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[发明专利]多功能超疏水复合膜、其制备方法及应用-CN202310226292.X在审
发明人：刘霞;段汝玥;肖诗麒;崔树勋 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： B01D71/76 文献下载
摘要：本申请方法包括：将预浸润膜浸入含有盐酸多巴胺、1‑乙烯基咪唑、五水合硫酸铜和H2O2的缓冲液中反应，使膜表面生长PvIm‑PDA分子刷；将表面生长PvIm‑PDA分子刷的膜浸入硝酸锌溶液反应并洗涤所得产物I后，浸入2‑甲基咪唑溶液中反应并洗涤所得产物II，两个反应交替多次后超声并干燥所得产物III，使膜表面原位生长ZIF‑8；将表面原位生长
多功能疏水复合制备方法应用

[发明专利]纸基金-四棱锥状氧化亚铜纳米复合材料的制备方法-CN202010008466.1有效
发明人：于京华;杨红梅;李正林;胡孟苏;张彦;张丽娜;葛慎光 -专利权人：济南大学
申请日： 2020-01-06 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： C25D5/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种纸基金‑四棱锥状氧化亚铜纳米复合材料的制备方法，首先利用双侧生长法在纸的表面和内部结构包覆金纳米粒子导电层，获得纸基金电极，然后通过电沉积法在纸基金电极表面生长四棱锥状的氧化亚铜，最后获得纸基金基于双侧生长法制备的纸基金电极具有全方位的导电性，有利于其表面生长致密的四棱锥状氧化亚铜。四棱锥状的氧化亚铜表现出较大的表面积，这不仅有利于增强其对可见光的响应能力而且有利于其负载大量的纳米材料和生物分子，使其更好地应用于光电化学生物传感器领域。
基金棱锥氧化亚铜纳米复合材料制备方法

[发明专利]一种用于冷冻厂氨气泄露检测的气敏复合膜及其制备方法-CN201810833175.9在审
发明人：陈庆;司文彬 -专利权人：成都新柯力化工科技有限公司
申请日： 2018-07-26 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： G01N27/26 文献下载
摘要：本发明公开一种用于冷冻厂氨气泄露检测的气敏复合膜及其制备方法，制备方法为：先在叉指金电极表面涂覆ZnO纳米胶体溶液，然后再化学反应得到表面生长有ZnO纳米棒的叉指金电极；再将表面生长有ZnO纳米棒的叉指金电极加入到吡咯与植酸混合溶液中反应
氨气泄露复合膜冷冻厂制备叉指金电极表面生长检测叉指金电极表面氨气纳米胶体溶液化学反应混合溶液中响应灵敏度低温冷冻缓冲层传感器涂敷涂覆植酸吡咯

[发明专利]一种可变光谱GaAlAs光电发射材料及其制备方法-CN202110110338.2在审
发明人：徐源 -专利权人：南阳理工学院
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01J1/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种可变光谱GaAlAs光电发射材料及其制备方法，它包括衬底，衬底的上表面生长有掺杂的AlN缓冲层，AlN缓冲层的上表面生长p型指数掺杂GaAlAs光电发射层，p型指数掺杂GaAlAs光电发射层的上表面吸附单层
一种可变光谱 gaalas 光电发射材料及其制备方法

[发明专利]一种PN结制备方法、半导体器件的制作方法-CN202310209451.5在审
发明人：高东岳;张大华;叶枫叶;周东海;钱培华 -专利权人：南瑞联研半导体有限责任公司
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：其包括在N型衬底表面生长牺牲氧化层；向含牺牲氧化层面的N型衬底注入P型杂质，并在氮气气氛中推进P型杂质形成PN结；腐蚀去掉N型衬底表面的牺牲氧化层，并在PN结的上表面生长氧化层；本发明方法制成的PN结可解决现有工艺制成
一种 pn 制备方法半导体器件制作方法

[发明专利]一种氮化镓垂直结型场效应管的制备方法-CN202111413196.3在审
发明人：刘新科;黄昊;杨嘉颖;贺威;黎晓华;宋利军;黄双武 -专利权人：深圳大学
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种氮化镓垂直结型场效应管的制备方法，包括：在N+型氮化镓衬底上生长N‑型氮化镓外延层，在N‑型氮化镓外延层的两侧通过离子注入的方式掩模生长0.5～2um深的P型氮化镓外延层；在N‑型氮化镓外延层和P型氮化镓外延层表面生长N‑型氮化镓铝外延层，选择性刻蚀N‑型氮化镓铝外延层以保留与P型氮化镓外延层相邻的N‑型氮化镓铝外延层；在刻蚀后的器件表面生长氮化镓外延层，并在器件表面的中间区域刻蚀预设深度后生长P型氮化镓外延层，刻蚀器件表面并生长绝缘层；刻蚀部分绝缘层并在器件表面蒸镀金属膜，经剥离、退火后形成欧姆电极。
一种氮化垂直场效应制备方法

[发明专利]以泡沫铜为基底构筑二维金属有机框架纳米水解电催化剂的制备方法及其应用于电解水析氢-CN201811632468.7有效
发明人：邱凤仙;荣坚;潘少兵;张涛;朱瑶;许锦超;杨冬亚;徐吉成 -专利权人：江苏大学
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： C25B11/06 文献下载
摘要：本发明属于电催化析氢材料制备技术领域，涉及一种以泡沫铜为基底构筑二维金属有机框架纳米水解电催化剂的制备方法，以泡沫铜为基底，首先通过自牺牲模板法在其表面原位生长花状的磷酸铜纳米片，然后以泡沫铜表面生长的磷酸铜纳米片为基底，在其表面原位生长垂直于Cu3(PO4)2纳米片的含铜MOFs纳米片。本发明以泡沫铜为反应基底，具有三维网络大孔结构，结构稳定，材料来源丰富，价格低廉；基底结构设计以及MOFs的纳米片的生长均采用自牺牲模板法进行原位生长，无需额外添加金属源，制备过程简单可控，且基底表面生长催化剂结构稳定；通过调控反应时间和反应温度来改变复合材料形貌，形成超薄MOFs纳米片，具有高的比表面积以及高的活性位点暴露比。
泡沫基底构筑二维金属有机框架纳米水解催化剂制备方法及其应用于电解水

[发明专利]一种表面水热生长二氧化钛纳米线阵列的钛酸钡陶瓷支架的制备方法及应用-CN202111306413.9有效
发明人：刘琼;张斗;罗行;胡权 -专利权人：中南大学
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明公开了一种表面水热生长二氧化钛纳米线阵列的钛酸钡陶瓷支架的制备方法及应用，通过3D打印钛酸钡压电陶瓷，并在陶瓷表面生长二氧化钛纳米线阵列，得到表面生长二氧化钛纳米线阵列的钛酸钡陶瓷支架，将该支架应用于压电
一种表面生长氧化纳米阵列钛酸钡陶瓷支架制备方法应用

[发明专利]功率晶体管的制造方法和功率晶体管-CN201410047137.2有效
发明人：马万里 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2014-02-10 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种功率晶体管的制造方法和一种功率晶体管，其中，功率晶体管的制造方法包括：在形成有外延层的衬底的上表面生长第一氧化层；向外延层的顶部注入第一掺杂离子，形成体区层；向体区的顶部注入第二掺杂离子，形成N+区层，得到衬底结构；在衬底结构上的多个第一预设区域进行刻蚀，以形成多个沟槽；刻蚀掉剩余的第一氧化层，并在形成有沟槽的衬底上生长栅氧化层；在栅氧化层的表面生长多晶硅层，并在多晶硅层的表面生长第二氧化层
功率晶体管氧化层多晶硅层刻蚀表面生长掺杂离子衬底结构预设区域栅氧化层外延层衬底凸起制造集成度生长接触孔上表面形成体侧壁体区

[发明专利]一种锥形微纳光纤表面生长ZnO纳米棒结构的方法-CN201910128407.5在审
发明人：宋成立;李英;安文霞;景伟;黄小军;刘伟;谭艳杰;常青 -专利权人：安文霞
申请日： 2019-02-21 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： G01J1/42 文献下载
摘要：本发明一种锥形微纳光纤表面生长ZnO纳米棒结构的方法属于采油技术领域；该方法首先配置ZnO种子溶液，然后用胶头滴管将种子溶液中上层清溶液从烧杯中吸出，滴到清洗好的锥形微纳光纤上，使其表面沾满种子层，重复3次，再放入干燥箱中150摄氏度退火30min，重复着重4次；再配置生长溶液；接着在基底上生长ZnO纳米棒；最后将生长ZnO纳米棒的光纤从生长溶液中取出，用去离子水超声清洗2min，再放入干燥箱中80摄氏度干燥2h；本发明锥形微纳光纤表面生长ZnO纳米棒结构的方法用于制作光纤混合波导，将制作得到的光纤混合波导用于油井出油速度检测装置，并配合油井出油速度检测方法，能够实现检测油井出油速度的技术目的。
微纳光纤表面生长油井出油光纤混合生长溶液种子溶液干燥箱波导放入速度检测装置退火超声清洗胶头滴管去离子水速度检测生长清溶液再配置种子层重复基底烧杯吸出采油制作清洗光纤取出检测配置配合

[发明专利]一种表面处理工艺-CN201811599691.6有效
发明人：曾智勇;贾丽萍;黄贝;李俊艳 -专利权人：深圳市爱能森科技有限公司
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本发明属于导热系统技术领域，尤其涉及一种表面处理工艺，包括：首先，对基体的表面进行打磨处理；然后在打磨处理的基体表面生长二氧化硅，通过控制二氧化硅在不锈钢基体表面的形核与生长，来控制基体表面的粗糙度；紧接着在二氧化硅表面生长纳米金刚石，使基体的表面形成二氧化硅‑金刚石复合结构层，该复合结构具有优异地疏油特性和腐蚀特性。本发明提供的基体的表面处理工艺，方法简单，实用效果佳，成本低，不受基体尺寸和形状的限制，可实现在基体的表面形成大面积二氧化硅‑金刚石复合结构层，适合工业化批量生产。
一种表面处理工艺

[发明专利]高质量氮化铝模板及其制备方法和应用-CN202111497389.1有效
发明人：张纪才;刘婷 -专利权人：北京镓纳光电科技有限公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：所述制备方法包括：在异质衬底的表面生长形成第一氮化铝层；对所述第一氮化铝层的第一表面的第一区域进行第一次刻蚀，以形成至少一个第一凹陷部；在所述第一氮化铝层的第一表面生长形成第二氮化铝层；对所述第二氮化铝层的第二表面的第二区域进行第二次刻蚀，以形成至少一个第二凹陷部，且所述第二区域和第一区域在异质衬底表面上的正投影区域无重叠区域；在所述第二氮化铝层的第二表面生长形成第三氮化铝层。
质量氮化模板及其制备方法应用

[发明专利]一种大尺寸原子层厚六方氮化硼单晶的制备方法-CN201410246280.4在审
发明人：郭万林;殷俊;李雪梅 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2014-06-05 - 公布日： 2014-09-24 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种大尺寸原子层厚六方氮化硼单晶的制备方法，选用单晶Ge或单晶Si为基底，将基底清洗后升温，单晶Ge升温至800～930℃，单晶Si升温至1000～1400℃，使用化学气相沉积法在基底表面生长大尺寸原子层厚六方氮化硼单晶本发明利用Ge、Si等单晶表面生长的六方氮化硼的晶粒取向对基底晶向的依赖关系，使得不同晶粒长大后边界拼接相匹配，形成大面积高质量六方氮化硼单晶。
一种尺寸原子层厚六方氮化硼单晶制备方法

[发明专利]一种二硫化钨分子层薄膜的制备方法-CN201811550356.7在审
发明人：吕燕飞;黄锋;赵士超 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种二硫化钨分子层薄膜的制备方法，本发明方法以WS₂固态粉末为钼源和硫源，表面生长有氧化锌薄膜的硅片(Si)为基底，采用CVD法在基底表面生长WS₂
制备二硫化钨分子层氧化锌薄膜二维薄膜材料氧化锌薄膜薄膜材料薄膜制备表面生长固态粉末基底表面硫化钨硫蒸汽硅片成核基底硫源钼源生长应用

[发明专利]一种磷掺杂氧化锌薄膜的制备方法-CN201210530408.0有效
发明人：张阳;卢维尔;董亚斌;解婧;李超波;夏洋 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-12-10 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：所述方法包括原子层沉积设备通入含锌源气体和含氧源气体，在原子层沉积设备反应腔中的硅衬底表面生长氧化锌薄膜；原子层沉积设备通入含磷源气体和含氧源气体，在氧化锌薄膜表面生长磷氧键。
一种掺杂氧化锌薄膜制备方法