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[发明专利]衬底处理装置及衬底处理方法-CN202310262382.4在审
发明人：东克栄;远藤亨;竹松佑介;髙木圭将;吉原直彦 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种衬底处理装置及衬底处理方法。衬底处理装置(100)具备罐(50)、包含第1路径(C1)的路径(70)、加热器(61)、过氧化氢溶液供给路径(C3)及控制部(102)。控制部(102)将经加热器(61)加热的硫酸与过氧化氢溶液混合后从喷嘴(36)喷出到衬底(W)，然后将温度比所述经加热的硫酸低的硫酸与过氧化氢溶液混合后从喷嘴(36)喷出到衬底(W)。
衬底处理装置方法

[发明专利]衬底处理方法及衬底处理装置-CN202310952518.4在审
发明人：吉田幸史;奥谷学;安田周一;金松泰范;上田大;张松;长原达郎;绢田贵史 -专利权人：株式会社斯库林集团;默克专利有限公司
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及衬底处理方法及衬底处理装置。衬底处理方法，其包括：处理液供给工序，向衬底的表面供给具有溶质及溶剂的处理液；处理膜形成工序，使已被供给至前述衬底的表面的前述处理液固化或硬化，在前述衬底的表面形成保持存在于前述衬底表面的去除对象物的处理膜；和剥离工序，向前述衬底的表面供给剥离液，将前述处理膜与前述去除对象物一同从前述衬底的表面剥离，前述剥离工序包括：贯通孔形成工序，使前述处理膜部分地溶解于前述剥离液而在前述处理膜上形成贯通孔。
衬底处理方法装置

[发明专利]衬底处理方法及衬底处理装置-CN201010287118.9有效
发明人：原田彻;南政克 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2010-09-16 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供衬底处理方法，促进元件分离槽内的聚硅氮烷的氧化膜(SiO2)化，能够提高绝缘膜的膜质(电特性以及介电常数)。通过以下工序进行衬底处理：将涂布有聚硅氮烷的衬底向衬底处理室内搬入的衬底搬入工序；使搬入了衬底的衬底处理室内成为水蒸气气体环境、减压气体环境下以及约400℃的温度的工序；在使衬底处理室内成为水蒸气气体环境、减压气体环境下以及约400℃的温度的状态下，对所述衬底进行热处理的第一热处理工序；其次，使衬底处理室内从第一热处理工序的约400℃上升到900℃以上1000℃以下的温度的升温工序；在使衬底处理室内成为水蒸气气体环境、减压气体环境下以及900℃以上1000℃以下的温度的状态下，对所述衬底进行热处理的第二热处理工序。
衬底处理方法装置

[发明专利]衬底、半导体器件及衬底制作方法-CN201710317803.3有效
发明人：李雪威;张纪才;王建峰;徐科 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2017-05-08 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种衬底、半导体器件及衬底制作方法，该衬底包括蓝宝石衬底、以及形成于蓝宝石衬底上的图形化的AlN薄膜。该半导体器件包括所述的衬底、以及形成于所述衬底上的外延层。衬底的制作方法包括：先蒸镀掩膜材料，然后再进行干法刻蚀掩膜，再通过湿法腐蚀AlN，最后在除去掩膜材料，从而形成图形化AlN薄膜的方法。
衬底蓝宝石半导体器件图形化刻蚀干法刻蚀湿法腐蚀掩膜材料制备制作测试手段晶体生长器件效率制备工艺常规的外延层掩膜蒸镀保证申请

[发明专利]衬底处理装置及衬底处理方法-CN201711252221.8有效
发明人：李永尧;曾威翔 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-12-01 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本揭露提供一种衬底处理装置和衬底处理方法。所述衬底处理装置包含：可旋转基座，其经配置以固持衬底；驱动机构，其连接到所述可旋转基座；液体浇注喷嘴，其在所述基座上方；温度传感器，其经配置以探测所述衬底处理装置的温度；及控制器，其与所述温度传感器及所述驱动机构通信所述衬底处理方法包含：将衬底提供于处理室的基座上；探测所述处理室的温度；计算所述处理室的所述温度与预定温度之间的温度差；及根据所述温度差确定相对于所述基座的预定旋转速度的旋转速度差。
衬底处理装置方法

[发明专利]衬底处理设备和衬底处理方法-CN201110453876.8有效
发明人：金相淳;程成德;金奎完;李允镐 -专利权人： AP系统股份有限公司;三星电子股份有限公司
申请日： 2011-12-30 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供一种衬底处理设备和衬底处理方法。衬底处理设备包含：第一和第二分配单元，其经配置以涂布原料，第一和第二分配单元相对于彼此独立移动；处理框，其经配置以使用第一和第二分配单元将原料实际涂布到待处理的衬底上；第一测试框，其安置在处理框的一侧上以维护和修复第一分配单元
衬底处理设备方法

[发明专利]衬底处理装置以及衬底的生产方法-CN201410459438.6有效
发明人：田边光朗;柳泽爱彦;汤浅和宏;境正宪;坪田康寿 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2014-09-10 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及衬底处理装置以及衬底的生产方法，解决了如下问题：衬底载置部外周的热由构成气体分散通道的壁吸收，结果，难以使衬底面内的温度均匀。具有：腔室盖部，具有第一加热机构；衬底载置部，靠近该腔室盖部，并具有用于加热衬底的第二加热机构；处理容器，至少由所述腔室盖部和所述衬底载置部构成；控制部，在所述第二加热机构加热所述衬底载置部时，控制所述第一加热机构从而抑制来自所述第二加热机构的热能从所述衬底载置部向所述腔室盖部热传递
衬底处理装置以及生产方法

[发明专利]衬底处理装置及衬底的制造方法-CN201210055674.2有效
发明人：原大介;佐佐木隆史;山口天和;伊藤刚;福田正直;平松宏明;西堂周平 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2012-02-28 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明提供衬底处理装置，其具有：处理多个衬底(14)的反应室(44)；保持多个衬底(14)的舟皿(30)；具有向多个衬底(14)供给成膜气体的气体供给口(68、72)的气体供给喷嘴(60、70)；使供给到反应室内的成膜气体排出的排气口(90)；热交换部(34)，设于反应室(44)下部，定义了第二流路，该第二流路比由反应室(44)的内壁和舟皿(30)定义的第一流路窄；气体逃逸部(340)，与设于舟皿(30)上的多个衬底(14)中的最下部衬底相比设置在下方，具有定义最下部衬底与热交换部(34)之间的空间的多根支柱。
衬底处理装置制造方法

[发明专利]锗衬底的生长方法以及锗衬底-CN201110215672.0有效
发明人：魏星;薛忠营;曹共柏;张峰;张苗;王曦 -专利权人：上海新傲科技股份有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2011-07-29 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种锗衬底的生长方法，包括如下步骤：提供支撑衬底，所述支撑衬底为晶体材料；在支撑衬底表面采用第一温度外延生长第一锗晶体层；在第一锗晶体层表面采用第二温度外延生长第二锗晶体层，所述第一温度低于第二温度
衬底生长方法以及

[发明专利]衬底处理装置和衬底处理方法-CN03122663.9有效
发明人：长野泰博;伊藤规宏;佐竹圭吾;饭野正 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2003-03-08 - 公布日： 2003-10-15 - 主分类号： G03F7/36 文献下载
摘要：从共用的溶剂蒸汽(水蒸汽)供应源41和处理气体(臭氧气体)供应源42中向多个处理容器30A、30B供应臭氧气体和水蒸汽。通过调节分别设置在与各处理容器连接的排出管路80A、80B中的可调节流阀50A、50B的开启度，控制处理容器内的压力。
衬底处理装置方法

[发明专利]衬底处理设备以及衬底处理方法-CN201710019732.9有效
发明人：李昞日;金俊浩;赵相铉;刘云锺 -专利权人： AP系统股份有限公司
申请日： 2017-01-11 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种衬底处理设备以及一种应用于衬底处理设备的衬底处理方法。衬底处理设备包含：腔室，具有用于在其中处理衬底的空间；致动模块，穿过并延伸到腔室中；夹盒模块，安装在致动模块的一侧上、具有至少一个开放侧表面，且具有能够装载多个衬底的空间；以及加热部件，在面向容纳在夹盒模块中的多个衬底中的每一个的多个位置处在第一方向上延伸应用于衬底处理设备的衬底处理方法可同时除气多个衬底且可在除气期间均匀地加热每一衬底。
衬底处理设备以及方法

[发明专利]衬底处理设备和衬底处理方法-CN200610153410.5有效
发明人：福井克洋;广江敏朗 -专利权人：大日本网目版制造株式会社
申请日： 2006-09-14 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：在本发明的衬底处理设备中，当将衬底装入腔室中时，与衬底保持部一体形成的框架部插入该腔室与盖之间，从而密封该腔室的内部。当将衬底卸载至腔室上方时，腔室与盖形成直接接触，从而密封该腔室的内部。因此，当将衬底装入该腔室中时，与当将衬底卸载至该腔室的上方时，该腔室的内部能够得以令人满意地密封。
衬底处理设备方法

[发明专利]元件衬底的制造方法及衬底保持装置-CN200610164127.2有效
发明人：阪本弘和;荒木利夫;青木理;森田浩正 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2006-10-11 - 公布日： 2007-05-02 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：在对会因电荷而产生不良的衬底实施预定处理的工序中，防止该衬底带电，并且进行控制使得在从该衬底除去电荷时流动的电流不超过预定值，结果能提高制造的器件的成品率。本发明的衬底保持装置具有保持衬底201的卡盘101和支撑卡盘101的旋转轴104，用10⁵Ωcm～10¹⁰Ωcm的电阻率值的材料形成卡盘101的和衬底201的接触部中电阻率值最低的部分
元件衬底制造方法保持装置

[发明专利]衬底处理设备和衬底处理方法-CN200610111072.9有效
发明人：我孙子良隆;广江敏朗 -专利权人：大日本网目版制造株式会社
申请日： 2006-08-18 - 公布日： 2007-02-21 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种衬底处理设备，其在部分地形成于腔室中的化学溶液处理室中进行化学溶液处理。在该化学溶液处理的过程中，该衬底处理设备密封该化学溶液处理室，测量该化学溶液处理室中的压力，并且根据测量值控制化学溶液处理室中的压力。无论该衬底处理设备所处的大气压如何，该化学溶液处理室能够受控至预定的压力。该衬底处理设备还允许对最小需求量的区域进行有效的压力控制。
衬底处理设备方法

[发明专利]衬底处理装置和衬底的制造方法-CN201780082067.6有效
发明人：横川政弘;川崎隆裕;中岛保;田中芳雄 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-12-11 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： C23C14/52 文献下载
摘要：衬底处理装置具有：保持衬底(W)并在减压加热处理室内被加热的衬底保持件(H)；使从衬底保持件(H)放射的放射热线(La)向减压加热处理室外透过的透过窗(23)；在减压加热处理室外测量透过了透过窗(23)
衬底处理装置制造方法