“纳米柱阵列”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2224300个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]表面增强发光纳米柱台-CN201780096016.9在审
发明人： S·巴塞洛;A·罗卡斯;R·N·森古普塔 -专利权人：惠普发展公司，有限责任合伙企业
申请日： 2017-10-24 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： G01N21/62 文献下载
摘要：一种表面增强发光分析物纳米柱台可以包括基座、从所述基座延伸的可闭合的柱的阵列、以及连接到柱的所述阵列的流体供应装置。所述流体供应装置用于至少部分地补充所述阵列中的所述柱之间的已蒸发的流体，以将所述阵列中的所述柱之间的流体的液位保持低于所述柱的顶部。
表面增强发光纳米

[发明专利]PS小球和金纳米颗粒的微纳复合系统的有序组装方法-CN201410572818.0有效
发明人：许利苹;魏璐;曹艳华;陈艳霞;宋永杨;王书琪;张学记;王树涛 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2014-10-23 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：一种PS小球和金纳米颗粒的微纳复合系统的有序组装方法，属于纳米材料领域。本方法包括：1)、乳液聚合法制备直径为1.4微米的PS小球；2)、通过光刻技术在硅片上深度刻蚀出所需要的阵列硅柱；3)、用氧气等离子体清洗处理阵列硅柱和P型硅片基底；4)、通过蒸发组装及物理镀金技术将金纳米颗粒覆盖在本发明将溶剂挥发和模板法相结合，通过对毛细力的调控实现了对微纳米粒子精确定位、程序化组装，得到了大面积的一维微纳米线条组装阵列。并以罗丹明6G分子为检测分子，对得到的纳米阵列进行拉曼测试，发现阵列对检测信号有明显的增强作用。
ps 小球纳米颗粒复合系统有序组装方法

[发明专利]一种基于多孔氧化铝模板纳米掩膜法制备纳米材料阵列体系的方法-CN200410019998.6无效
发明人：袁志好;张晓光;别利剑;段月琴;崔永锋;王晶 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2004-07-16 - 公布日： 2005-03-16 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：一种基于多孔氧化铝模板纳米掩膜法制备纳米材料阵列体系的方法，它是由以下步骤所构成：(1)采用多孔氧化铝膜作为掩膜的模板，并将其覆盖在一定的基体材料上；(2)通过镀膜技术在基体材料上形成纳米颗粒阵列体系；(3)撤掉多孔氧化铝模板，得到纳米颗粒阵列体系；(4)利用步骤(1)、(2)、(3)所制备得的纳米颗粒阵列经过原位的化学反应转化，可进一步获得其他材料的纳米颗粒阵列体系。本发明的优越性在于该方法所制备的纳米材料具有尺寸、取向和位置可控及纳米材料的直径具有宽范围(5～200纳米)可调的特性；可在多种基体上组装纳米材料，可制备多功能纳米颗粒、纳米线、纳米管或纳米柱阵列体系。
一种基于多孔氧化铝模板纳米法制材料阵列体系方法

[发明专利]一种具有纳米柱阵列纸的制备方法及其应用-CN201811092182.4有效
发明人：顾忠泽;高兵兵;何珍珠 -专利权人：东南大学
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： G01N33/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有纳米柱阵列纸的制备方法及其应用，其制备步骤如下：1)挑选单通阳极氧化铝模板，利用丙酮和乙醇对单通阳极氧化铝模板进行清洗后，对其表面进行等离子表面处理；2)向处理后的单通阳极氧化铝模板中灌注纳米柱阵列纸的前驱液，待前驱液干燥成型后，腐蚀掉单通阳极氧化铝模板，清洗后得到具有纳米柱阵列纸。该方法制备得到的具有纳米柱阵列纸具备紧密的皮肤贴合性，并且具有多元分析的能力，应用于快速检测领域可以实现对多种待测物的多元分析，应用于可穿戴式传感器领域可明显提高传感器灵敏度，具有成本低、可重复使用、高灵敏的优点
一种具有纳米阵列制备方法及其应用

[发明专利]InGaN纳米柱阵列有源区LED及其制备方法-CN201110101381.9有效
发明人：程国胜;刘海滨 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2011-04-22 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种InGaN纳米柱阵列有源区LED及其制备方法。该LED包括依次生长在衬底上的低温GaN缓冲层、n型GaN层、有源区、p型AlGaN层和p型GaN层，所述有源区是由垂直于衬底的InGaN纳米柱阵列组成的。其制备方法包含如下步骤：将衬底放入材料生长设备中，通入Ga源和N源生长GaN低温缓冲层；升高温度，通入n型掺杂源在GaN低温缓冲层上生长n型GaN薄膜；降低温度，在n型GaN薄膜上生长垂直InGaN纳米柱阵列；升高温度，通入p型掺杂源在InGaN纳米柱阵列上生长p型掺杂AlGaN层；在p型掺杂AlGaN层上生长p型GaN层。
ingan 纳米阵列有源 led 及其制备方法

[发明专利]氮化镓/硅纳米孔柱阵列异质结构黄绿光、近红外光发光二极管及其制备方法-CN201110008059.1无效
发明人：李新建;韩昌报;贺川;王伶俐;常立红;王晓霞 -专利权人：郑州大学
申请日： 2011-01-15 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓/硅纳米孔柱阵列异质结构黄绿光、近红外光发光二极管，包括上、下接触电极，还包括透明导电薄膜、氮化镓、p型硅纳米孔柱阵列、p型单晶硅层以及金属导电薄膜层，其中p型硅纳米孔柱阵列覆盖在p型单晶硅层顶面，氮化镓与p型硅纳米孔柱阵列形成异质结；透明导电薄膜沉积在n型氮化镓的表面，p型单晶硅层底部为金属导电薄膜层。
氮化纳米阵列结构黄绿红外光发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种提高折射率传感器件品质因数的结构及测试方法-CN202010680808.4有效
发明人：黄小丹;仇超;王诗军;季小峰;王艳;朱敏 -专利权人：常州机电职业技术学院
申请日： 2020-07-15 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： G01N21/41 文献下载
摘要：该结构由基底、位于基底表面的复合层组成，所述复合层包括上金属层、中间半导体层和下介电层，其中上金属层为周期性的金属纳米颗粒阵列，中间半导体层为周期性的半导体纳米柱阵列，下介电层为周期性的介电纳米柱阵列。利用本发明中金属纳米颗粒的局域表面等离激元共振、半导体纳米柱的米氏共振与周期阵列的衍射波之间的多元耦合作用，以及介电纳米柱减弱的衬底效应，能获得灵敏度较高、带宽极窄的等离激元晶格共振，克服了传统金属等离激元晶格共振结构存在带宽较宽的问题
一种提高折射率传感器件品质因数结构测试方法

[发明专利]基于III-V族化合物半导体/硅纳米孔柱阵列的太阳能电池及其制备方法-CN201110008061.9无效
发明人：李新建;韩昌报;贺川;王伶俐;常立红 -专利权人：郑州大学
申请日： 2011-01-15 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于III-V族化合物半导体/硅纳米孔柱阵列的太阳能电池，包括上、下接触电极，还包括透明导电薄膜、n型III-V族化合物半导体、p型硅纳米孔柱阵列、p型单晶硅层以及金属导电薄膜层，其中p型硅纳米孔柱阵列覆盖在p型单晶硅层顶面，n型III-V族化合物半导体与p型硅纳米孔柱阵列形成异质结；透明导电薄膜沉积在n型III-V族化合物半导体的表面，p型单晶硅层底面沉积一层金属导电薄膜作为背电极。由于硅纳米颗粒和III-V族化合物半导体纳米单元均具有连续的粒径分布，可以实现一定范围内的光谱的连续吸收，从而使太阳光中处于不同频谱的光子均能高效地激发光生载流子，从而有效地提高了电池的光电转换效率。
基于 iii 化合物半导体纳米阵列太阳能电池及其制备方法

[发明专利]半导体薄膜的纳区横向外延生长方法-CN200910025383.7有效
发明人：王怀兵;黄小辉;杨辉;张书明 -专利权人：苏州纳晶光电有限公司
申请日： 2009-03-13 - 公布日： 2009-08-19 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体薄膜的横向外延生长方法，包括以下具体步骤：(1)在衬底材料上蒸镀一层成核金属催化剂薄层，退火后得到均匀分布在衬底上的岛状金属催化剂颗粒；(2)在外延设备中，在岛状金属颗粒的底部形成晶核；然后纵向生长纳米柱阵列；(3)利用湿法腐蚀方法除去纳米柱上的金属催化剂，得到取向、高度一致的半导体纳米柱阵列结构；(4)将上述腐蚀好的纳米柱放入外延设备中，通过侧向外延技术将纳米柱阵列合并成平整表面，然后在该平整表面上生长出所需厚度的半导体外延薄膜由于横向外延发生在纳米区域内，能够有效地抑制了缺陷和残余应力的扩散，薄膜晶体质量比传统方法更均匀，提高二维半导体薄膜的晶体质量；而且方法简单，适应性广。
半导体薄膜横向外延生长方法

[发明专利]一种基于PET/银纳米线/氧化锌镁/氧化锌镁纳米阵列的纳米发电机-CN201811313390.2在审
发明人：余璇;陈立桥;龙运前;冷哲;张挥球;胡金飞 -专利权人：浙江海洋大学
申请日： 2018-11-06 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L41/08 文献下载
摘要：一种基于PET/银纳米线/氧化锌镁/氧化锌镁纳米阵列的纳米发电机，它包括一柔性PET，所述的柔性PET上自下而上依次制备有：1）银纳米线导电薄膜层，并构成由柔性PET/银纳米线导电层薄膜层复合的底电极；2）在所述柔性PET/银纳米线导电层薄膜层之上制备氧化锌镁薄膜层；3）在所述氧化锌镁薄膜层之上制备氧化锌镁纳米阵列，获得柔性的氧化锌镁纳米柱阵列；4）在所述氧化锌镁纳米柱阵列之上制备活性层、空穴传输层；5）在上述活性层、空穴传输层上制备金顶电极层；6）在底电极和金顶电极层两个金属电极之间用铜线连接，通过导电浆料将铜丝焊接，采用环氧树脂封装焊接处，封装后连接至载体，即完成基于纳米结构薄膜电极的纳米发电机
氧化锌镁制备柔性PET 纳米发电机纳米阵列银纳米线银纳米线导电层氧化锌镁薄膜空穴传输层纳米柱阵列薄膜层底电极电极层活性层金顶环氧树脂封装纳米结构薄膜铜丝导电薄膜层导电浆料金属电极铜线焊接处电极封装焊接复合

[发明专利]一种可控制备单晶金刚石纳米柱阵列簇的方法-CN202210891980.3有效
发明人：谭心;贺占清;杨桥;王建 -专利权人：内蒙古科技大学
申请日： 2022-07-27 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明涉及金刚石色心单光子源领域，公开了一种可控制备单晶金刚石纳米柱阵列簇的方法，包括以下步骤：以单面抛光单晶硅为基底，采用微波等离子体化学气相沉积方法制备分离的微米尺度的金刚石单晶颗粒；采用阳极氧化铝模板在金刚石单晶颗粒上表面制备金属阵列掩膜；采用氧等离子体刻蚀技术实现单晶金刚石纳米柱阵列簇的制备；本发明针对现有光刻技术制备金刚石纳米柱阵列难以实现纳米尺度制备和成本高的问题，为高纯度、高亮度的金刚石单光子源的集成化和低成本制备奠定基础。
一种可控制备金刚石纳米阵列方法

[发明专利]一种可见光吸收纳米阵列及其应用-CN201910262089.1在审
发明人：张永军;赵晓宇;王雅新;温嘉红;陈雷;高稔现 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2019-04-02 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： G01N21/59 文献下载
摘要：本发明涉及纳米复合材料技术领域，尤其涉及一种可见光吸收纳米阵列，其由呈周期性排布的纳米柱构成，所述的纳米柱之间具有固定结构周期，所述的纳米柱之间的介质为空气。本发明克服了现有技术中的可见光吸收器其光吸收波段较窄，导致其应用受到限制的缺陷，通过本发明中得到的纳米阵列能够有效用于构建周期频率可、调宽频可见光吸收器件，可用于研究等离子体吸收与结构内电磁场谐振模式之间的关系
一种可见光吸收纳米阵列及其应用

[发明专利]全电介质材料的多通道聚焦涡旋光束产生器及制备方法-CN201811176482.0在审
发明人：李冠海;欧凯;郁菲茏;赵增月;陈金;陈效双;陆卫 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2018-10-10 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： G02B27/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种全电介质材料的多通道聚焦涡旋光束产生器及制备方法，包括衬底、介质纳米柱阵列。这些介质纳米柱按照特定的方式排布在衬底上；本发明通过选择合适的纳米柱周期与纳米柱的尺寸(长﹑宽﹑高)，通过引入几何相位，调节纳米柱绕其中心轴的旋转角度，从而实现对透过光束的波前相位进行全相位操控。将透镜和涡旋相位板的功能集成到一块介质纳米柱阵列器件上，实现对涡旋光束的聚焦，在设定的焦平面上产生“甜甜圈式”的能量密度分布。基于全息原理，在一个器件上实现了涡旋光束的多路产生。
涡旋纳米柱电介质材料光束产生器纳米柱阵列聚焦多通道衬底制备透镜光产生器件波前相位功能集成几何相位降低器件可集成性密度分布全息原理焦平面全相位甜甜圈相位板中心轴操控多路排布引入

[实用新型]全电介质材料的多通道聚焦涡旋光束产生器-CN201821638646.2有效
发明人：李冠海;欧凯;郁菲茏;赵增月;陈金;陈效双;陆卫 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2018-10-10 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： G02B27/09 文献下载
摘要：本专利公开了一种全电介质材料的多通道聚焦涡旋光束产生器，包括衬底、介质纳米柱阵列。这些介质纳米柱按照特定的方式排布在衬底上；本专利通过选择合适的纳米柱周期与纳米柱的尺寸(长﹑宽﹑高)，通过引入几何相位，调节纳米柱绕其中心轴的旋转角度，从而实现对透过光束的波前相位进行全相位操控。将透镜和涡旋相位板的功能集成到一块介质纳米柱阵列器件上，实现对涡旋光束的聚焦，在设定的焦平面上产生“甜甜圈式”的能量密度分布。基于全息原理，在一个器件上实现了涡旋光束的多路产生。
涡旋纳米柱电介质材料光束产生器纳米柱阵列聚焦多通道衬底透镜光产生器件波前相位功能集成几何相位降低器件可集成性密度分布全息原理焦平面全相位甜甜圈相位板中心轴操控多路排布引入

[实用新型]一种高质量GaN外延片-CN202222359335.5有效
发明人：张洁;张伯林 -专利权人：苏州芯韵半导体有限公司
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高质量GaN外延片，包括蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底上依次设置有缓冲层、GaN纳米柱层、电子阻挡层、多量子阱发光层和n‑GaN层，所述缓冲层采用AlN缓冲层或AlGaN缓冲层，所述GaN纳米柱层为阵列在缓冲层和电子阻挡层之间的AlGaN纳米柱，所述AlGaN纳米柱的厚度设置为500‑1500nm。本申请的GaN纳米柱层阵列在缓冲层和电子阻挡层之间，相对于传统的薄膜型GaN层，GaN纳米柱层与缓冲层和电子阻挡层的接触面积小，配合缓冲层压力容易得到释放，可大大降低裂纹以及缩短裂纹的长度，利用纳米柱材料有缺陷自排除效应
一种质量 gan 外延