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[发明专利]一种氧化镓基柔性日盲紫外火焰探测器及其制备方法-CN201810535341.7有效
发明人：张紫菡 -专利权人：金华紫芯科技有限公司
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： G01J1/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化镓基柔性日盲紫外火焰探测器及其制备方法，由α‑Ga2O3纳米柱阵列、非晶SiC薄膜、玻璃纤维布衬底以及Ti/Au薄膜电极组成，所述α‑Ga2O3纳米柱阵列与非晶SiC薄膜之间形成异质结，形成内建电场，可分离光生载流子；所述α‑Ga2O3纳米柱阵列位于非晶SiC薄膜上方，所述非晶SiC薄膜位于玻璃纤维布衬底上方；Ti/Au薄膜电极为两个，分别位于α‑Ga2O3纳米柱阵列和非晶SiC薄膜上方，其中Au薄膜位于Ti薄膜的上方。该探测器为MSSM型Ti/Au/α‑Ga2O3/SiC/Ti/Au异质结纳米阵列柔性日盲紫外火焰探测器件。
一种氧化柔性紫外火焰探测器及其制备方法

[发明专利]基于双柱电介质超表面的偏振器件-CN202110736705.X在审
发明人：邓子岚;涂清安;李枫竣;李向平 -专利权人：暨南大学
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于双柱电介质超表面的偏振器件，包括电介质基底、电介质纳米柱阵列，所述的电介质纳米柱阵列包括N组的双原子超构分子，N≥2，所述的双原子超构分子位于电介质基底上，所述的双原子超构分子包括两个尺寸一致的纳米柱，两个纳米柱的中心与水平方向呈不同夹角，两个纳米柱位于电介质基底上形成双柱电介质超表面；通过调控双原子超构分子的尺寸大小与两个纳米柱的旋转角之差/之和，实现对衍射光振幅、偏振的同时独立调控。
基于电介质表面偏振器件

[发明专利]一种硅纳米柱阵列光电池的选择性栅极及其制作方法-CN201310306868.X有效
发明人：刘静;伊福廷 -专利权人：中国科学院高能物理研究所
申请日： 2013-07-22 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅纳米柱阵列光电池的选择性栅极及其制作方法，该选择性栅极是覆盖在未被刻蚀纳米柱阵列的光电池表面，在除覆盖该选择性栅极以外的光电池表面是被刻蚀形成的硅纳米柱阵列。该方法是采用紫外光刻技术、自组装氯化铯纳米岛技术与微加工的等离子体刻蚀技术来完成硅表面选择性纳米织构化，经过热扩散的方法制作P-N结结构，再通过套刻对准技术及真空镀膜技术制作出纳米织构化光电池的选择性栅极本发明提供的选择性栅极，具有低成本和较强的工艺适应性能，在充分利用纳米织构化减小反射的特性的同时，还避免了前表面全部纳米织构化带来的欧姆接触不良的弊端，减小了串联电阻，增加欧姆接触，提高纳米织构化太阳电池的光电转换效率
一种纳米阵列光电池选择性栅极及其制作方法

[发明专利]基于表面晶格共振的光学传感器及其测试方法-CN202210440456.4在审
发明人：黄小丹;季小峰;钱月霞;马慧姝;王诗军 -专利权人：常州机电职业技术学院
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G01N21/59 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于表面晶格共振的光学传感器及其测试方法，基于表面晶格共振的光学传感器包括基底及位于基底上的硅/二氧化硅纳米柱二聚体阵列；其中，所述硅/二氧化硅纳米柱二聚体阵列由硅/二氧化硅纳米柱二聚体周期性均匀排布而成；所述硅/二氧化硅纳米柱二聚体包括两个间隔设置的硅/二氧化硅纳米柱。
基于表面晶格共振光学传感器及其测试方法

[发明专利]基于聚合物纳米柱阵列结构的金银合金膜SERS基底及其制备方法-CN202111002456.8在审
发明人：成鸣飞;车文宽;方靖淮 -专利权人：南通大学
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： B29C69/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于聚合物纳米柱阵列结构的金银合金膜SERS基底的制备方法，包括如下步骤：步骤(1)、制备PC薄膜，该膜光学透明且表面无孔洞，是制备周期性PC突起阵列结构的前提；步骤(2)、进行热压印，获得具有周期性的PC纳米柱阵列；步骤(3)、进行蒸镀，获得金@PC突起阵列结构；步骤(4)、再次蒸镀，获得银金复合膜的阵列结构的SERS基底。本发明制得的纳米结构基底，具有周期性PC突起阵列结构，且经过表面复合金属化处理，能构成多热点结构，从而为电磁场增强提供了丰富的热点类型，具有SERS灵敏度好、重复性好、稳定性强且热点面积大的优点。
基于聚合物纳米阵列结构金银合金 sers 基底及其制备方法

[发明专利]集成太赫兹和拉曼光谱的多光谱纳米阵列芯片和应用-CN201910106188.0有效
发明人：杨柯;府伟灵;杨翔;张阳 -专利权人：中国人民解放军陆军军医大学第一附属医院
申请日： 2019-02-02 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： G01N21/3577 文献下载
摘要：本发明涉及一种集成太赫兹和拉曼光谱的多光谱纳米阵列芯片和应用，包括纳米天线和位于纳米天线表面的金纳米柱，所述纳米天线横轴可放大太赫兹波信号，所述金纳米柱纵轴可放大拉曼散射信号，通过横轴和纵轴的尺寸设计使得纳米天线在太赫兹波和拉曼光谱内均具有等离子体共振信号放大效应将纳米天线设计阵列排列，在不同单元包被不同亲和受体，可实现多种肿瘤标志物的高通量检测，且灵敏度能达到pM量级，对临床检测样本中微量肿瘤标志物具有重要意义。
纳米天线拉曼光谱肿瘤标志物金纳米柱纳米阵列太赫兹波多光谱横轴放大芯片等离子体共振拉曼散射信号高通量检测尺寸设计临床检测亲和受体阵列排列重要意义灵敏度包被样本应用

[发明专利]一种具有柱状分立结构的非晶硅薄膜的制备方法-CN201410200736.3有效
发明人：李正操;袁方达 -专利权人：清华大学
申请日： 2014-05-13 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明属于硅纳米材料制备技术领域，特别涉及一种具有柱状分立结构的非晶硅薄膜的制备方法。本发明方法在玻璃基片上排布单层密排聚苯乙烯(PS)小球，然后采用磁控溅射法镀硅，得到了分立的硅纳米柱阵列。通过制备纳米柱阵列结构以及对阵列结构的调控，非晶硅薄膜的光学吸收率有了很大的提升。本方法成本低，操作简便，可调控性好，性能提升显著，因而可在硅基太阳能电池中得到广泛应用。
一种具有柱状分立结构非晶硅薄膜制备方法

[发明专利]图像传感器、制造图像传感器的方法以及包括图像传感器的电子设备-CN202211299272.7在审
发明人：金世音;朴弘圭;尹鉐皓 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-10-21 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器，包括：传感器基板，包括多个光感测单元；透明的间隔物层，布置在传感器基板的上侧；以及分色透镜阵列，布置在间隔物层的上侧。分色透镜阵列包括：第一透镜层，包括具有亚波长形状尺寸的第一纳米柱、以及设置在第一纳米柱周围的第一外围材料；以及第一化学机械抛光(CMP)停止层，设置在第一透镜层除了第一纳米柱的上表面之外的整个上表面上。
图像传感器制造方法以及包括电子设备

[发明专利]一种纳米柱阵列的制备方法-CN201410647763.5无效
发明人：叶辉;王哲玮;方旭;夏亮 -专利权人：浙江大学
申请日： 2014-11-14 - 公布日： 2015-02-25 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米柱阵列的制备方法，包括如下步骤：(1)在衬底上依次形成导电薄膜、SiO₂薄膜、多孔氧化铝薄膜；(2)在多孔氧化铝薄膜的孔洞中填充金属；(3)去除多孔氧化铝薄膜，然后以金属作为保护膜除去无保护膜覆盖的导电薄膜和SiO₂薄膜；(4)除去有保护膜覆盖的SiO₂薄膜使保护膜与导电薄膜脱离，即在衬底上形成纳米柱阵列。本发明的利用多孔氧化铝薄膜的多孔结构，制备金属掩膜，进而能够一次制备包含多个纳米柱的阵列，能够一次性制备阵列，大大降低了制备时长，且制备工艺简单，成本低廉，有利于投入商业化生产。
一种纳米阵列制备方法

[发明专利]一种基于纳米筛掩模的纳米光电器件制备方法-CN201710471122.2有效
发明人：徐智谋;李泽平;江睿;屈小鹏 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2017-06-20 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明主要属于纳米光电器件制备领域，具体涉及一种基于纳米筛掩模的纳米光电器件制备方法。通过人工生成的纳米孔阵列膜(支撑层)制备获得纳米筛掩模；将制备好的纳米筛掩模转移到光电器件上得到样片；采用沉积或刻蚀技术对样片进行沉积或刻蚀；利用物理或者化学方法去除纳米筛掩模，在光电器件上得到纳米阵列结构本发明通过人工低成本获得的纳米筛做掩模，采用纳米加工技术，制备大面积的均匀纳米孔、纳米点、纳米柱和纳米圆台阵列，从而获得纳米结构光电器件。该技术的发现与突破，将使得大面积、低成本制备半导体表面有序纳米结构阵列成为可能，对推动纳米结构半导体器件的应用意义重大。
一种基于纳米筛掩模光电器件制备方法

[发明专利]多孔三维微柱阵列材料、其制备方法及应用-CN202111487647.8在审
发明人：花天翔;郭浩;秦景;王军;李令英;钱波 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种多孔三维微柱阵列材料、其制备方法及应用。所述制备方法包括：以纳米材料分散液为墨水，以喷墨打印的方式，将所述墨水打印在冷冻平台的基板上，形成纳米材料微柱阵列；之后对其进行冷冻干燥，成型获得多孔三维微柱阵列材料。本发明通过喷墨打印结合冷冻平台的方式，制备了高深宽比、大比表面积的多孔三维微柱阵列材料，无需任何支撑或者掩膜，工艺成本低廉；整个打印过程在数分钟内可以完成，制造周期短，极具应用价值；并且，本发明制备的多孔三维微柱阵列可以作为氧化物半导体薄膜生长的模板，以此来制备柱式气体传感器，可以用于监测多种气体，具有比平面传感器更高的气体响应、更短的响应和恢复时间。
多孔三维阵列材料制备方法应用

[发明专利]一种近红外发光器件及其制备方法-CN201410648043.0在审
发明人：叶辉;方旭;王哲玮;张诗雨 -专利权人：浙江大学
申请日： 2014-11-14 - 公布日： 2015-03-11 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种近红外发光器件及其制备方法，本发明的近红外发光器件包括具有锗量子点的硅片以及位于所述硅片上的纳米柱阵列，所述的纳米柱由透明导电材料制备得到。去除多孔氧化铝薄膜，然后以金属作为保护膜除去无保护膜覆盖的透明导电薄膜和SiO₂薄膜；(4)除去有保护膜覆盖的SiO₂薄膜使保护膜与透明导电薄膜脱离，即在硅片上形成纳米柱阵列本发明的近红外发光器件在硅片上设置纳米柱阵列，大大提高了发光效率，且制备工艺简单，成本低廉，易于实现商业化应用。
一种红外发光器件及其制备方法

[发明专利]一种柱状阵列结构硼掺杂金刚石微纳米材料及其制备方法-CN201110004740.9有效
发明人：全燮;赵阳;马传军;赵慧敏;陈硕;张耀斌 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2011-01-11 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本发明属于微纳米材料技术领域，涉及一种硼掺杂金刚石微纳米材料及其制备方法。本发明的柱状阵列结构硼掺杂金刚石微纳米材料是在硅基底上制备的，其特征在于：硅基底为采用光刻技术在硅上形成单个柱高为5～20μm、柱直径为1～10μm、柱间距为2～10μm的柱状阵列结构，在硅基底上先超声接种金刚石种子，再采用微波等离子体化学气相沉积法，形成厚度为0.5～2μm的硼掺杂金刚石膜，硼掺杂金刚石柱轴向相互平行，形成有序的柱状阵列结构，单个硼掺杂金刚石柱高度为5.5～22μm、直径为2～14μm、柱间距为0.4本发明的硼掺杂金刚石微纳米材料比表面积大，可用于电化学检测等方面。
一种柱状阵列结构掺杂金刚石纳米材料及其制备方法

[发明专利]基于α/β-Ga2-CN201810998304.X有效
发明人：郭道友 -专利权人：北京镓族科技有限公司
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01G9/20 文献下载
摘要：base:Sub>O3相结的自供电日盲紫外探测器，包括α/β‑Ga2O3相结纳米柱阵列光阳极，所述α/β‑Ga2O3相结纳米柱为通过水热法、高温退火和快速高温退火法生长在衬底上的纳米柱阵列。本发明所制备的α/β‑Ga2O3相结纳米柱阵列形貌可控、尺寸均匀，具有较大的比表面积，且制备工艺简单、成本低廉、易大规模生产等优点
基于 ga base sub

[实用新型]生长在石墨烯基板上GaN纳米柱阵列的柔性紫外探测器-CN201921861266.X有效
发明人：李国强;郑昱林;王文樑;唐鑫;陈胜;杨昱辉 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本实用新型公开了生长在石墨烯基板上GaN纳米柱阵列的柔性紫外探测器。所述柔性紫外探测器自下至上依次包括柔性衬底、所述柔性衬底上的一对叉指电极、所述叉指电极上方的石墨烯层以及生长在石墨烯层上面的GaN纳米柱阵列。本实用新型的柔性紫外探测器一方面利用了石墨烯/GaN纳米柱阵列材料透明、导电和柔性的特点，提高了探测器对光的收集、光电响应灵敏度；另一方面利用了一维纳米柱材料巨大的比表面积和量子限域性，提高了光生载流子的密度和传输时间
生长石墨烯基板上 gan 纳米阵列柔性紫外探测器