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[发明专利]一种用于外延工艺的衬底预热装置及设备-CN202111658267.6在审
发明人：胡承;赵海英;徐俊;盛飞龙;吴彩庭;孔倩茵 -专利权人：季华实验室
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请涉及半导体制造领域，具体而言，涉及一种用于外延工艺的衬底预热装置及设备，用于在外延生长前对衬底进行预热处理，所述用于外延工艺的衬底预热装置包括：基座；衬底取放台，用于装载并固定衬底；衬底加热器，用于对衬底进行预热处理，所述衬底加热器设置在所述衬底上方，所述衬底加热器固定连接在所述基座上；升降驱动组件，用于驱动所述衬底取放台做升降运动，使衬底靠近或远离所述衬底加热器。所述用于外延工艺的衬底预热装置通过将衬底加热器设置在衬底上方，使得衬底加热器发出的热量直接作用于衬底上表面，从而使衬底上表面的温度达到外延工艺的温度要求。
一种用于外延工艺衬底预热装置设备

[发明专利]用于制造堆叠结构的方法-CN202180019546.X在审
发明人：布鲁诺·吉瑟兰;F-X·达尔拉斯 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2021-03-16 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及用于制造包括接收衬底和表面膜的堆叠结构的方法，包括以下步骤：a)提供各自具有正面和背面的载体衬底和初始衬底，b)穿过衬底中的任一个的正面注入轻离子，在载体衬底或在初始衬底中形成掩埋弱化平面，c)经由各自正面接合载体衬底和初始衬底，d)从背面机械和/或化学减薄初始衬底以形成施主衬底，施主衬底包括源自初始衬底并设置在载体衬底上的施主层，并且掩埋弱化平面存在于载体衬底中或施主层中，施主衬底具有在施主层侧上的正面和在载体衬底侧的背面，e)提供具有正面和背面的接收衬底，f)经由各自正面接合施主衬底和接收衬底，g)沿掩埋弱化平面分离从而形成包括接收衬底和包含全部或部分施主层的表面膜的堆叠结构。
用于制造堆叠结构方法

[发明专利]衬底搬送机器人及衬底处理系统-CN201680013363.6有效
发明人：后藤博彦 -专利权人：川崎重工业株式会社
申请日： 2016-03-03 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明的控制器件(12)使机器人臂(4)及衬底保持装置(7)实施如下动作：掌片部件进入动作，使一对掌片部件(25、26)进入至衬底载置构造；衬底接收动作，以处于衬底非保持状态的掌片部件(25)接收载置在衬底载置构造的上段的衬底；及衬底载置动作，将处于衬底保持状态的掌片部件(26)的衬底载置在下段。将通过衬底接收动作接收衬底的时间、与通过衬底载置动作载置衬底的时间错开。本发明可提供一种不论衬底保持装置的衬底固定方式的种类，均能缩短衬底搬送时的作业时间的衬底搬送机器人。
衬底机器人处理系统

[发明专利]衬底处理设备、衬底退火方法及半导体器件制造方法-CN200910260500.8有效
发明人：正木宣行;流石勇一;柴垣真果;土井浩志 -专利权人：佳能安内华股份有限公司
申请日： 2009-12-15 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种衬底处理设备，其包括：能够被抽空的室；适于安装衬底的衬底台；加热单元，其适于设置在衬底台的衬底安装面上方，面对安装在至少衬底安装面上的衬底，并且在不与衬底接触的情况下通过辐射热加热衬底；挡板，其适于可收回地插入加热单元与安装在衬底安装面上的衬底之间的空间中；以及挡板驱动单元，其适于将挡板伸出到空间中/从空间收回挡板。衬底安装在衬底台上以面对加热单元，通过由来自加热单元的辐射热加热衬底而使衬底退火，并且挡板伸出到加热单元与衬底台之间的空间中。
衬底处理设备退火方法半导体器件制造

[发明专利]一种用于半导体量子计算的纯化硅衬底及其形成方法-CN202011323338.2在审
发明人：王桂磊;亨利·H·阿达姆松;孔真真;罗雪 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于半导体量子计算的纯化硅衬底及其形成方法，属于半导体技术领域，用以解决现有技术中外延纯化硅受衬底自然硅同位素成分的影响较大的问题。本发明的纯化硅衬底包括依次层叠的自然硅衬底、绝缘层和纯化硅层。本发明的形成方法包括提供一基础衬底，在基础衬底上外延形成纯化硅层，得到施主衬底；提供一自然硅衬底；在施主衬底和/或自然硅衬底上形成至少一层绝缘层；将施主衬底与自然硅衬底键合，基础衬底和自然硅衬底均位于表面，去除基础衬底或去除基础衬底和部分纯化硅层，得到纯化硅衬底。本发明的纯化硅衬底及其形成方法可用于半导体量子计算。
一种用于半导体量子计算纯化衬底及其形成方法

[发明专利]Ge复合衬底、衬底外延结构及其制备方法-CN201710371220.9有效
发明人：欧欣;张润春;龚谦;游天桂;黄凯;王曦 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2017-05-24 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种Ge复合衬底、衬底外延结构及其制备方法，所述Ge复合衬底的制备方法包括：提供Ge衬底，且所述Ge衬底具有注入面，其中，所述Ge衬底为具有斜切角度的Ge衬底；于所述注入面进行离子注入，以在所述Ge衬底的预设深度处形成缺陷层；提供支撑衬底，将所述Ge衬底与所述支撑衬底键合；沿所述缺陷层剥离部分所述Ge衬底，使所述Ge衬底的一部分转移至所述支撑衬底上，以在所述支撑衬底上形成Ge薄膜，获得Ge复合衬底通过上述方案，解决了在Si基衬底上直接生长III‑V族外延层困难、在Ge衬底上外延生长III‑V族外延层反相畴难抑制以及Ge与Si基材料等集成难的问题。
ge 复合衬底外延结构及其制备方法

[发明专利]化合物半导体衬底、外延衬底、制造化合物半导体衬底和外延衬底的方法-CN200610091740.6无效
发明人：西浦隆幸;堀江裕介;坪仓光隆;大滨理 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2006-06-12 - 公布日： 2006-12-13 - 主分类号： H01L29/12 文献下载
摘要：本发明涉及化合物半导体衬底，其包括由p型化合物半导体构成的衬底；和包含p型杂质原子的物质，该物质结合在所述衬底的表面上。
化合物半导体衬底外延制造方法

[发明专利]衬底传输装置、具有其的衬底处理设备及使用该衬底传输装置的传输衬底的方法-CN200980137027.2有效
发明人：金大镐;洪祥硕;朴周缉;朴善用 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2009-04-06 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：提供了一种衬底传输装置，包括多个水平可移动臂，主体以及多个导向器。多个水平可移动臂中的每个都适于装载衬底。主体连接至臂并水平移动各个臂。多个导向器固定至主体，以及分别布置在臂的后面，并且在臂向后移动时，引导装载在各个相应臂上的衬底的位置。因此，该衬底传输装置防止衬底在传输衬底时被移走，并且稳定地传输衬底，从而提高传输效率。
衬底传输装置具有处理设备使用方法

[发明专利]衬底处理方法-CN202210311352.3在审
发明人：王颖慧;罗晓菊 -专利权人：镓特半导体科技（上海）有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请具体涉及一种衬底处理方法，包括：提供衬底；对衬底的正面进行正面研磨；对正面研磨后的衬底进行刻蚀处理；自刻蚀处理后的所述衬底的背面进行背面减薄处理。由于在对衬底的正面进行正面研磨后，会使得衬底的正面存在大量的损伤层，从而使得衬底的正面存在较大的应力，如果在此之后直接对衬底从背面进行背面减薄，会因为衬底的正面存在较大应力使得衬底正面和背面应力不一致而导致衬底发生裂片；上述实施例中的衬底处理方法在对衬底的正面进行正面研磨后，通过对正面研磨后的衬底进行刻蚀处理，可以去除损伤层，释放衬底正面的应力；再对衬底从背面进行背面减薄时，可以使得衬底不容易发生裂片，从而提高衬底减薄的良率
衬底处理方法

[发明专利]衬底保持器、衬底支撑件和将衬底夹持至夹持系统的方法-CN201880075157.7在审
发明人： A·A·索图特;T·波耶兹 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种将衬底(W)夹持至夹持系统的方法，所述方法包括以下步骤：提供衬底保持器(200)，所述衬底保持器包括：主体(210)，具有第一主体表面(212)和第二主体表面(214)，其中所述第一主体表面和第二主体表面在所述主体的相反侧上；和多个第一突节(220a，220b)，从所述第一主体表面突出，其中每个第一突节具有配置成支撑所述衬底的远端表面；提供用于支撑所述衬底保持器的支撑表面(300)；提供多个第二突节(240)，所述多个第二突节用于通过所述支撑表面与多个第二突节的远端表面接触而将所述衬底保持器支撑在所述支撑表面上；生成第一力以将所述衬底保持器吸引至所述支撑表面；将所述衬底放置在所述衬底保持器上，以使得所述衬底接触所述多个第一突节；生成第二力以将所述衬底吸引至所述衬底保持器；和控制在释放步骤中的所述第一力和第二力中的至少一个，以使得所述主体在第二突节之间变形，从而在第一子集的多个第一突节的远端表面和衬底之间产生间隙(225，226)，并使得所述衬底被支撑在第二子集的所述多个第一突节的远端表面上。
衬底保持支撑夹持系统方法

[发明专利]衬底转移装置及使用该衬底转移装置的衬底转移方法-CN202010434391.3在审
发明人：徐宇徹 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2020-05-21 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本申请涉及一种用于向衬底施加抽吸并转移衬底的衬底转移装置以及使用该衬底转移装置的衬底转移方法。该衬底转移装置包括抽吸垫、管道和控制器，其中，抽吸垫包括具有聚甲醛(POM)和多个抽吸孔的平坦的抽吸表面，管道用于施加抽吸以通过抽吸垫的抽吸孔吸出空气，控制器配置成移动抽吸垫并控制空气的抽吸。
衬底转移装置使用方法

[发明专利]衬底支撑板、包括它的衬底处理设备以及衬底处理方法-CN202011237367.7在审
发明人：金大渊;金材玹;李承桓 -专利权人： ASMIP私人控股有限公司
申请日： 2020-11-09 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种能够选择性地在其斜角区域中处理薄膜的衬底处理设备包括用于支撑待处理衬底的衬底支撑板，衬底支撑板包括：内部，其上表面的面积小于待处理衬底的面积；以及围绕内部的外围部分，其中外围部分的上表面在内部的上表面下方
衬底支撑包括处理设备以及方法

[发明专利]衬底支撑板、包括它的衬底处理设备以及衬底处理方法-CN202011260943.X在审
发明人：金大渊;金材玹;李承桓 -专利权人： ASMIP私人控股有限公司
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：一种能够选择性地处理斜角边缘中的薄膜的衬底处理设备包括：衬底支撑板，其包括凹部和形成在凹部中的至少一个路径；以及衬底支撑板上的气体供应单元，其中凹部内的衬底支撑板的一部分与气体供应单元之间的第一距离小于气体供应单元与凹部外的衬底支撑板的另一部分之间的第二距离
衬底支撑包括处理设备以及方法

[发明专利]衬底转移装置以及具有衬底转移装置的衬底处理设备-CN202210371652.0在审
发明人：宋炳奎;高炯植;裵亨焕;玄俊鎭 -专利权人：株式会社尤金科技
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本公开涉及一种用于对末端执行器的偏转进行感测的衬底转移装置以及具有衬底转移装置的衬底处理设备。所述衬底转移装置包括：末端执行器，在第一方向上延伸且对衬底进行支撑；末端执行器握手，与末端执行器的在第一方向上的一个侧连接；水平移动单元，与末端执行器握手连接且使末端执行器在第一方向上移动；以及偏转感测单元
衬底转移装置以及具有处理设备

[发明专利]下衬底、具有该下衬底的显示装置及制造该下衬底的方法-CN200810127277.5有效
发明人：金炫荣;尹柱善;金奉柱;太胜奎 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-10-20 - 公布日： 2008-11-26 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于液晶显示装置的下衬底，一种具有该下衬底的显示装置以及一种制造该下衬底的方法，下衬底包括像素区域和电路区域。图像在像素区域显示。第一信号电极设置在电路区域。因此，制造工序得以简化，从而使下衬底的生产率提高。
衬底具有显示装置制造方法