器件，其超结耐压层中的第二导电类型的半导体区的上方有一个电阻率较高的第二导电类型的顶部区，并且含有侧面被第二导电类型的浮空区包围和顶部被第一导电类型的截止环包围的背面槽型绝缘介质区。
一种含有 top 逆导型超结 igbt

[发明专利]一种抗单粒子辐照的超结VDMOS器件-CN201210189789.0无效
发明人：任敏;赵起越;邓光敏;张鹏;宋询奕;李泽宏;张金平;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2012-06-11 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种抗单粒子辐照的超结VDMOS器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明在传统超结VDMOS器件的超结结构中第二导电类型掺杂半导体柱区（4）的下方，引入一层二氧化硅介质层（12）。与传统超结VDMOS结构相比，通过二氧化硅介质层（12）的引入，使得器件在受到单粒子辐照时产生的空穴-电子对数量大幅减少、复合速率加快，并可以防止了寄生双极型晶体管的雪崩注入型二次击穿。
一种粒子辐照 vdmos 器件

[发明专利]基于超构表面集成的双芯光纤的任意偏振态合成器-CN201810682899.8有效
发明人：李玉祥;张文星;杨秋生;赵瑞强;朱正;关春颖;史金辉 -专利权人：哈尔滨工程大学
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： G02B6/126 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于超构表面集成的双芯光纤的任意偏振态合成器，双芯光纤的端面为超构表面，所述超构表面是梯度相位的金属纳米单元层的结构，所述双芯光纤的两个纤芯均为单模且折射率相同。超构表面是采用电子束蒸镀技术在平整的双芯光纤端面制备的金属膜，并利用聚焦离子束刻蚀技术在金属膜表面加工出微纳结构。
基于表面集成光纤任意偏振合成器

[发明专利]一种防结露风口的制备方法-CN201210592035.X有效
发明人：吴子豹;陈玲;李明仁 -专利权人：厦门建霖工业有限公司
申请日： 2012-12-31 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： B05D5/04 文献下载
摘要：一种防结露风口的制备方法，涉及一种在风口表面获得防结露性能的制备方法。提供不仅不改变风口的结构，而且具有良好防结露性能的一种防结露风口的制备方法。先将风口进行酒精擦拭，再喷涂超亲水性涂料层，烘烤固化；检测包装。所述超亲水性涂料可由吸水树脂、聚胺脂、交联剂和异氰酸固化剂组成，所述吸水树脂可采用聚丙烯酰胺等，所述交联剂可采用NN亚甲基双丙烯酰胺等；所述超亲水性涂料层的厚度可为5～25μm；所述烘烤的温度可为70～
一种露风制备方法

[发明专利]一种具有两种导电模式的超结MOSFET-CN202010005381.8有效
发明人：陈万军;张兴强;夏云 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-01-03 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种具有两种导电模式的超结MOSFET。与传统超结MOSFET相比，本发明器件采用介质隔离层将器件沿超结的纵向分界线分为两部分，N型漂移区一侧为普通超结MOSFET的导电模式，为单极性导电，没有开启电压，但是在大电流下导通电阻高，而P型漂移区一侧为一个栅控肖克来二极管导电模式，为双极型导电，有0.7V的开启电压，但大电流下导通电阻低。因此与普通超结MOSFET相比较，导通电阻在大电流时下降。器件反向导通时，由于P型漂移区未参与导通，并且P型漂移区一侧的器件P+短路区未参与导电，因此降低了器件的反向恢复电荷。
一种具有导电模式 mosfet

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条