[发明专利]一种大尺寸原子层厚六方氮化硼单晶的制备方法在审
| 申请号： | 201410246280.4 | 申请日： | 2014-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN104060322A | 公开（公告）日： | 2014-09-24 |
| 发明（设计）人： | 郭万林;殷俊;李雪梅 | 申请（专利权）人： | 南京航空航天大学 |
| 主分类号： | C30B25/00 | 分类号： | C30B25/00;C30B29/60;C30B29/40 |
| 代理公司： | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人： | 贺翔 |
| 地址： | 210016 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种大尺寸原子层厚六方氮化硼单晶的制备方法，选用单晶Ge或单晶Si为基底，将基底清洗后升温，单晶Ge升温至800～930℃，单晶Si升温至1000～1400℃，使用化学气相沉积法在基底表面生长大尺寸原子层厚六方氮化硼单晶。本发明利用Ge、Si等单晶表面生长的六方氮化硼的晶粒取向对基底晶向的依赖关系，使得不同晶粒长大后边界拼接相匹配，形成大面积高质量六方氮化硼单晶。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 尺寸 原子 层厚六方 氮化 硼单晶 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种大尺寸原子层厚六方氮化硼单晶的制备方法，其特征在于：选用单晶Ge或单晶Si为基底，将基底清洗后升温，单晶Ge基底升温至800～930℃，单晶Si基底升温至1000～1400℃，使用化学气相沉积法在基底表面生长大尺寸原子层厚六方氮化硼单晶。
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- 本发明公开了一种二维纳米SnSe2晶体材料的制备方法，采用化学气相沉积法用单质硒和卤化锡在衬底上沉积所需厚度的SnSe2晶体；其中，沉积设备为水平管式炉，顺序设有上游低温区、中心温区以及下游低温区，所述单质硒和卤化锡分别独立但紧靠放置于上游低温区，所述衬底放置于下游低温区；利用不同温区的温度差，单质硒蒸汽和卤化锡蒸汽形成于上游低温区；两者反应生成SnSe2，并通过沉积载气带入下游温区，在衬底上沉积成为二维纳米SnSe2晶体材料。利用本发明方法，制备出了厚度均匀形态一致的二维纳米SnSe2晶体材料，厚度为3～10个原子层(1～3层SnSe2的厚度)，在电子器件的应用中具有广阔前景。
- 线的气相合成-201180034310.X
- L.萨穆尔森;M.霍伊林;M.马格努森;K.德珀特 - 昆南诺股份有限公司
- 2011-05-11 - 2017-03-29 - C30B25/00
- 本发明提供一种用于形成线(1)的方法和系统，其使得能够大规模过程以及具有与使用基于基底的合成所形成的线相当的高结构复杂性和材料品质。在反应器内线(1)由悬浮于气体中的催化种子颗粒(2)生长。由于模块方法，在连续过程中可形成具有不同构造的线(1)。监测和/或分类颗粒和/或形成的线的原位分析使得能够进行有效的过程控制。
- 一种二维过渡金属二硫族化合物单晶及其制备方法和应用-201510174079.4
- 刘津欣;王凌翔 - 武汉大学
- 2015-04-10 - 2017-03-15 - C30B25/00
- 本发明公开了一种二维过渡金属二硫族化合物单晶及其制备方法和应用。在惰性气氛中，借助常见的可与硫族单质(S，Se)反应的金属和氢气辅助控制体系中S或Se的浓度，以达到控制过渡金属层硫化或硒化程度的目的，利用化学气相沉积方法可控地生长TMDs单晶；将沉积时的温度控制为750℃至850℃，并且沉积时间控制为5至15分钟，完成TMDs单晶的制备；其中通过对基底溅射处理方法、硫族单质粉末用量、吸S/Se金属面积和种类、氢气浓度、生长温度、生长时间等制备参数的优化，实现对高质量二维过渡金属二硫族化合物单晶结构的严格控制。
- 一种超声提高二维材料单晶化学气相输运生长质量的方法-201510090428.4
- 张芷铭;邱俊 - 安庆美晶新材料有限公司
- 2015-02-28 - 2015-05-20 - C30B25/00
- 本发明提供了一种超声提高二维材料单晶化学气相输运生长质量的方法。通过将装有多晶粉末材料和转移剂材料的石英管上端封口后放入超声清洗机进行清洗，使得部分吸附在石英管上端的多晶粉末材料与管壁分离并集中在石英管底部，能够有效地提高单晶生长的质量和效率。
- 具有可调节属性的纳米线的高吞吐量连续气相合成-201380018747.3
- M.霍伊尔林;M.H.芒努松;K.德佩尔特;L.萨米尔森 - 昆南诺股份有限公司
- 2013-02-01 - 2015-01-21 - C30B25/00
- 一种用于形成线的方法，其包括提供悬浮在气体中的催化种子粒子，提供包括要形成的线的成分的气体前体以及从所述催化种子粒子生长线。所述线可以在425和525C之间的温度范围内生长并且可以具有纯闪锌矿结构。所述线可以是具有V族终止表面和<111>B晶体生长方向的III-V半导体纳米线。
- 专利分类
