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[发明专利]一种改善光刻胶脱落的方法-CN201510977448.3有效
发明人：刘静;伊福廷;张天冲;王波;张新帅;孙钢杰;王雨婷 -专利权人：中国科学院高能物理研究所
申请日： 2015-12-23 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善光刻胶脱落的方法，该方法是在衬底表面用氯化铯纳米岛自组装技术制备出合适尺寸及高度的纳米柱阵列，旋涂光刻胶后水平静置20分钟，让光刻胶充分嵌入纳米柱阵列之间。
光刻胶光刻胶图形纳米柱阵列制备衬底表面氯化铯纳米岛自组装衬底旋涂粘附嵌入孤立

[发明专利]一种水平阵列碳纳米管的制备方法-CN202310402166.5在审
发明人：杨华春;闫春生;叶家铭;李小强;谢颂京;杨水利;杜玉峰;成华伟;许玉茜;王蒙 -专利权人：河南省氟基新材料科技有限公司
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C01B32/16 文献下载
摘要：本发明涉及碳纳米管制备技术领域的一种水平阵列碳纳米管的制备方法，包括以下步骤：1)选择石墨柱作为阳极和阴极，在阴极的侧壁开设浅槽；2)阴极的浅槽内装载催化剂，将阴极和阳极水平布置在密闭的反应容器内，阳极位于阴极上方，将阴极和阳极与放电设备连接；3)反应容器抽真空后，依次往反应容器内添加甲烷和氩气；4)通电反应，在反应容器内收集得到水平阵列碳纳米管。本发明可以简化水平阵列碳纳米管制备的工艺设备，降低水平阵列碳纳米管的制备成本。
一种水平阵列纳米制备方法

[发明专利]基于非辐射共振能量转移机制的白光LED及其制备方法-CN201910106242.1在审
发明人：魏同波;赵捷;魏学成;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2019-02-01 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：GaN层上；InGaN/GaN双波长多量子阱结构层，位于所述N型掺杂GaN层上；AlGaN电子阻挡层，位于所述InGaN/GaN双波长多量子阱结构层上；P‑GaN层，位于所述AlGaN电子阻挡层上；微/纳米孔或微/纳米柱阵列，包含n(n≥1)个微/纳米孔或微/纳米柱；以及混合量子点，填充于所述微/纳米孔之中或微纳米柱阵列间隙之间；通过改变混合量子点的配比，结合量子阱中In的组分的调节，形成全光谱，实现高显色性能
纳米孔多量子阱结构层共振能量转移非掺杂GaN层低温成核层电子阻挡层白光LED 非辐射量子点双波长衬底制备纳米柱阵列高显色量子阱纳米柱微纳米柱阵列配比光谱填充

[发明专利]一种功能性微纳异质结构的印刷方法-CN201810187798.3有效
发明人：李一凡;苏萌;宋延林 -专利权人：中国科学院化学研究所;中国科学院大学
申请日： 2018-03-07 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：该方法包括下述步骤：1)将有机相纳米材料组装液均匀铺展在硅柱模板表面，然后将基底覆盖到所述硅柱模板上，使所述有机相纳米材料组装液中的溶剂挥发，在所述基底上便形成了规则排列的纳米材料沉积的点阵列结构；2)将水相纳米材料组装液注入到所述硅柱模板上，使所述水相纳米材料组装液中的水挥发，纳米材料便以规则有序的线阵列结构沉积到所述基底上，最终在所述基底上形成点线连接的微纳异质结构。
纳米材料组装异质结构基底硅柱印刷纳米材料有机相沉积电子电路光学元件规则排列基底覆盖模板表面溶剂挥发生物检测点阵列潜在的线阵列点线挥发铺展应用

[发明专利]表面增强拉曼散射传感器及其制备方法-CN201310504790.2在审
发明人：潘革波;赵宇;肖燕;刘永强;吴浩迪 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2013-10-23 - 公布日： 2015-04-29 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：本发明公开了表面增强拉曼散射传感器，包括基底以及基底上的金属纳米柱阵列，所述金属纳米柱的上端面为平面，截面为六边形；所述金属纳米柱的高度为400～600nm，直径为100～200nm；其中，相邻的两个金属纳米柱的间距为本发明提供的表面增强拉曼散射传感器，通过阳极氧化铝模板辅助得到阵列化纳米柱结构，能够显著增强拉曼散射信号，可应用于活性生物大分子、毒品、爆炸物、食品卫生、医学成像和环境检测等众多领域；并且该传感器制备工艺简单
表面增强散射传感器及其制备方法

[发明专利]一种二氧化锡薄膜材料、锂电池及制备方法-CN201810428323.9有效
发明人：李强;滕晓玲;樊书婷;商显涛;王霞;徐洁;曹德让;赵国霞;李山东 -专利权人：青岛大学
申请日： 2018-05-07 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种二氧化锡薄膜材料、锂电池及制备方法，所述二氧化锡薄膜材料，包括二氧化锡缓冲层，所述二氧化锡缓冲层上设有采用生长工艺生长的二氧化锡纳米柱阵列，其中，所述二氧化锡缓冲层的厚度为50‑150nm，所述二氧化锡纳米柱阵列中二氧化锡纳米柱的高度为3‑5μm。由以上技术方案可见，本申请实施例采用自支撑结构的二氧化锡薄膜‑二氧化锡纳米柱，由于不需要粘结剂涂片，大大减低成本并显著提高容量，而且二氧化锡纳米柱在二氧化锡薄膜上生长牢固，提高了循环稳定性。
一种氧化薄膜材料锂电池制备方法

[发明专利]一种在硅衬底上制备β-氧化镓薄膜的方法-CN201710930813.4有效
发明人：矫淑杰;张峻华;李少方 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2017-10-09 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明包括：1、在硅衬底上生长β‑氧化镓纳米柱阵列作为缓冲层；2、在β‑氧化镓纳米柱阵列作为缓冲层上制备β‑氧化镓薄膜。本发明的优点是：在硅衬底和外延层之间插入β‑Ga₂O₃纳米柱缓冲层，β‑Ga₂O₃纳米柱缓冲层的晶格与外延层相同不仅可降低晶格失配，由于纳米柱之间存在空隙也可使由于生长过程中应力和巨大的热膨胀系数差导致的热应力得到转移和释放，消除退火过程中由于热失配产生的裂纹，从而获得大面积均匀的、高质量的β‑Ga₂O
一种衬底制备氧化薄膜方法

[发明专利]SBD器件结构及其制备方法-CN202010765355.5有效
发明人：黎大兵;陈雨轩;孙晓娟;蒋科 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供一种SBD器件结构及其制备方法，SBD器件结构包括衬底、生长于衬底上的外延层、制备于外延层上的容纳槽内的纳米柱阵列、制备于外延层上位于纳米柱阵列区域的肖特基接触电极和制备于衬底背离外延层一侧的欧姆接触电极本发明利用纳米柱实现SBD器件阳极肖特基型金属‑半导体肖特基接触面积的增大，从两个方面综合提升SBD器件的正向导通特性：一方面，纳米柱能够增大导通时的电流密度，从而提高饱和电流并降低导通电阻；另一方面，纳米柱能加强外接偏压对外延层的控制能力，有效提高SBD器件的电流驱动能力，从而降低了SBD器件的开启电压，减小开关损耗。
sbd 器件结构及其制备方法

[发明专利]一种高分布密度纳米间隙有序阵列及其制备方法与应用-CN201810343957.4在审
发明人：李越;温路路;孙一强;蔡伟平 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2018-04-17 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：本发明公开了一种高分布密度纳米间隙有序阵列及其制备方法与应用，它是形貌尺寸均一的有序柱状阵列，呈六方非紧密排列，并且均匀生长在基底上；在所述有序柱状阵列中，相邻纳米柱之间的间隙为5～30nm。其制备方法包括将贵金属纳米颗粒阵列连同基底一起放置于反应离子刻蚀机中进行刻蚀，再进行镀膜，即制得高分布密度纳米间隙有序阵列。该高分布密度纳米间隙有序阵列可直接作为SERS基底，用于对4‑ATP进行检测。本发明能够将相邻纳米结构单元之间的间隙控制在最优间隙距离，不仅活性位点分布均匀、SERS灵敏度高、信号稳定、重现性好，而且制备工艺简单、快速高效、成本低廉、环保无污染，适合大规模工业化生产。
纳米间隙高分布基底制备柱状阵列大规模工业化生产反应离子刻蚀机贵金属纳米颗粒形貌相邻纳米结构尺寸均一活性位点间隙距离间隙控制紧密排列相邻纳米信号稳定制备工艺灵敏度重现性镀膜刻蚀应用生长检测环保

[发明专利]硅中空纳米锥阵列的制备方法-CN200910066607.9有效
发明人：杨柏;李云峰;张俊虎;朱守俊;贾菲 -专利权人：吉林大学
申请日： 2009-03-06 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅中空纳米锥阵列的制备方法，特别是涉及大面积、底径长度均一、间距可控、周期可控、排列有序的硅中空纳米锥阵列的制备方法。包括单晶硅片的清洗及表面亲水化处理、聚苯乙烯单层胶体晶体的制备、中空硅纳米柱阵列的制备、中空硅纳米锥阵列的构筑四个步骤。该方法得到的硅中空纳米锥阵列大面积、底径长度均一、间距可控、周期可控、排列有序。得到的硅中空纳米锥阵列具有十分优异的宽波段减反射性能，在深紫外到中红外波段内(250nm到15μm)有效的减少表面反射损失。
中空纳米阵列制备方法

[发明专利]一种碳化硅纳米空心柱阵列及基于其的日盲紫外探测器-CN202310124301.4在审
发明人：于永强;茆书明;崔英豪;陆梦雪;刘佳杨;张浩;孙洋洋 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2023-02-16 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅纳米空心柱阵列及基于其的日盲紫外探测器，该碳化硅纳米空心柱阵列是通过两步无掩膜感应耦合等离子刻蚀方法而制成，该探测器的结构为：将碳化硅衬底的上表面刻蚀成碳化硅纳米空心柱阵列，并以Ti
一种碳化硅纳米空心阵列基于紫外探测器

[实用新型]一种MXenes/AlN基深紫外探测器-CN202222133719.5有效
发明人：唐鑫;李国强;郑昱林 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种MXenes/AlN基深紫外探测器，由下至上依次包括硅衬底、Ti3C2Tx层状材料和AlN纳米柱阵列，所述Ti3C2Tx层状材料上设有第一金属电极；所述AlN纳米柱阵列上设有第二金属电极，Ti3C2Tx层状材料和AlN纳米柱阵列之间形成的高肖特基势垒。
一种 mxenes aln 深紫探测器

[发明专利]一种具有微柱阵列结构的防冰防腐超疏水涂层及制备方法-CN202211449633.1在审
发明人：刘福春;张万宇 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： B05D5/00 文献下载
摘要：本发明涉及涂层领域，具体涉及一种具有微柱阵列结构的防冰防腐超疏水涂层及制备方法。该方法包括：①将氟硅烷偶联剂和二氧化硅纳米颗粒混合制备改性二氧化硅纳米颗粒；②将第一份氟碳树脂、所述改性二氧化硅纳米颗粒和第一份稀释剂混合制备改性二氧化硅超疏水涂料；③将第二份氟碳树脂和第二份稀释剂混合得到氟碳清漆，将所述氟碳清漆与异氰酸酯固化剂混合后喷涂在基材上；将塑料网平铺在所述基材的表面，得到具有微柱阵列结构的氟碳清漆涂层；④在具有微柱阵列结构的氟碳清漆表面喷涂改性二氧化硅超疏水涂料，形成具有微柱阵列结构的超疏水涂层本发明的具有微柱阵列结构的超疏水涂层与平面超疏水涂层相比，其防冰性能和耐腐蚀性能有明显提高。
一种具有阵列结构防腐疏水涂层制备方法

[发明专利]一种基于石墨烯网状结构的半导体型氢气传感器-CN201810968368.5有效
发明人：赵晓辉;俞一冰;田晓宇;张露莹;蒋洪川;张万里 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-08-23 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：所述氢气传感器包括自上而下依次设置的上电极层、半导体薄膜层、敏感层、氢敏金属薄膜层和下电极层，所述敏感层为位于半导体薄膜层和氢敏金属薄膜层之间的柱状阵列结构，每个阵列单元包括与半导体薄膜层接触的半导体纳米柱、与氢敏金属薄膜接触的氢敏金属纳米柱、以及包覆于半导体纳米柱和氢敏金属纳米柱侧面的石墨烯网状结构。
一种基于石墨网状结构半导体氢气传感器

[发明专利]一种微尖端阵列器件及其制作方法-CN200710176936.X有效
发明人：陈大鹏;傅剑宇;景玉鹏;欧毅;叶甜春 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2007-11-07 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： G12B21/00 文献下载
摘要：本发明涉及微电子技术中的深亚微米、纳米加工技术领域，公开了一种微尖端阵列器件，该器件由微尖端阵列、COMS控制电路单元和连接柱构成；微尖端阵列包括多个微尖端，每个微尖端通过一个连接柱与COMS控制电路单元进行机械和电学连接；COMS控制电路单元用于控制微尖端阵列中微尖端进行独立工作；连接柱用于实现微尖端阵列中微尖端与CMOS控制单元的机械和电学连接。本发明同时公开了一种微尖端阵列器件的制作方法。利用本发明，通过CMOS电路控制金属尖端场致发射电子束，实现了高分辨率纳米级图形加工和高密度数据存储，并通过微尖端阵列化解决了单探针工作效率低的问题。
一种尖端阵列器件及其制作方法