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[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质-CN202210551509.X在审
发明人：佐佐木伸也;道田典明;山本克彦;中川崇;汤浅和宏 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质，能够一边实现基板的温度的低温化一边对形成于基板的膜进行改性处理。本发明的技术具有：处理室，其对形成有处理对象膜和作用对象膜的基板进行处理；以及电磁波发生器，其向处理室供给电磁波，当对基板照射电磁波时，作用对象膜发热，对处理对象膜进行改性处理。
处理装置半导体制造方法以及存储介质

[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质-CN201580082464.4有效
发明人： 汤浅和宏;道田典明 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2015-09-30 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明提供能进行均匀的衬底处理的技术。提供的技术具有：将衬底备于处理室中的工序，衬底中，在纵横比为20以上的图案上形成有作为基膜的绝缘膜，在绝缘膜上形成有作为处理对象的厚度以下的处理对象膜；通过从加热装置供给的电磁波而将衬底升温至第一温度的工序；在维持所述第一温度的同时，在第一处理时间的期间内处理衬底的第一处理工序；在第一处理工序后，通过从加热装置供给的电磁波而将衬底从第一温度升温至比第一温度高的第二温度的工序；及在维持第二温度的同时，在比第一处理时间短的第二处理时间的期间内处理衬底的第二处理工序。
半导体器件制造方法衬底处理装置记录介质

[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及气体供给系统-CN201710118278.2有效
发明人：渡桥由悟;汤浅和宏;森谷敦;中矶直春 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2017-03-01 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及气体供给系统。其目的在于，提高形成于衬底上的膜的膜品质。通过将下述循环进行规定次数，从而在衬底上形成晶种层的工序，循环包含对衬底供给卤系的第一处理气体的工序，对衬底供给非卤系的第二处理气体的工序，和对衬底供给含氢气体的工序；以及对衬底供给第三处理气体从而在晶种层上形成膜的工序。
半导体器件制造方法衬底处理装置气体供给系统

[发明专利]衬底处理装置以及衬底的生产方法-CN201410459438.6有效
发明人：田边光朗;柳泽爱彦;汤浅和宏;境正宪;坪田康寿 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2014-09-10 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及衬底处理装置以及衬底的生产方法，解决了如下问题：衬底载置部外周的热由构成气体分散通道的壁吸收，结果，难以使衬底面内的温度均匀。具有：腔室盖部，具有第一加热机构；衬底载置部，靠近该腔室盖部，并具有用于加热衬底的第二加热机构；处理容器，至少由所述腔室盖部和所述衬底载置部构成；控制部，在所述第二加热机构加热所述衬底载置部时，控制所述第一加热机构从而抑制来自所述第二加热机构的热能从所述衬底载置部向所述腔室盖部热传递。
衬底处理装置以及生产方法

[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理方法及衬底处理装置-CN201210365930.8有效
发明人： 汤浅和宏;赤江尚德;寺崎昌人 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2012-09-18 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请涉及半导体器件的制造方法、衬底处理方法及衬底处理装置。提高具有氧化膜和氮化膜的层合构造的绝缘膜的膜厚均匀性等。实施如下工序：通过对于处于小于大气压的压力下的处理容器内的被加热到第一温度的衬底实施规定次数的包括供给第一原料气体的工序和供给氧化气体及还原气体的工序的循环，由此在衬底上形成氧化膜的工序；通过对于处理容器内的被加热到第一温度以上第二温度以下的温度的衬底供给氮化气体，由此在氧化膜的表面上形成种晶层的工序；通过对于处理容器内的被加热到第二温度的衬底实施规定次数的包括供给第二原料气体的工序和供给氮化气体的工序的循环，由此在形成在氧化膜的表面上的种晶层上形成氮化膜的工序。
半导体器件制造方法衬底处理装置

[发明专利]半导体器件制造方法和衬底加工方法及设备-CN201110048450.4无效
发明人：王杰;笠原修;汤浅和宏;西田圭吾 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2011-02-23 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供半导体器件制造方法和衬底加工方法及设备。本文描述的实施方式涉及改善衬底质量和半导体器件性能，这由污染物或颗粒渗入具有硅膜的衬底所导致，所述硅膜形成于所述衬底上，所述实施方式还涉及形成具有小的表面粗糙度的硅膜。提供了一种半导体器件制造方法，该方法包括在衬底上形成硅膜，供应氧化种子至所述衬底上，在所述硅膜上执行热处理，将所述硅膜的表面层改变成氧化硅膜，以及去除所述氧化硅膜。
半导体器件制造方法衬底加工设备

[发明专利]半导体装置的制造方法及衬底处理装置-CN201010145606.6有效
发明人：尾崎贵志;汤浅和宏;前田喜世彦 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2004-08-25 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置的制造方法及衬底处理装置。本发明的半导体制造方法包括以下步骤：将多张衬底搬入反应管内的步骤；在所述反应管内的压力低于大气压的状态下向所述反应管内供给含氧气体与含氢气体对所述多张衬底进行氧化处理的步骤；以及将所述氧化处理后的所述多张衬底从所述反应管搬出的步骤。本发明的衬底处理装置包括：氧化处理多张衬底的反应管；对所述反应管内壁以及所述反应管内进行加热的加热源；在所述反应管内保持所述多张衬底的保持器具；含氧气体供给管路；含氢气体供给管路；排气管路；真空泵；以及将所述反应管内的压力控制为低于大气压的控制单元。
半导体装置制造方法衬底处理

[发明专利]半导体装置的制造方法及衬底处理装置-CN200480007519.7有效
发明人：尾崎贵志;汤浅和宏;前田喜世彦 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2004-08-25 - 公布日： 2006-04-19 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置制造方法，其特征为包含以下步骤：将多张衬底1搬入处理室4内的步骤、从搬入处理室4内的多张衬底1的上游侧供给含氧气体的步骤、从对应于搬入处理室4内的多张衬底存在的区域中途的至少1个部位供给含氢气体的步骤、使含氧气体与含氢气体在处理室4内发生反应从而将多张衬底1氧化的步骤、以及将处理后的衬底1从处理室4搬出的步骤。
半导体装置制造方法衬底处理

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