专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]衬托器-CN200580010359.6无效
  • 木本恒畅;松波弘之;藤原广和 - 东洋炭素株式会社
  • 2005-03-28 - 2007-03-28 - H01L21/205
  • 本发明的一种衬托器,是用于半导体外延生长的衬托器,包括:筒型衬托器,具有多个面,所述面在外侧自由地载置多个衬底;和下述部件,其在内部配置前述筒型衬托器,具有相对于前述筒型衬托器的各前述面以向与该面相同的方向倾斜的方式对置配置的面本发明的另一种衬托器包括:筒型衬托器,具有多个面,所述面在内侧自由地载置多个衬底;和下述部件,其在外周部配置前述筒型衬托器,具有相对于前述筒型衬托器的各前述面以向与该面相同的方向倾斜的方式对置配置的面。
  • 衬托
  • [发明专利]磁阻效应器件-CN201910221333.X有效
  • 牧野健三 - TDK株式会社
  • 2019-03-22 - 2023-09-12 - H10N50/10
  • MR元件包括一个方向上较长的形状的自由层。偏置磁场发生部包括产生偏置磁场的铁磁性层。铁磁性层包括以包围自由层的外周的方式配置的两个主要部分、第一侧方部分和第二侧方部分。在与自由层的长度方向垂直的任意截面中,第一侧方部分与自由层之间的最短距离、和第二侧方部分与自由层之间的最短距离均为35nm以下。
  • 磁阻效应器件

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