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[发明专利]氮化镓外延层的制备方法及氮化镓外延层-CN201810935192.3有效
发明人：尹甲运;房玉龙;王波;郭艳敏;张志荣;李佳;芦伟立 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2018-08-16 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明适用于半导体技术领域，提供了一种氮化镓外延层的制备方法及氮化镓外延层，该方法包括：将衬底放置于反应室中，并将所述反应室的温度升高至预设温度；在所述衬底的上表面生长第一氮化镓层；在所述第一氮化镓层的上表面制备金属镓；在制备所述金属镓后的衬底的上表面生长第二氮化镓层；进行降温处理。本发明中的制备方法工艺难度小，能够生长大尺寸的自剥离氮化镓外延层。
氮化外延制备方法

[发明专利]一种羟基磷灰石表面生长图案化石墨烯膜的方法-CN201210040090.8有效
发明人：刘建影;常江 -专利权人：上海大学
申请日： 2012-03-20 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种羟基磷灰石表面生长图案化石墨烯膜的方法。首先，使用电子束蒸发法在羟基磷灰石陶瓷基体上形成图案化的铜层；然后，通过在这些图案化表面催化分解烃类化合物，从而在材料表面生长图案化石墨烯薄膜层；最后，验证了在材料上生长细胞的可能性。这种含图案化石墨烯膜的羟基磷灰石材料可以通过在石墨烯层上添加精确的局部电场，从而调控细胞的行为/密度，同时还结合了羟基磷灰石的促骨生长能力，为促进/辅助骨生长提供了一种新型材料。
一种羟基磷灰石表面生长图案化石墨烯膜方法

[发明专利]一种在成型多孔碳表面生长立方体纳米氧化亚铜颗粒的方法-CN201310461761.2有效
发明人：赵斌元;王菲;周洁;宁月生;赖奕坚;梅倩;王垒;甘琦;胡筱君 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2013-09-30 - 公布日： 2015-04-15 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明提供一种在成型多孔碳表面生长立方体纳米氧化亚铜颗粒的方法，将成型多孔碳多次清洗烘干后与铜盐溶液反应，将反应后的多孔碳取出烘干即在成型多孔碳的表面生长出立方体纳米氧化亚铜颗粒。本发明基于原电池原理，利用成型多孔碳表面及孔中的还原性官能团直接还原铜盐溶液，无需添加任何还原剂和表面活性剂，在成型多孔碳的表面生长出的纳米氧化亚铜颗粒形态可控、性能稳定，可直接作为催化剂使用。
一种成型多孔表面生长立方体纳米氧化亚铜颗粒方法

[发明专利]基于复合盖帽层/介质层/钝化层的HEMT器件及其制备方法-CN202111007279.2在审
发明人：李鑫 -专利权人：瑶芯微电子科技（上海）有限公司
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于复合盖帽层/介质层/钝化层的HEMT器件及其制备方法，包括：在第一衬底的上表面进行离子注入，形成第二衬底；在第二衬底的上表面形成键合中间层，将β‑Ga2O3转印到键合中间层上，并减薄，形成异质结衬底；在异质结衬底的上表面生长缓冲层；在缓冲层上依次生长次势垒层、第一掺杂层、第一异质结层、量子阱层、第二异质结层、第二掺杂层以及主势垒层；在主势垒层的上表面两侧进行离子注入，形成源极欧姆接触区以及漏极欧姆接触区；形成源极、漏极；在主势垒层的上表面生长第一氧化层以及第二氧化层；在氧化层的上表面依次生长盖帽层以及介质层；在介质层上形成栅极；在介质层的上表面生长钝化层，并刻蚀介质层以及钝化层的两侧。
基于复合盖帽介质钝化 hemt 器件及其制备方法

[发明专利]一种能够防止离子注入区边界硅棱剥落的离子注入方法-CN201510259857.X有效
发明人：李宁;付鹏;张思申;利阳;汪小军 -专利权人：中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所
申请日： 2015-05-20 - 公布日： 2018-01-16 - 主分类号： H01L21/266 文献下载
摘要：本发明公开了一种能够防止离子注入区边界硅棱剥落的离子注入方法，包括以下步骤首先对硅片表面进行处理，使硅片表面生长氧化层；然后硅片上涂覆光刻胶；接着对硅片进行离子注入；最后去除硅片表面的光刻胶。本发明通过对硅片表面进行处理，可在硅片表面生长超薄氧化层，避免硅片在去胶过程中生成上述硅棱，从而避免硅剥落问题，减少表面缺陷并提高产品成品率。
一种能够防止离子注入边界剥落方法

[发明专利]基于金刚石/InP/SiC双异质结的光电探测二极管及其制备方法-CN201810906340.9有效
发明人：王悦湖;张菊;王雨田;张玉明;宋庆文;汤晓燕;张艺蒙 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-08-10 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于金刚石/InP/SiC双异质结的光电探测二极管及其制备方法，所述方法包括：在SiC衬底的上表面连续生长同质外延层、InP层以及金刚石层；在所述金刚石层的上表面生长第一金属材料，形成光吸收层；在所述SiC衬底的下表面生长第二金属材料，形成底电极；在所述光吸收层的上表面生长第三金属材料，形成顶电极，从而制备出所述基于金刚石/InP/SiC双异质结的光电探测二极管。
基于金刚石 inp sic 双异质结光电探测二极管及其制备方法

[发明专利]制造第Ⅲ族氮化物半导体的方法和模板衬底-CN200910265539.9有效
发明人：中田尚幸;奥野浩司;牛田泰久 -专利权人：丰田合成株式会社
申请日： 2009-12-25 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：提供制造第III族氮化物半导体的方法，包括：通过蚀刻在生长衬底的表面中形成凹槽；通过溅射在生长衬底的形成凹槽的表面上形成缓冲膜；在包含氢和氨的气氛中将衬底加热至目标第III族氮化物半导体生长温度；和在生长温度下在凹槽侧表面上外延生长第调节缓冲膜厚度或者生长温度，使第III族氮化物半导体主要在凹槽侧表面上沿与生长衬底主表面平行的方向生长。缓冲膜的厚度调节为小于用于在平面生长衬底上沿垂直于生长衬底的方向均匀外延生长第III族氮化物半导体的缓冲膜的厚度。生长温度调节为低于第III族氮化物半导体在平面生长衬底上沿垂直于生长衬底的方向均匀外延生长的温度，优选为1020～1100℃。所用缓冲膜为或者更薄的AlN膜。
制造氮化物半导体方法模板衬底

[发明专利]一种生长AlN薄膜的方法-CN202011398016.4在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：至芯半导体（杭州）有限公司
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明提供一种生长AlN薄膜的方法，包括步骤：在衬底的其中一个表面进行表面改性处理；将做改性处理的所述表面生长低温AlN缓冲层；在所述AlN缓冲层上生长低温，高V/III，高压条件下AlN层；在所述低温AlN层上生长高温，低V/III，低压条件下AlN层。根据本发明的衬底表面生长AlN薄膜的方法，使得衬底表面改性生长的AlN薄膜具有较高的晶体质量，同时表面具有较少的裂纹或无裂纹。过程中可以通过控制干法刻蚀设备的功率和时间，能够有效改进表面性能，同时过程中应用湿法腐蚀也较为容易控制。
一种生长 aln 薄膜方法

[发明专利]使用芯片外围沟槽进行的半导体晶片划片裂纹防止-CN201810163867.7在审
发明人： G.波佐维沃;A.泽赫曼 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2018-02-27 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：在一个实施例中，一种形成半导体器件的方法包括：提供包括基本上平面的生长表面和一个或多个优选结晶解理面的半导体基底衬底和在平面生长表面上的外延第一III‑V类型半导体层，以及形成从第一III‑V类型半导体层的上表面至少垂直延伸到平面生长表面的第一沟槽
半导体晶片类型半导体裂纹防止平面生长外围沟槽划片优选芯片半导体基底半导体器件生长表面不平行解理面平面的上表面衬底解理

[发明专利]具有原位生长洋葱碳层结构的石墨负极材料及制备方法-CN202110834136.2在审
发明人：吉祥;罗飞 -专利权人：溧阳天目先导电池材料科技有限公司
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01M4/587 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有原位生长洋葱碳层结构的石墨负极材料及制备方法。所述石墨负极材料的内核为石墨材料，外壳为原位生长的洋葱碳层，所述洋葱碳层的厚度为1nm～1000nm；所述石墨负极材料的颗粒尺寸范围在500nm～100um。通过在石墨颗粒表面生长完整洋葱碳层，减少电解液中极性分子的嵌入。相较于目前普遍采用的包覆无定型碳的方式，在石墨颗粒表面生长而成的洋葱碳层具有更小的比表面积，形成的SEI膜更薄更均匀，能够进一步减少不可逆容量。
具有原位生长洋葱结构石墨负极材料制备方法

[发明专利]一种室温下在竹材表面生长磁性纳米γ-Fe₂O₃的方法-CN201510250226.1在审
发明人：孙庆丰;姚秋芳;金春德;李景鹏 -专利权人：浙江农林大学
申请日： 2015-05-15 - 公布日： 2015-08-19 - 主分类号： B27K3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种室温下在竹材表面生长磁性γ-Fe₂O₃纳米粒子的方法，其通过共沉淀法于室温下在竹材表面生长磁性γ-Fe₂O_3<
一种室温竹材表面生长磁性纳米 fe sub 方法

[发明专利]一种玫瑰花状的ZnO纳米结构材料及其制备技术-CN200510048904.2无效
发明人：邱东江;施红军;蒋银土;余萍;吴惠桢 -专利权人：浙江大学
申请日： 2005-01-14 - 公布日： 2005-08-17 - 主分类号： C01G9/02 文献下载
摘要：本发明的玫瑰花状ZnO纳米结构材料，其特征是直接在衬底表面生长出具有玫瑰花状形貌特征的ZnO纳米晶体结构材料。该材料的制备特征是采用电子束反应蒸发技术，在衬底表面生长得到。
一种玫瑰花 zno 纳米结构材料及其制备技术

[发明专利]金属完全限制的硅基混合激光器的制备方法-CN201410093103.7在审
发明人：隋少帅;唐明英;杨跃德;肖金龙;杜云;黄永箴 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2014-03-13 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01S5/028 文献下载
摘要：一种金属完全限制的硅基混合激光器的制备方法，包括：在SOI片上刻蚀出周期性的条形波导结构；在p型InP衬底上外延生长III/V激光器外延片；清洗；将III/V激光器外延片和SOI片键合到一起，形成键合片；在键合片上表面生长一SiO₂层，在SiO₂层表面光刻出激光器图形，刻蚀掉图形外的SiO₂层；在制作完成后的III/V激光器外延片的表面生长一层隔离层，并且在激光器谐振腔隔离层表面生长一金属覆盖层；在底部接触层上制作出图形化的N型电极，使之包围在激光器谐振腔的周围；在底部接触层的部分表面及III/V激光器谐振腔的表面蒸发一P型接触电极Ti/Pt/Au
金属完全限制混合激光器制备方法

[发明专利]N型层粗化的LED生长方法-CN201410428148.5有效
发明人：黄小辉;马刚;蔡武;周德保;康建;梁旭东 -专利权人：圆融光电科技有限公司
申请日： 2014-08-27 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种N型层粗化的LED生长方法。该方法包括在衬底的上表面通入金属源和氨气，通过所述金属源和氨气反应，在所述衬底的上表面形成无定型的缓冲层；在所述无定型的缓冲层的上表面生长非掺杂层；在所述非掺杂层的上表面生长重掺杂的N型层，其中，所述重掺杂的N型层的上表面形成V形坑，所述V形坑作为粗化的一种形式存在；采用纵向生长模式保持所述V形坑的形状，在所述重掺杂的N型层的上表面依次生长低掺N型层、量子阱层，P型层，从而形成完整的LED结构。本实施例无需二次生长，无需对P型层进行改造，不会对芯片制程产生过大影响。
型层粗化 led 生长方法

[发明专利]太阳能电池的制备方法及太阳能电池-CN201810779926.3在审
发明人：张伟;翟金叶;沈艳娇;王子谦;郎芳;李锋;史金超 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2018-07-16 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：，提供了一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池，该方法包括：衬底经制绒和背面抛光处理后，在所述衬底的正面制备第一隧穿氧化层，在所述衬底的背面制备第二隧穿氧化层；在所述第一隧穿氧化层中与正面栅线对应区域的表面生长第一多晶硅层，在所述第二隧穿氧化层的表面生长第二多晶硅层，并在所述衬底的正面制备前场，在所述衬底的背面制备发射极；在制备前场和发射极后的衬底的正面生长第一减反膜，衬底的背面生长第二减反膜；在制备第一减反膜和第二减反膜后的衬底的正面印刷正面栅线
衬底制备太阳能电池隧穿氧化层背面表面生长多晶硅层正面栅线发射极背面抛光背面栅线光伏发电烧结处理正面印刷生长印刷