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[发明专利]衬底处理装置及衬底处理方法-CN202310262382.4在审
发明人：东克栄;远藤亨;竹松佑介;髙木圭将;吉原直彦 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种衬底处理装置及衬底处理方法。衬底处理装置(100)具备罐(50)、包含第1路径(C1)的路径(70)、加热器(61)、过氧化氢溶液供给路径(C3)及控制部(102)。第1路径(C1)从罐(50)将硫酸供给到喷嘴(36)。加热器(61)对第1路径(C1)的加热区域(R1)进行加热。控制部(102)将经加热器(61)加热的硫酸与过氧化氢溶液混合后从喷嘴(36)喷出到衬底(W)，然后将温度比所述经加热的硫酸低的硫酸与过氧化氢溶液混合后从喷嘴(36)喷出到衬底(W)。
衬底处理装置方法

[发明专利]基板处理装置-CN201810159654.7有效
发明人：阿部博史;奥谷学;太田乔;吉原直彦 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2018-02-26 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明的目的在于，在加热器与附着有处理液的基板的下表面接触加热时防止基板弯曲，从而能够均匀地加热基板的整个面。基板处理装置(1)的旋转基座(21)具备把持基板W的周缘的多个卡盘销(20)。加热器主体(60)配置在旋转基座(21)与由卡盘销(20)把持的基板(W)之间。在加热器主体(60)的上表面设置有多个气体嘴(61)。气体嘴(61)与非活性气体供给机构(68)和抽吸机构(69)连通，通过从气体嘴(61)喷出非活性气体来防止向加热器主体(60)下落的处理液进入气体嘴(61)，通过由气体嘴(61)抽吸能够使基板(W)均匀地吸附于加热器主体(60)的上表面。由此，防止基板弯曲，从而能够均匀地加热基板的整个面。
处理装置

[发明专利]基板处理装置-CN201810131309.2有效
发明人： 吉原直彦;小林健司;奥谷学 -专利权人：斯克林集团公司
申请日： 2015-02-26 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置以及基板处理方法，能够一边对基板进行加热一边使基板的上表面相对于水平面倾斜，并且，从基板的上方顺利且完全地排除有机溶剂等的处理液的液膜。基板处理装置具有一边对基板进行支撑一边对基板从下方进行加热的基板加热单元和使基板加热单元的姿势在水平姿势和倾斜姿势之间变更的姿势变更单元。在紧接着对基板加热的基板高温化工序执行的有机溶剂排除工序中，通过使基板加热单元的姿势变更为倾斜姿势，来使基板的上表面相对于水平面倾斜。
处理装置

[发明专利]基板处理装置-CN201810131287.X有效
发明人： 吉原直彦;小林健司;奥谷学 -专利权人：斯克林集团公司
申请日： 2015-02-26 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置以及基板处理方法，能够一边对基板进行加热一边使基板的上表面相对于水平面倾斜，并且，从基板的上方顺利且完全地排除有机溶剂等的处理液的液膜。基板处理装置具有一边对基板进行支撑一边对基板从下方进行加热的基板加热单元和使基板加热单元的姿势在水平姿势和倾斜姿势之间变更的姿势变更单元。在紧接着对基板加热的基板高温化工序执行的有机溶剂排除工序中，通过使基板加热单元的姿势变更为倾斜姿势，来使基板的上表面相对于水平面倾斜。
处理装置

[发明专利]基板处理方法及基板处理装置-CN202080061195.4在审
发明人：鳅场真树;村元僚;宗德皓太;难波敏光;吉原直彦 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2020-08-05 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：保持有具有第1面(S1)及与第1面(S1)相反的第2面(S2)的基板(WF)。在基板(WF)的第2面(S2)上配置有被加压的臭氧水(LQ)。臭氧水在用以进行基板(WF)的处理的使用点被加热。
处理方法装置

[发明专利]基板干燥方法和基板处理装置-CN201810858082.1有效
发明人：奥谷学;菊本宪幸;吉原直彦;阿部博史 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2018-07-31 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基板干燥方法和基板处理装置，所述基板干燥方法使具有图案的基板的表面干燥，其中，所述基板干燥方法包括：升华剂液膜配置工序，在所述基板的所述表面配置液体的升华剂的液膜；高蒸汽压液体配置工序，在配置于所述基板的所述表面的升华剂的液膜之上配置具有比所述升华剂高的蒸汽压且不含水的高蒸汽压液体的液膜；气化冷却工序，伴随高蒸汽压液体的气化夺走气化热使升华剂冷却，由此，使所述升华剂的液膜固化在所述基板的所述表面形成升华剂膜；以及升华工序，使所述升华剂膜升华。
干燥方法处理装置

[发明专利]基板处理方法及基板处理装置-CN201711458281.5有效
发明人：阿部博史;奥谷学;吉原直彦 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供基板处理方法，包括：基板保持工序，使基板保持单元将基板保持为水平；密闭工序，在将保持有基板的基板保持单元收纳于腔室的内部空间的状态下密闭内部空间；液膜形成工序，对基板的上表面供给用于处理基板的上表面的处理液，在基板上形成处理液的液膜；加压工序，通过对内部空间供给气体，对内部空间加压直至内部空间的压力为高于大气压的第一压力；加热工序，加热基板，使得在内部空间的压力达到第一压力的状态下在液膜与基板之间形成处理液的蒸气层；液膜排除工序，通过一边维持在液膜与基板之间形成处理液的蒸气层的状态，一边对内部空间减压直至内部空间的压力为小于第一压力的第二压力，使处理液蒸发，从基板上排除液膜。
处理方法装置

[发明专利]基板处理方法和基板处理装置-CN201710850685.2有效
发明人： 吉原直彦;奥谷学;太田乔;阿部博史 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2017-09-20 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供能由有机溶剂良好地处理基板，并使基板良好地干燥的基板处理方法和装置。该方法包括：基板保持工序，将基板保持为水平；基板旋转工序，使基板以沿着铅垂方向的旋转轴线为中心旋转；液膜形成工序，向基板的上表面供给处理上表面的第一有机溶剂，在上表面形成第一有机溶剂的液膜；蒸气供给工序，向具有与基板的下表面相向的相向面的加热器单元的相向面和下表面之间的空间，供给第二有机溶剂的蒸气；基板加热工序，与基板旋转工序和液膜形成工序并行，由第二有机溶剂的蒸气加热旋转状态的基板；基板干燥工序，在基板加热工序后，从基板排除第一有机溶剂的液膜，使基板停止旋转，在将基板与加热器单元接触的状态下，使基板的上表面干燥。
处理方法装置

[发明专利]基板干燥方法和基板处理装置-CN201810858104.4有效
发明人：奥谷学;菊本宪幸;吉原直彦;阿部博史 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2018-07-31 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基板干燥方法和基板处理装置，该基板干燥方法使具有图案的基板的表面干燥，其中，所述基板干燥方法包括：升华剂液膜配置工序，在所述基板的所述表面配置液体的升华剂的液膜；高蒸汽压液体供给工序，向所述基板中的与所述表面相反侧的面即背面供给具有比所述升华剂的蒸汽压高的蒸汽压且不含水的高蒸汽压液体；气化冷却工序，通过在所述基板的所述表面配置升华剂的液膜之后停止供给高蒸汽压液体，伴随高蒸汽压液体的气化夺走气化热使升华剂冷却，由此，使所述升华剂的液膜固化而在所述基板的所述表面形成升华剂膜；以及升华工序，使所述升华剂膜升华。
干燥方法处理装置

[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法-CN201710741035.4有效
发明人： 吉原直彦;小林健司;奥谷学 -专利权人：斯克林集团公司
申请日： 2015-02-26 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置以及基板处理方法，能够一边对基板进行加热一边使基板的上表面相对于水平面倾斜，并且，从基板的上方顺利且完全地排除有机溶剂等的处理液的液膜。基板处理装置具有一边对基板进行支撑一边对基板从下方进行加热的基板加热单元和使基板加热单元的姿势在水平姿势和倾斜姿势之间变更的姿势变更单元。在紧接着对基板加热的基板高温化工序执行的有机溶剂排除工序中，通过使基板加热单元的姿势变更为倾斜姿势，来使基板的上表面相对于水平面倾斜。
处理装置以及方法

[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置-CN202010470263.4在审
发明人：中井仁司;大须贺勤;吉原直彦;金松泰范;奥谷学;天久贤治;林昌之 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L21/06 文献下载
摘要：本发明提供基板处理方法以及基板处理装置。基板处理方法包括：药液处理工序，保持覆盖基板的图案形成面的药液的液膜，并使用药液来处理图案形成面；中间处理工序，使用中间处理液来处理图案形成面；填充剂喷出工序，朝向图案形成面喷出填充剂；填充剂扩大工序，使填充剂朝向基板的外周扩展；固化膜形成工序，在图案形成面形成填充剂的固化膜；下位置配置工序，将遮断部件配置在下位置并维持在下位置；以及遮断部件上升工序，朝向位于比下位置更靠上方的上位置开始遮断部件的上升。药液处理工序包括从中央喷嘴朝向图案形成面喷出药液的工序。填充剂扩大工序包括在遮断部件位于上位置的状态下开始图案形成面上的填充剂的扩大的工序。
处理方法以及装置

[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置-CN201911395272.5在审
发明人：奥谷学;大须贺勤;东克荣;阿部博史;吉原直彦 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理方法以及基板处理装置，在基板处理中，向被保持为水平状态的基板(9)的上表面(91)供给第一处理液，形成覆盖整个上表面(91)的第一处理液的液膜(81)。另外，对基板(9)进行加热，在上表面(91)上的第一处理液的液膜(81)与上表面(91)之间形成第一处理液的蒸气层(82)。然后，通过向基板(9)的上表面(91)供给第二处理液，从上表面(91)去除第一处理液的液膜(81)。由此，能够将随着蒸气层(82)的形成而进入第一处理液的液膜(81)的异物(89)从基板(9)的上表面(91)合适地去除。
处理方法以及装置

[发明专利]基板处理方法、基板处理装置和流体喷嘴-CN201610045888.X有效
发明人：奥谷学;小林健司;吉原直彦 -专利权人：株式会社思可林集团
申请日： 2016-01-22 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种能够良好地排除基板上的液膜的基板处理方法、基板处理装置和流体喷嘴，该基板处理方法包括：基板保持工序，由基板保持单元将基板保持为水平姿势；液膜形成工序，向由所述基板保持单元保持的所述基板的上表面供给处理液来形成液膜；上表面覆盖工序，在由所述基板保持单元保持的基板的上方，从所述基板的中心向周缘并与所述基板的上表面平行且呈放射状地喷出非活性气体，由此形成与所述基板的上表面平行地流动并覆盖所述基板的上表面的非活性气体流；液膜排除工序，通过向所述基板的上表面喷出非活性气体，从所述基板的上表面排除通过所述液膜形成工序形成的所述液膜。
处理方法装置流体喷嘴

[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法-CN201510087911.7有效
发明人： 吉原直彦;小林健司;奥谷学 -专利权人：斯克林集团公司
申请日： 2015-02-26 - 公布日： 2018-03-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置以及基板处理方法，能够一边对基板进行加热一边使基板的上表面相对于水平面倾斜，并且，从基板的上方顺利且完全地排除有机溶剂等的处理液的液膜。基板处理装置具有一边对基板进行支撑一边对基板从下方进行加热的基板加热单元和使基板加热单元的姿势在水平姿势和倾斜姿势之间变更的姿势变更单元。在紧接着对基板加热的基板高温化工序执行的有机溶剂排除工序中，通过使基板加热单元的姿势变更为倾斜姿势，来使基板的上表面相对于水平面倾斜。
处理装置以及方法

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