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[发明专利]一种超结垂直氮化镓基异质结场效应晶体管-CN201310000143.8有效
发明人：杜江锋;赵子奇;尹成功;罗杰;黄思霓;严慧;罗谦;于奇 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-01-04 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供了一种超结垂直氮化镓基异质结场效应晶体管，从下至上依次主要由漏极，n+‑GaN衬底，GaN沟道层，AlGaN势垒层，以及AlGaN势垒层上的源极和栅极组成，源极与漏极均为欧姆接触，栅极为肖特基接触，其还包括由p‑GaN缓冲层和n‑GaN缓冲层竖向排列形成的超结缓冲层，所述的超结缓冲层位于n+‑GaN衬底与GaN沟道层之间。本发明中，由p‑GaN缓冲层和n‑GaN缓冲层形成的超结结构可以在器件击穿时完全耗尽，器件整个缓冲层都可以承受耐压，从而大幅提升器件击穿电压。
一种垂直氮化镓基异质结场效应晶体管

[发明专利]一种具有复合金属栅的氮化镓基高电子迁移率晶体管-CN201310364505.1有效
发明人：杜江锋;严慧;刘斌;尹成功;黄思霓;罗杰;白智元;陈南庭;于奇 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-08-21 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有复合金属栅的氮化镓基高电子迁移率晶体管，包括衬底、氮化镓缓冲层、氮化铝插入层、铝铟镓氮势垒层、以及铝铟镓氮势垒层上的源极、漏极和栅极；其中源极和漏极与铝铟镓氮势垒层形成欧姆接触，栅极与铝铟镓氮势垒层形成肖特基接触，所述铝铟镓氮势垒层上的栅极由两种以上不同功函数的金属连接组成。本发明利用不同功函数的栅极金属之间形成的阶梯型势垒屏蔽漏极电势对器件沟道的影响，抑制漏致势垒降低(DIBL)效应，改善深亚微米级氮化镓基高电子迁移率晶体管的SCEs，从而提高电流增益截止频率fT。
一种具有复合金属氮化镓基高电子迁移率晶体管

[发明专利]一种带有p型氮化镓埋层的垂直氮化镓基异质结场效应晶体管-CN201310049018.6无效
发明人：杜江锋;赵子奇;罗杰;尹成功;黄思霓;严慧;罗谦;于奇 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-02-07 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L29/812 文献下载
摘要：本发明提供了一种带有p型氮化镓埋层的垂直氮化镓基异质结场效应晶体管，从下至上依次主要由漏极，n+-GaN衬底，n-GaN缓冲层，p-GaN电流阻挡层，GaN沟道层，AlGaN势垒层，以及AlGaN势垒层上的源极和栅极，源极与漏极均为欧姆接触，栅极为肖特基接触，该晶体管还包括位于n-GaN缓冲层内，p-GaN电流阻挡层与n+-GaN衬底之间的p-GaN埋层。本发明中，通过p型GaN埋层与n-GaN缓冲层之间形成的p-n结来扩展截止状态下n-GaN缓冲层内的耗尽区域，提升n-GaN缓冲层内电场强度，从而提高器件击穿电压。
一种带有氮化镓埋层垂直镓基异质结场效应晶体管

[发明专利]一种T型栅结构的MOS晶体管-CN201210574939.X无效
发明人：王向展;甘程;曾庆平;刘斌;王凯;黄思霓;于奇 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2012-12-26 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种具有“T”字型栅结构MOS晶体管（T_gate MOS），属于半导体器件领域。它的特征是在普通MOSFET的沟道区域形成凹槽，使栅极形状为“T”型结构。该结构较普通MOS器件提高了版图利用率、增大了有效沟道宽度，同时具有和三栅器件(Tri_gate MOS)相当的抑制漏致势垒降低效应（DIBL）等短沟道效应（SCE）的优点；与三栅器件相比，T_gate MOS可以在抑制短沟道效应的基础上有效提高驱动电流。因此，T_gate器件能够实现驱动电流更大而漏电较小的效果。本发明工艺与传统MOSFET器件兼容，有利于改善短沟道效应并提高驱动能力，不仅适用于45纳米工艺节点以下的小尺寸器件，还可以推至0.13微米以上的较大尺寸的器件。
一种结构 mos 晶体管