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[发明专利]复合催化剂及其制造方法、水电解单元和水电解装置-CN202310922956.6在审
发明人： 黎晓华;侯晨言;邹继兆;吴洪亮;梁涛;邓哲文;徐潇;杨朋瑞;邓晨媛;郑浩宇 -专利权人：深圳大学
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C25B11/095 文献下载
摘要：本申请提供了一种复合催化剂及其制造方法、水电解单元和水电解装置，该复合催化剂包括核和壳。核包括有机金属骨架材料。壳至少部分包覆于核，壳包含第ⅥA族元素，其中，核和壳形成有异质结构。复合催化剂的核包括有机金属骨架材料，进而有利于复合催化剂活性位点的暴露，从而提高复合催化剂的催化活性。复合催化剂的壳至少部分包覆于核，且壳包含第ⅥA族元素，而这些元素属于非贵金属，并且壳与核之间形成有异质结构，该异质结构能够有助于提高电荷传输效率以及复合催化剂的结构稳定性，这样可使复合催化剂兼顾较好的催化活性和稳定性的同时，壳所包含的元素还能够降低复合催化剂的制造成本。
复合催化剂及其制造方法水电单元装置

[发明专利]一种城市建设智能监管系统及方法-CN202011048910.9有效
发明人：刘涛;黎晓华;熊明;甘东觉;严乐平 -专利权人：深圳市中科新业信息科技发展有限公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G06Q10/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种城市建设智能监管系统及方法，该城市建设智能监管系统包括管理中心层，用于各级监管部门对其管辖区内所有建设工程进行综合管理；事物处理层，用于为工程业主和工作人员提供事物处理功能；系统管理层，用于对用户组、数据源接口及栏目进行综合管理；数据资源库层，用于为系统运行提供存储服务；数据交换层，用于建立信息交换的基础数据接口。本发明完善了工程备案、巡查、安全检查、执法联调等业务之间的协同作业，建立了各监管部门与工程业主的线上通道，让数据多跑路，群众少跑腿，以信息化系统为手段对辖区内的各类小散工程、零星作业进行全面、有效的管理。
一种城市建设智能监管系统方法

[发明专利]电子材料中α粒子表面发射率确定方法以及装置-CN202310679414.0在审
发明人：邹继兆;赵劲来;黎晓华;郭继平;张帆;周迎春;孙慧斌;钱海霞 -专利权人：深圳大学;深圳市计量质量检测研究院（国家高新技术计量站、国家数字电子产品质量监督检验中心）
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G01T1/16 文献下载
摘要：本发明适用于材料检测技术领域，提供了电子材料中α粒子表面发射率确定方法以及装置。其中，所述方法包括：获取待测试电子材料的缺陷数据；根据所述待测试电子材料的缺陷数据以及预设的缺陷数据‑α粒子表面发射率模型，确定所述待测试电子材料中α粒子表面发射率；所述预设的缺陷数据‑α粒子表面发射率模型是基于多个电子材料样本，以及各个电子材料样本的缺陷数据与α粒子表面发射率处理得到。本申请可以实现直接通过缺陷数据的确定即可快速获得该待测试电子材料的α粒子表面发射率，无需再借助于精密贵重的检测设备，大大降低成本，所需实验设备简单、且操作方便、快速，对电子材料样品无任何损坏，具有广阔的应用前景。
电子材料粒子表面发射确定方法以及装置

[发明专利]一种碳掺杂绝缘层的制备方法、HEMT器件及其制备方法-CN202111638718.X有效
发明人：刘新科;林峰;李博;黄双武;宋利军;黎晓华 -专利权人：深圳市爱迪芯半导体有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种碳掺杂绝缘层的制备方法、HEMT器件及其制备方法，与现有技术相比，本发明的碳掺杂绝缘层的制备方法简洁高效，实用。等离子增强的碳离子注入增加了C的活性和均匀性。由于C进入到氮化镓的能级，从而导致形成了一层高阻区域，能够有效阻断器件的漏电，使得制备出来的碳掺杂绝缘层的漏电流大幅度下降，极大的提升了器件性能。本发明的HEMT器件具备高电阻率、高电子迁移率，低漏电流。比传统器件具有良好的电流密度和低泄漏电流，更高的器件击穿电压，具有良好导热性使器件能在较高温条件下工作。而且通过自支撑衬底材料，解决了现有的外延层晶格失配大，缺陷密度大的问题，改善了界面性能，进一步的提升了HEMT器件的性能，良品率。
一种掺杂绝缘制备方法 hemt 器件及其

[发明专利]一种氮化镓基结势垒肖特基二极管及其制备方法-CN202010494372.X有效
发明人：刘新科;利健;罗江流;王磊;贺威;林峰;黎晓华;朱德亮;吕有明 -专利权人：深圳市爱迪芯半导体有限公司
申请日： 2020-06-03 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓基结势垒肖特基二极管及其制备方法，所述的一种氮化镓基结势垒肖特基二极管包括依次层叠设置的欧姆接触电极、衬底、n型氮化镓层、p型氮化镓组块和阳极接触电极，所述p型氮化镓组块与阳极接触电极之间还设置有p+型氮化镓铝层，所述p型氮化镓组块包裹在p+型氮化镓铝层与n型氮化镓层之间。本发明的结构具有高耐压、低压降、小漏电、高频特性好及强抗过压和浪涌电流能力等效果。
一种氮化镓基结势垒肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]一种带保护结构的氮化镓JFET的制备方法-CN202310532339.5在审
发明人：刘新科;月文;陈增发;黎晓华;黄双武;贺威 -专利权人：深圳大学
申请日： 2023-05-11 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L21/337 文献下载
摘要：本发明公开一种带保护结构的氮化镓JFET的制备方法，包括：在氮化镓一侧区域注入He离子形成第一高阻区，生长外延层；在氮化镓的另一侧区域注入镁离子制备JFET的第一P阱区和第二P阱区，在第一高阻区的区域制备保护结构中二极管的P型区；用He离子注入方式在第二P阱区和保护结构中二极管的P型区之间制备第二高阻区；在保护结构中二极管的P型区的一侧的器件表面注入He离子形成第三高阻区作为保护结构中电容极板之间的介质层，对第三高阻区的两边刻蚀形成两个凹槽；在第三高阻区的两个凹槽内沉积铜得到栅极，在第一P阱区和第二P阱区表面蒸镀金属膜制备栅极，在保护结构中二极管的P型区的表面蒸镀金属膜制备源极，在第一P阱区和第二P阱区的中间区域制备源极，在氮化镓背面蒸镀金属膜制备漏极。
一种保护结构氮化 jfet 制备方法

[外观设计]氛围灯（鸡蛋形）-CN202330048412.2有效
发明人： 黎晓华 -专利权人：深圳市昂迅电子有限公司
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： 26-05 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：氛围灯（鸡蛋形）。2.本外观设计产品的用途：用于装饰的氛围灯。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
氛围鸡蛋

[发明专利]一种二维材料与氮化镓结合的双极型晶体管及其制备工艺-CN202310431632.2在审
发明人：刘新科;杨华恺;朱曦;王敏;贺威;黎晓华 -专利权人：深圳大学
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明提供了一种二维材料与氮化镓结合的双极型晶体管及其制备工艺，包括由下至上叠加形成整体式的底层集电极、衬底、n‑‑GaN层、p型二维材料层及双极区，所述双极区包括叠加在p型二维材料层上端面的基极与n+‑GaN层，所述n+‑GaN层远离基极的一端叠加有发射极；所述基极与n+‑GaN层之间存在间隙区域，所述n+‑GaN层上端面未被发射极覆盖区域叠加设有电极隔离层，所述电极隔离层充填间隙区域，在发射极与基极之间形成隔离保护。本发明将传统BJT中的p型GaN埋层基区替换为p型二维材料基区，制备过程简化制备过程，提高工艺制备的效率，规避传统p型GaN埋层基区难以激活，容易产生钝化等问题，有利于BJT的性能提升，更好应用于高频高温恶劣环境下。
一种二维材料氮化结合双极型晶体管及其制备工艺

[发明专利]晶体管的凹槽制作方法及晶体管-CN202010642467.1有效
发明人：刘新科;贲建伟;利健;罗江流;王磊;贺威;林峰;黎晓华;朱德亮;吕有明 -专利权人：深圳市红与蓝企业管理中心（有限合伙）
申请日： 2020-07-06 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提出了一种晶体管的凹槽制作方法及晶体管，该方法包括：在衬底的上方外延生长外延层；在外延层的上方转移二维材料层，并继续外延生长外延层，二维材料层和外延层形成第一凹槽；在外延层的上方、第一凹槽的两侧外延生长第一势垒层和第二势垒层；在二维材料层的上方、第一势垒层的上方和第二势垒层的上方沉积介电质层，形成第二凹槽。通过该方法制作得到的晶体管的凹槽制，其凹槽表面更光滑，表面态密度更低。
晶体管凹槽制作方法

[发明专利]具有P型二维材料插层的GaN基功率肖特基二极管及制备工艺-CN202310415456.3在审
发明人：刘新科;王敏;朱曦;杨华恺;贺威;黎晓华 -专利权人：深圳大学
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明涉及二极管技术领域，具体为一种具有P型二维材料插层的GaN基功率肖特基二极管及制备工艺。该肖特基二极管包括依次叠层结合为一体的阴极金属、衬底、n+‑GaN层、GaN漂移层、P型二维材料层和阳极金属，P型二维材料层具有贯通的开孔，阳极金属填充开孔且结合于所述GaN漂移层的顶侧，阳极金属的边缘和GaN漂移层的边缘由P型二维材料层阻隔。优选在GaN漂移层和P型二维材料层邻接处设有倾斜台面，倾斜台面和GaN漂移层的端面之间夹角在40°~60°范围内。本发明可以使肖特基二极管在保持低开启电压的同时，提高反向击穿电压，同时可以缓解阳极周围的电场集中，减小反向漏电。
具有二维材料 gan 功率肖特基二极管制备工艺

[发明专利]一种基于n型氮化镓的GAA-HEMT反相器的制备方法-CN202211559928.4在审
发明人：陈增发;高麟飞;蒋忠伟;黄双武;贺威;黎晓华;刘新科 -专利权人：深圳大学
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开基于n型氮化镓的GAA‑HEMT反相器的制备方法，包括：S1在GaN单晶衬底生长氧化铝，制作阻挡层刻蚀中部并沉积金属栅极；S2刻蚀栅极中部形成凹槽，沉积氧化铝，刻蚀氧化铝的中间和两边，在刻蚀区域生长GaN纳米片以及生长AlGaN纳米片后掺入Si，生长GaN纳米片掺入Mg形成p‑GaN纳米片；S3刻蚀p‑GaN纳米片使其宽度和栅极相同，在两层纳米片的厚度方向蒸镀金属膜制备源极和漏极，在器件表面生长氧化铝覆盖p‑GaN纳米片和AlGaN纳米片，沉积金属栅极覆盖氧化铝形成E‑mode GaN；S4生长氧化铝，刻蚀氧化铝中部沉积金属栅极，并按S2和S3的方式在制备GaN纳米片、AlGaN纳米片、源极和漏极，生长氧化铝覆盖AlGaN纳米片，沉积金属栅极覆盖氧化铝形成GAA结构的D‑mode GaN。
一种基于氮化 gaa hemt 反相器制备方法

[发明专利]一种氮面式GaN二极管及其制备工艺-CN202310426512.3在审
发明人：刘新科;朱曦;王敏;杨华恺;贺威;黎晓华 -专利权人：深圳大学
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮面式GaN二极管，包括由上至下叠加为整体结构的阳极金属层、衬底、n+‑GaN外延层、n‑‑GaN外延层和阴极金属层，所述衬底为非掺杂的GaN单晶，所述n‑‑GaN外延层的Ga面与阴极金属层采用欧姆接触，所述衬底的N面与阳极金属层采用肖特基接触，形成肖特基势垒。本发明所提供的氮面式GaN二极管采用非掺杂的GaN单晶为衬底，采用非掺杂的GaN单晶衬底制成的耐压层可以提高氮面式GaN二极管的耐压强度，提高抗冲击的性能；并对n＋‑GaN外延层与n‑‑GaN外延层的厚度与净载流子浓度的控制，优化结构设计，提高器件的整体耐压性能，衬底的N面与阳极金属层采用肖特基接触来减少漏电；而在Ga面形成欧姆接触减少接触电阻，进一步减少器件的导通电阻。
一种氮面式 gan 二极管及其制备工艺

[发明专利]一种化合物半导体集成电路隔离方法-CN202211600271.1在审
发明人：刘新科;钟泽;黄双武;贺威;王新中;黎晓华 -专利权人：深圳大学
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种化合物半导体集成电路隔离方法，包括：在衬底上规划活性区和隔离区后生长成核层，采用光刻法在活性区覆盖光刻胶掩膜，并采用物理或化学方法在隔离区沉积外延层，其中，光刻胶厚度不低于隔离区厚度，隔离区外延层与衬底均具有相同的p型导电特性；去除活性区的光刻胶露出活性区的成核层表面，并依次生长n型导电性的缓冲层、沟道层、势垒层以及p‑GaN层以使隔离区和活性区之间因半导体电性分别为p/n型形成耗尽层起到隔离作用；刻蚀p‑GaN形成栅极区，并沉积金属电极，在表面沉积电介质，进行平坦化后将电极连接形成集成电路。由于衬底上外延的p型隔离区于GaN体系的n型活性区可以形成耗尽区，增强隔离效果，实现整个外延层直至衬底区域的隔离。
一种化合物半导体集成电路隔离方法

[发明专利]一种垂直型氮化镓LED的三色芯片及制备方法-CN202310207451.1在审
发明人：刘新科;蒋忠伟;林锦沛;杨永凯;贺威;方明;黎晓华;钟泽;黄双武 -专利权人：深圳大学
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直型氮化镓LED的三色芯片，包括：重掺杂氮化镓自支撑衬底的正面依次沉积有n型氮化镓外延层、InGaN/GaN多量子阱有源层和p型氮化镓外延层，重掺杂氮化镓自支撑衬底的背面沉积有背面N‑type接触电极；p型氮化镓外延层的一侧区域覆盖单晶MoS2形成红光发射区，另一侧区域覆盖钙钛矿量子点薄膜形成绿光发射区域，在红光发射区和绿光发射区的中间区域沉积顶部+P‑type接触电极。本发明同质外延几乎不存在晶格失配等障碍，降低了缺陷密度，提高内量子效率；纵向垂直结构可以提高芯片空间上的使用率，提高Micro LED像素，可以大电流密度工作，降低芯片热效应；利用波长转换实现蓝光向红光、绿光的变换，很好的实现RGB三基色，避免了不同基色芯片的复杂剥离封装。
一种垂直氮化 led 三色芯片制备方法

[发明专利]一种GAAFET器件及其制备方法-CN202210067718.7有效
发明人：刘新科;高麟飞;陈增发;黄双武;宋利军;吴钧烨;黎晓华;贺威 -专利权人：深圳大学
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种GAAFET器件及其制备方法，本发明的GAAFET器件在现有的增强型和耗尽型GaN HEMT的结构上采用金刚石隔离且与衬底下面金刚石相连，其优势是：由于现有的增强型和耗尽型GaN HEMT集成散热晶体管导通时，两个MOS管之间采用金刚石接触，且金刚石从衬底下直到顶层电极，与传统增强型和耗尽型GaN HEMT的结构相比，更有效地散热，更长时间的正常工作，更高的输出电流密度。由于器件两侧采用离子注入，与采用刻蚀工艺结构相比，应力损伤小，形成的器件缺陷小，电学性能更好且更稳定。本发明的GAAFET器件的制备方法在提升了器件性能，提升了器件集成度，降低能耗的同时采用的都是没有任何门槛的技术手段，因此适合大规模推广和应用。
一种 gaafet 器件及其制备方法

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