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[发明专利]一种超结IGBT功率器件及制备方法-CN202310383697.4在审
发明人：吴玉舟;禹久赢 -专利权人： 上海超致半导体科技有限公司
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种超结IGBT功率器件及制备方法。该功率器件包括：衬底、第一外延层、第二外延层和非均匀沟槽；第一外延层设置于衬底正面，第二外延层设置于第一外延层远离衬底的一侧，非均匀沟槽沿第二外延层远离第一外延层的表面向第二外延层内部延伸；第一外延层包括：至少一个第一N型区和P型柱；P型柱与第一N型区交替排布；非均匀沟槽包括：深沟槽和浅沟槽；深沟槽与浅沟槽交替排布，深沟槽的宽度大于浅沟槽，且深沟槽贯穿第二外延层，底部与P型柱相接触。本发明实施例的技术方案在不影响器件的正向导通压降的情况下，有效降低了功率器件的密勒电容，提高了器件的开关速度。
一种 igbt 功率器件制备方法

[实用新型]一种超薄超结IGBT器件-CN202122767542.X有效
发明人：吴玉舟;禹久赢 -专利权人： 上海超致半导体科技有限公司
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种超薄超结IGBT器件，包括：金属化集电极；位于所述金属化集电极上的P型集电区；位于所述P型集电区上方的N型FS层；位于所述N型FS层上方的N型FS隔离层；位于所述N型FS隔离层上方的第一N型外延层及位于所述第一N型外延层上方的第二N型外延层；位于所述第二N型外延层中的MOS结构。根据本实用新型，减薄芯片厚度，降低器件正向导通压降和开关损耗，同时降低器件热阻，提升导通电流能力。
一种超薄 igbt 器件

[实用新型]一种超结RB-IGBT器件结构-CN202122270243.5有效
发明人：吴玉舟;刘铁川;李欣;李菲;禹久赢 -专利权人： 上海超致半导体科技有限公司
申请日： 2021-09-18 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种超结RB‑IGBT器件结构，包括：金属化集电极层；P型集电区，所述P型集电区位于所述金属化集电极层的上方；第一N型外延层，所述第一N型外延层位于P型集电区的上方；第二N型外延层，所述第二N型外延层位于第一N型外延层的上方；所述第一N型外延层中通过高能离子注入形成有P型埋层，且第一N型外延层中与P型埋层间隔设置有P柱，所述P柱通过深槽刻蚀和回填工艺形成。根据本实用新型，具有承受反向耐压的能力，通过P型集电区设计可采取多种优化结构，提升超结RB‑IGBT器件的电学性能和可靠性。
一种 rb igbt 器件结构

[实用新型]一种多通道超结IGBT器件-CN202121854950.2有效
发明人：吴玉舟;李菲;李欣;刘铁川;禹久赢 -专利权人： 上海超致半导体科技有限公司
申请日： 2021-08-10 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种多通道超结IGBT器件，包括金属化集电极、P‑衬底、位于P‑衬底上方的第一N型外延层及位于所述第一N型外延层上方的第二N外延层；所述第二N外延层中至少包括第一虚拟MOS元胞单元与MOS元胞单元，所述第一虚拟MOS元胞单元包括通过反应离子刻蚀形成的沟槽、在所述沟槽内部设置的热生长的栅氧化层及位于栅氧化层内的淀积的重掺杂多晶硅。本实用新型公开的器件结构打破传统超结IGBT器件PN柱节距的元胞尺寸限制，可根据器件的应用要求增减顶层MOS元胞和虚拟MOS元胞以调节超结IGBT器件的栅输入电容，防止器件开启时的电流震荡，提高器件抗EMI能力。同时还具有调节饱和输出电流密度、正向导通压降、短路时间耐量的特点。
一种通道 igbt 器件

[发明专利]一种超薄超结IGBT器件及制备方法-CN202111337346.7在审
发明人：吴玉舟;禹久赢 -专利权人： 上海超致半导体科技有限公司
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种超薄超结IGBT器件及制备方法，包括：金属化集电极；位于所述金属化集电极上的P型集电区；位于所述P型集电区上方的N型FS层；位于所述N型FS层上方的N型FS隔离层；位于所述N型FS隔离层上方的第一N型外延层及位于所述第一N型外延层上方的第二N型外延层；位于所述第二N型外延层中的MOS结构。根据本发明，减薄芯片厚度，降低器件正向导通压降和开关损耗，同时降低器件热阻，提升导通电流能力。
一种超薄 igbt 器件制备方法

[实用新型]一种低开启电压的超结RB-IGBT器件-CN202122146800.2有效
发明人：吴玉舟;李菲;李欣;刘铁川;禹久赢 -专利权人： 上海超致半导体科技有限公司
申请日： 2021-09-07 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低开启电压的超结RB‑IGBT器件，包括：金属化集电极层；重掺杂多晶硅，所述重掺杂多晶硅设置于金属化集电极层的上方；氧化层，所述氧化层设置于掺杂多晶硅的上方；P型集电区，所述P型集电区关于金属化集电极层对称设置有两个P型集电区，P型集电区与金属化集电极层相邻设置；每个所述P型集电区相邻设置有N型重掺杂区，每个N型重掺杂区之间间隔设置；每个所述P型集电区与N型重掺杂区的上方设置有P型埋层。根据本实用新型，结构简单合理，器件背面通过P型埋层设计可将超结IGBT器件的开启电压降至0.1V，大大降低了器件的导通电压，从而降低了器件的导通损耗。
一种开启电压 rb igbt 器件

[实用新型]一种低开启电压的超结LIGBT器件-CN202122146817.8有效
发明人：吴玉舟;李菲;李欣;刘铁川;禹久赢 -专利权人： 上海超致半导体科技有限公司
申请日： 2021-09-07 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低开启电压的超结LIGBT器件，包括：衬底；设置于所述衬底上的埋氧化层；设置于所述埋氧化层上的SOI层；所述SOI层包括发射极结构、与所述发射极结构相邻设置的中间超结结构及与所述中间超结结构相邻设置的集电极结构；所述发射极结构包括通过离子注入高温推阱形成的P型体区、在所述P型体区中光刻注入形成的重掺杂N型发射区及与所述发射区相邻设置的重掺杂P型欧姆接触区，所述发射区与欧姆接触区构成发射极。根据本实用新型，器件集电极侧通过P型埋层设计可将超结LIGBT器件的开启电压降至0.1V，大大降低了器件的导通电压，从而降低了器件的导通损耗，具有反向耐压能力。
一种开启电压 ligbt 器件

[发明专利]一种多通道超结IGBT器件-CN202110911954.8在审
发明人：吴玉舟;李菲;李欣;刘铁川;禹久赢 -专利权人： 上海超致半导体科技有限公司
申请日： 2021-08-10 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提出了一种多通道超结IGBT器件，包括金属化集电极、P‑衬底、位于P‑衬底上方的第一N型外延层及位于所述第一N型外延层上方的第二N外延层；所述第二N外延层中至少包括第一虚拟MOS元胞单元与MOS元胞单元，所述第一虚拟MOS元胞单元包括通过反应离子刻蚀形成的沟槽、在所述沟槽内部设置的热生长的栅氧化层及位于栅氧化层内的淀积的重掺杂多晶硅。本发明公开的器件结构打破传统超结IGBT器件PN柱节距的元胞尺寸限制，可根据器件的应用要求增减顶层MOS元胞和虚拟MOS元胞以调节超结IGBT器件的栅输入电容，防止器件开启时的电流震荡，提高器件抗EMI能力。同时还具有调节饱和输出电流密度、正向导通压降、短路时间耐量的特点。
一种通道 igbt 器件

[发明专利]一种超结RB-IGBT器件结构及其制造方法-CN202111098226.6在审
发明人：吴玉舟;刘铁川;李欣;李菲;禹久赢 -专利权人： 上海超致半导体科技有限公司
申请日： 2021-09-18 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种超结RB‑IGBT器件结构及其制造方法，包括：金属化集电极层；P型集电区，所述P型集电区位于所述金属化集电极层的上方；第一N型外延层，所述第一N型外延层位于P型集电区的上方；第二N型外延层，所述第二N型外延层位于第一N型外延层的上方；所述第一N型外延层中通过高能离子注入形成有P型埋层，且第一N型外延层中与P型埋层间隔设置有P柱，所述P柱通过深槽刻蚀和回填工艺形成。根据本发明，具有承受反向耐压的能力，通过P型集电区设计可采取多种优化结构，提升超结RB‑IGBT器件的电学性能和可靠性。
一种 rb igbt 器件结构及其制造方法

[发明专利]一种低开启电压的超结RB-IGBT器件-CN202111042571.8在审
发明人：吴玉舟;李菲;李欣;刘铁川;禹久赢 -专利权人： 上海超致半导体科技有限公司
申请日： 2021-09-07 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种低开启电压的超结RB‑IGBT器件，包括：金属化集电极层；重掺杂多晶硅，所述重掺杂多晶硅设置于金属化集电极层的上方；氧化层，所述氧化层设置于掺杂多晶硅的上方；P型集电区，所述P型集电区关于金属化集电极层对称设置有两个P型集电区，P型集电区与金属化集电极层相邻设置；每个所述P型集电区相邻设置有N型重掺杂区，每个N型重掺杂区之间间隔设置；每个所述P型集电区与N型重掺杂区的上方设置有P型埋层。根据本发明，结构简单合理，器件背面通过P型埋层设计可将超结IGBT器件的开启电压降至0.1V，大大降低了器件的导通电压，从而降低了器件的导通损耗。
一种开启电压 rb igbt 器件

[发明专利]一种低开启电压的超结LIGBT器件-CN202111043016.7在审
发明人：吴玉舟;李菲;李欣;刘铁川;禹久赢 -专利权人： 上海超致半导体科技有限公司
申请日： 2021-09-07 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种低开启电压的超结LIGBT器件，包括：衬底；设置于所述衬底上的埋氧化层；设置于所述埋氧化层上的SOI层；所述SOI层包括发射极结构、与所述发射极结构相邻设置的中间超结结构及与所述中间超结结构相邻设置的集电极结构；所述发射极结构包括通过离子注入高温推阱形成的P型体区、在所述P型体区中光刻注入形成的重掺杂N型发射区及与所述发射区相邻设置的重掺杂P型欧姆接触区，所述发射区与欧姆接触区构成发射极。根据本发明，器件集电极侧通过P型埋层设计可将超结LIGBT器件的开启电压降至0.1V，大大降低了器件的导通电压，从而降低了器件的导通损耗，具有反向耐压能力。
一种开启电压 ligbt 器件

[实用新型]一种超结IGBT器件结构-CN201821740353.5有效
发明人：李菲;李欣;禹久赢;任留涛;刘铁川 -专利权人： 上海超致半导体科技有限公司
申请日： 2018-10-25 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种超结IGBT器件结构，包括：第一导电类型衬底；设置在所述第一导电型衬底上的第二导电类型外延层；设置在所述第二导电类型外延层内的第一导电类型柱形扩散区；第一导电类型阱区，所述第一导电类型阱区与所述第一导电类型柱形扩散区通过一浮空区隔离；设置在所述第一导电类型阱区内的第一导电类型重掺杂区；第二导电类型重掺杂区；以及栅极。
第一导电类型导电类型外延层重掺杂区扩散区超结衬底柱形阱区本实用新型导电类型导电型浮空隔离

[发明专利]一种超结IGBT器件结构及其制造方法-CN201811251706.X在审
发明人：李菲;李欣;禹久赢;任留涛;刘铁川 -专利权人： 上海超致半导体科技有限公司
申请日： 2018-10-25 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种超结IGBT器件，包括：第一导电类型衬底；设置在所述第一导电型衬底上的第二导电类型外延层；设置在所述第二导电类型外延层内的第一导电类型柱形扩散区；第一导电类型阱区，所述第一导电类型阱区与所述第一导电类型柱形扩散区通过一浮空区隔离；设置在所述第一导电类型阱区内的第一导电类型重掺杂区；第二导电类型重掺杂区；以及栅极。
第一导电类型导电类型外延层重掺杂区扩散区超结衬底柱形阱区导电类型导电型浮空隔离制造

[实用新型]一种P层集成二极管半导体场效应晶体管器件结构-CN201720464756.0有效
发明人：任留涛 -专利权人： 上海超致半导体科技有限公司
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本实用新型的一种P层集成二极管半导体场效应晶体管器件结构，器件结构包括基地金属层、N型衬底层、N型外延层、P层、外接金属连接层。P层上设有栅极、源极、漏极、二极管周边设有与栅极、源极、漏极相隔离的绝缘体层二极管的一端与漏极相连接，二极管的另一端与源极相连接。在P层上加装一个二极管并直接将二极管与源极、漏极相连接。从而解决了现有技术中因增加二极管反并联连接而带来的安装成本的问题。
一种集成二极管半导体场效应晶体管器件结构

[实用新型]一种N层集成二极管半导体场效应晶体管器件结构-CN201720464757.5有效
发明人：任留涛 -专利权人： 上海超致半导体科技有限公司
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本实用新型的一种N层集成二极管半导体场效应晶体管器件结构，器件结构包括基地金属层、N型衬底层、N型外延层、P层、外接金属连接层。P层上设有栅极、源极、漏极。N型衬底层上设有二极管。二极管周边设有与N型衬底层、基地金属层相绝缘的绝缘体层。基地金属层上设有穿孔，二极管的一端从穿孔中穿出与漏极相连接，二极管的另一端直接与基地金属层相连接，通过基地金属层与源极相连接。在N型衬底层上加装一个二极管并直接将二极管与源极、漏极相连接。从而解决了现有技术中因增加二极管反并联连接而带来的安装成本的问题。
一种集成二极管半导体场效应晶体管器件结构

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