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[发明专利]一种C/SiC复合材料基底薄膜传感器用绝缘层及其制备方法-CN202310810203.6在审
发明人：赵晓辉;裴伟钦;蒋洪川;张万里 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明属于薄膜传感器设计与生产技术领域，具体为一种C/SiC复合材料基底薄膜传感器用绝缘层及其制备方法。是利用相似化学键能够形成键过渡这一特点:采用SiO2薄膜层作为填补层、采用Si3N4薄膜层作为缓冲层，依次设于C/SiC复合材料基底上后，三者具有相同Si元素，存在类似化学键，使其在各自界面处可形成键过渡，使整个绝缘层具有良好的附着力。阻挡层采用Al2O3薄膜层，绝缘层选择以Al2O3为主要成分材料制备且设于阻挡层之上，同样利用绝缘层材料与Al2O3化学成分相近这一特点，在界面处形成化学键合，提高绝缘层与Al2O3阻挡层之间的附着力。从而实现薄膜传感器在高温高压恶劣环境下的稳定性和可靠性的提升。
一种 sic 复合材料基底薄膜传感器用绝缘及其制备方法

[发明专利]一种C/SiC复合材料基底薄膜传感器用过渡层及其制备方法-CN202310810251.5在审
发明人： 蒋洪川;裴伟钦;赵晓辉;邓新武;张羽;孙宁恺 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C23C14/30 文献下载
摘要：本发明属于薄膜传感器设计与生产技术领域，具体为一种C/SiC复合材料基底薄膜传感器用过渡层及其制备方法。是利用Zr元素在高温环境下的扩散作用，使ZrC薄膜中Zr元素向C/SiC复合材料基底方向扩散，形成从上至下Zr含量逐渐减少、C含量逐渐增加的ZrxC1‑x不定形陶瓷相，以此作为渐变陶瓷层，实现由C/SiC复合材料的低热膨胀系数到ZrC的高热膨胀系数的过渡。利用ZrSi2在1400℃以上高温下氧化，产生具有SiO2‑ZrSiO4玻璃相陶瓷的自修复效应，修复ZrSi2薄膜在高温氧化过程中产生的空洞以及微裂纹，实现传感器抗热震、抗热蚀性能的提升，提高绝缘层的抗热震性能和传感器的高温稳定性。
一种 sic 复合材料基底薄膜传感器用过渡及其制备方法

[发明专利]一种陶瓷电极塞式火工品桥区温度测量用薄膜传感器-CN202111635571.9有效
发明人： 蒋洪川;台洪日;徐睿良;李立凯;赵晓辉;邓新武 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： G01K7/02 文献下载
摘要：一种陶瓷电极塞式火工品桥区温度测量用薄膜传感器，属于薄膜温度传感器设计与集成制备技术领域。所述薄膜传感器包括自下而上依次设置的陶瓷电极塞、绝热层、薄膜热电偶敏感层、绝缘层和火工品薄膜五层结构，以及薄膜热电偶正极引线、薄膜热电偶负极引线、火工品桥区正极引线、火工品桥区负极引线四个引线。本发明采用MEMS工艺，将薄膜热电偶传感器、火工品桥区集成在陶瓷电极塞上，首次实现了火工品桥区瞬态温度的接触式测量；与传统的原子发射光谱双谱线法的非接触式测温相比，测温精度大大提升。
一种陶瓷电极塞式火工品桥区温度测量薄膜传感器

[发明专利]一种ppb级氢气传感器及其制备方法-CN202111548499.6有效
发明人： 蒋洪川;师港伟;田佳蔚;赵晓辉;代云瑜;邓新武;张万里 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：一种ppb级氢气传感器及其制备方法，属于传感器制备技术领域。所述ppb级氢气传感器包括掺Bi的氧化镍泡沫、负载于掺Bi的氧化镍泡沫之上的Pd纳米颗粒、和位于掺Bi的氧化镍泡沫两侧的两个电极；掺Bi的氧化镍泡沫是通过将泡沫镍置于装有Bi2O3的坩埚上并在空气气氛中热处理得到的，热处理温度为800～1600℃，热处理时间为2～10h。本发明将Bi掺杂于氧化镍泡沫中，Bi具有0、+3、+5价，取代了+2价的镍离子来中和载流子，促进了电子移动，极大地提高了传感器对氢气的响应；本发明传感器在空气氛围、75℃的工作温度、20ppb探测下限下输出响应ΔR为2.5×104Ω，ΔR/R0＝18.6％。
一种 ppb 氢气传感器及其制备方法

[发明专利]一种薄膜传感器用抗氧化自修复防护层及其制备方法-CN202110993606.X有效
发明人：赵晓辉;梁玉婷;刘洋;蒋洪川;张万里 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：一种薄膜传感器用抗氧化自修复防护层，属于薄膜传感器技术领域。所述自修复防护层包括依次设置于敏感功能层之上的Y‑Al‑O薄膜、Si3N4薄膜和Al2O3薄膜；其中，所述Y‑Al‑O薄膜的厚度为50‑500nm，Si3N4薄膜的厚度为0.5‑2.0μm，Al2O3薄膜的厚度为1‑5μm。本发明利用Y‑Al‑O/Si3N4薄膜在高温下形成Y‑Al‑Si‑O‑N玻璃相陶瓷的自修复效应，在1200℃以上的高温环境中对传感器防护层薄膜产生的微裂纹、空洞以及其他晶体缺陷进行修复，提升高温环境下传感器的抗氧化、抗蠕变、抗热震和抗热蚀性能。
一种薄膜传感器用氧化修复防护及其制备方法

[发明专利]一种四轴式多功能涡轮叶片测温装置-CN202010806727.4有效
发明人：王超;邱安美;钟业奎;张泽展;喻培丰;蒋洪川;丁杰雄;田贵云;姜晶 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-08-12 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： G01J5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种四轴式多功能涡轮叶片测温装置，属于航空发动机领域，特别是含有四轴的多功能可自主冷却的涡轮叶片测温装置。解决目前的涡轮叶片的温度测量装置效率低、功能单一等问题。本发明提出四轴式测温装置，提高测温装置的整体灵活性,所述四轴式结构包括伸缩的轴式结构，旋转的轴式结构，摆扫的轴式结构，以及视管、光管同轴的轴式结构；摆扫、伸缩、旋转、冷却功能集成为一体式装置结果紧凑，克服了传统测温装置过大、控制复杂等难题；红外探测器的使用使装置可用于探测不同目标表面的温度。
一种四轴式多功能涡轮叶片测温装置

[发明专利]一种ppb级探测下限的氢气传感器及其制备方法-CN202010811514.0有效
发明人： 蒋洪川;田佳蔚;邓新武;师港伟;赵晓辉;张万里 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-08-13 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：一种ppb级探测下限的氢气传感器，属于传感器技术领域。所述氢气传感器包括氧化泡沫金属以及负载于氧化泡沫金属之上的钯纳米颗粒，其中，所述钯纳米颗粒的粒径为5～10nm，所述氧化泡沫金属是将泡沫金属在空气气氛中高温热处理得到的，热处理温度为500～1000℃，时间为3～6h。本发明通过在一定温度下将泡沫金属充分氧化，在泡沫金属表面得到大量绝缘的金属氧化物纳米皱纹，该氧化泡沫金属衬底具有较大的表面积以粘附Pd纳米颗粒；利用Pd与高浓度氢气反应会生成不完全可逆的β相Pd‑H化合物的现象，首次提出了通过高浓度氢气对氢气传感器进行激活的方法，实现了该氢气传感器稳定的ppb级别的氢气传感性能。
一种 ppb 探测下限氢气传感器及其制备方法

[发明专利]一种高能量输出的氢爆膜桥及其制备方法-CN201811485665.0有效
发明人： 蒋洪川;艾梦婷;王亮;王窈;邓新武;赵晓辉;张万里 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-12-06 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供了一种高能量输出的氢爆膜桥及其制备方法，属于火工品技术领域。所述氢爆膜桥自下而上依次为基片、桥区薄膜层和保护层，所述桥区薄膜层为储氢薄膜。本发明选择储氢薄膜作为冲击片雷管的膜桥材料，该储氢薄膜在电能、脉冲激光能量等外界能量作用下发生等离子爆炸，同时由于膜桥中含有大量氢，储氢薄膜自身也会发生氢爆；因此，该储氢薄膜在电能、脉冲激光能量等外界能量的作用下会同时发生等离子爆炸和氢爆，极大地提高了该过程的单位能量输出和能量转换效率，提升了爆炸箔的可靠性和稳定性，并有效降低了起爆能量和起爆电压。
一种高能量输出氢爆膜桥及其制备方法

[发明专利]一种基于石墨烯网状结构的半导体型氢气传感器-CN201810968368.5有效
发明人：赵晓辉;俞一冰;田晓宇;张露莹;蒋洪川;张万里 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-08-23 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：一种基于石墨烯网状结构的半导体型氢气传感器，属于氢气传感器技术领域。所述氢气传感器包括自上而下依次设置的上电极层、半导体薄膜层、敏感层、氢敏金属薄膜层和下电极层，所述敏感层为位于半导体薄膜层和氢敏金属薄膜层之间的柱状阵列结构，每个阵列单元包括与半导体薄膜层接触的半导体纳米柱、与氢敏金属薄膜接触的氢敏金属纳米柱、以及包覆于半导体纳米柱和氢敏金属纳米柱侧面的石墨烯网状结构。本发明氢气传感器具有对氢气选择性好、灵敏度高、响应速度快、精度高等优点。
一种基于石墨网状结构半导体氢气传感器

[发明专利]一种高温薄膜传感器用抗热冲击复合绝缘层及其制备方法-CN201910043549.1有效
发明人：赵晓辉;刘洋;熊杰;蒋洪川;张万里 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-01-17 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： C23C14/16 文献下载
摘要：一种高温薄膜传感器用抗热冲击复合绝缘层，属于薄膜传感器技术领域。所述复合绝缘层自下而上依次为热生长Al2O3层、YZrAlO层、Al2O3层，其中，所述YZrAlO层包括非晶Al2O3薄膜以及弥散于非晶Al2O3薄膜上的钇掺杂ZrO2纳米晶，钇掺杂ZrO2纳米晶的尺寸为10～40nm，YZrAlO层中元素比Y:Zr:Al＝1：6：(37～74)。本发明复合绝缘层中弥散有钇掺杂ZrO2纳米晶，ZrO2纳米晶良好的颗粒弥散补强增韧与应力诱导相变增韧效果，有效保证了高温和剧烈热冲击环境下绝缘层与合金基底之间的附着力以及绝缘性能。
一种高温薄膜传感器用抗热冲击复合绝缘及其制备方法

[实用新型]一种具有人机交换装置的VR眼镜-CN201922297508.3有效
发明人：熊辛;荣鹤;蒋洪川;辛标 -专利权人：江西慧识智能科技有限公司
申请日： 2019-12-19 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： G02B27/01 文献下载
摘要：本实用新型涉及VR设备领域，尤其为一种具有人机交换装置的VR眼镜，包括外壳、第一固定带以及第二固定带，所述第一固定带与第二固定带的一端分别对称的连接在外壳两侧，另一端松紧配合连接，所述外壳的前端安装有可转动开合的手机固定座，所述外壳的后端安装有与使用者配合的观察部，所述第一固定带靠近观察部一侧设置有固定块，该固定块贴合人体头部的一侧安装有可调节的弧形贴合板，所述第三固定带的一端与固定块的上端面连接，另一端与固定带松紧装置缠绕转动配合。本实用新型，散热效果好，采用三个固定带进行配合工作，可以避免因设备本身所受重力而造成的滑落，同时具有两个反向旋转的风机，可有效将固定板导出的热量及时散出。
一种具有人机交换装置 vr 眼镜

[发明专利]具有温度自补偿的高温薄膜半桥式电阻应变计及制备方法-CN201710542699.8有效
发明人：蒋书文;刘豪;赵晓辉;蒋洪川;张万里 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-07-05 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明属于薄膜电阻应变计技术领域，提供一种具有温度自补偿的高温薄膜半桥式电阻应变计及制备方法，适用于原位温度不宜直接测得或者温度处于动态波动的高温环境。本发明半桥式电阻应变计，包括从下向上依次层叠的镍基合金基底、缓冲层、绝缘层、功能层及保护层，功能层由两个相同结构的图形化应变敏感单元构成，两个图形化应变敏感单元相互垂直设置、共同构成一个半桥式结构；将该薄膜半桥式电阻应变计接入惠斯通桥式电路中，能够有效的自补偿测试过程中由于温度波动(变化)引起的视应变误差以及敏感层电阻漂移所引起的漂移应变误差，从而提高应变计的测试精度和准确度；另外，其制备工艺简单、制备成本低、利于工业化生产。
具有温度补偿高温薄膜半桥式电阻应变制备方法

[发明专利]一种检测热障涂层隔热效果的薄膜温度传感器-CN201911402146.8在审
发明人：赵晓辉;谢锦华;刘洋;邵磊;蒋洪川;张万里 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： G01K7/04 文献下载
摘要：一种检测热障涂层隔热效果的薄膜温度传感器，属于薄膜传感器技术领域。所述薄膜温度传感器包括设置于涡轮叶片和热障涂层之间的薄膜热电偶敏感层，所述薄膜热电偶敏感层由N个薄膜热电偶正负极依次串联得到，所述热障涂层覆盖薄膜热电偶的冷端，其中，N≥1的正整数。本发明检测热障涂层隔热效果的薄膜温度传感器，在涡轮叶片与热障涂层之间设置薄膜热电偶，薄膜热电偶的热端位于无热障涂层保护的区域，冷端位于有热障涂层保护的区域，根据热电偶的工作原理，能够直接获得热障涂层的隔热效果，排除了多次或多样品测量隔热效果时所带来的误差。同时提高了器件的信号强度以及分辨率，在不破坏热障涂层的前提下实现了薄膜热电偶信号的引出。
一种检测热障涂层隔热效果薄膜温度传感器

[发明专利]一种薄膜传感器用复合绝缘层及其制备方法-CN201710136413.6有效
发明人： 蒋洪川;雷康;王洪敏;赵晓辉;蒋书文;张万里 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-03-09 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明属于传感器技术领域，提供一种薄膜传感器用复合绝缘层及其制备方法，用以克服现有技术中由于绝缘层与敏感功能层热膨胀系数失配导致功能层高温附着力差的难题；本发明复合绝缘层由自下而上依次重叠的热生长Al
一种薄膜传感器用复合绝缘及其制备方法

[发明专利]一种无人飞行器智能控制器设计方法-CN201910906869.5在审
发明人：荣鹤;熊辛;蒋洪川 -专利权人：江西慧识智能科技有限公司
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： G06F30/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种无人飞行器智能控制器设计方法，采用了改进的粒子群算法，即针对标准粒子群算法，设计一种自适应变换算法中惯性权重和学习因子的改进算法，采用该改进的粒子群算法设计飞行器的显模型跟踪控制器提高了设计效率，保证了系统的性能要求。
粒子群算法标准粒子群算法智能控制器设计无人飞行器改进变换算法惯性权重模型跟踪设计效率性能要求控制器自适应飞行器算法保证学习

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