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[发明专利]氧化物介质层改进的金刚石肖特基结界面的日盲紫外探测器及其制备方法-CN202211104765.0在审
发明人：刘本建;朱嘉琦;刘康;代兵;韩杰才;赵继文;张森;郝晓斌 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：氧化物介质层改进的金刚石肖特基结界面的日盲紫外探测器及其制备方法，本发明要解决现有日盲紫外探测器件工作电压高、响应度低、可探测度低的问题。本发明日盲紫外探测器在掺硼金刚石衬底的上表面沉积有金刚石本征层，在掺硼金刚石衬底的下表面沉积金属膜层作为欧姆电极，在金刚石本征层的上表面沉积氧化物介质层，在氧化物介质层上沉积金属电极作为肖特基电极；其中氧化物介质层为本发明氧化物改进的金刚石肖特基结界面的金刚石肖特基结，具有较高的开启电压，施加紫外光照后，光线使得器件提前开启，从而获得很高的光电流响应。同时具有高的光电流响应与低的暗电流，保证了器件的高可探测度。
氧化物介质改进金刚石肖特基结界面紫外探测器及其制备方法

[发明专利]高响应度β-Ga2-CN202210996460.9在审
发明人：王相虎;施华 -专利权人：上海电机学院
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了高响应度β‑Ga2O3基异质结自供能紫外探测器及其制备方法和应用，属于半导体光电器件领域。该紫外探测器由下至上包括依次层叠设置的衬底、第一电极、p型宽禁带导电薄膜、本征β‑Ga2O3薄膜耗尽层、n‑β‑Ga<本发明利用化学气相沉积、金属有机物气相外延、脉冲激光沉积等真空制膜方法得到高响应度β‑Ga2O3基异质结自供能紫外探测器，有效提高了β‑Ga2O3基异质结薄膜紫外探测器的响应度，应用在日盲波段探测方面前景广阔。
响应 ga base sub

[发明专利]一种Ga2-CN202010598047.8有效
发明人：陈星;刘可为;申德振;李炳辉;张振中 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2020-06-28 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明提供了一种Ga2O3紫外探测器，包括依次叠加设置的衬底、Ga2O2O3紫外探测器的制备方法。本发明提供的Ga2O3紫外探测器通过Ga2O32O3薄膜层具有结晶质量高、不出现分相、吸收截至边陡峭、光响应高以及暗电流恢复快等特点，进而使包含Ga2O3薄膜层的紫外探测器同时具有非常高的响应度和非常短的响应时间。
一种 ga base sub

[发明专利]一种Ga2-CN202010598084.9有效
发明人：陈星;刘可为;申德振;张振中;李炳辉 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2020-06-28 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明提供了一种Ga2O3紫外探测器，包括依次叠加设置的衬底、Ga2O2O3紫外探测器的制备方法。本发明提供的Ga2O3紫外探测器通过Ga2O32O3薄膜层具有结晶质量高、不出现分相、吸收截至边陡峭、光响应高以及暗电流恢复快等特点，进而使包含Ga2O3薄膜层的紫外探测器同时具有非常高的响应度和非常短的响应时间。
一种 ga base sub

[发明专利]对象拍摄条件判定装置、图像质量调节装置和图像拍摄设备-CN200410080030.4有效
发明人：八木茂 -专利权人：富士施乐株式会社
申请日： 2004-09-22 - 公布日： 2006-03-29 - 主分类号： H04N5/232 文献下载
摘要：本发明的用于图像拍摄设备的对象拍摄条件判定装置包括：紫外线检测元件，用于检测接收到的紫外线；比较装置，用于将该紫外线检测元件检测到的紫外线强度与事先确定的预定强度进行比较；和判定装置，用于根据该比较装置的比较结果判定对象的拍摄条件该对象拍摄条件判定装置使得能够快速响应并能够以简单容易的方式调节室内和室外之间图像的白平衡。
对象拍摄条件判定装置图像质量调节设备

[实用新型]生长在r面蓝宝石衬底上的非极性AlGaN基MSM型紫外探测器-CN201820288128.6有效
发明人：李国强;郑昱林;王文樑 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本实用新型公开了生长在r面蓝宝石衬底上的非极性AlGaN基MSM型紫外探测器。该紫外探测器，由下至上，依次包括r面蓝宝石衬底、非极性GaN缓冲层、非极性AlGaN层以及与非极性AlGaN层肖特基接触的Ni/Au金属叉指电极。本实用新型的紫外探测器具有暗电流小、光响应度高的特点，对紫外光的具有十分灵敏的探测效果。
紫外探测器非极性衬底本实用新型肖特基接触光响应度紫外光生长暗电流金属叉电极与非灵敏探测

[发明专利]一种2D GaS/AlGaN II型异质结自驱动紫外光探测器及其制备方法与应用-CN202210860915.4在审
发明人：李国强;林正梁;王文樑;吴青;唐鑫 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了一种2D GaS/AlGaN II型异质结自驱动紫外光探测器及其制备方法与应用。该紫外光探测器由下至上依次包括Si衬底层、AlN/AlGaN缓冲层、GaN缓冲层、AlGaN层；AlGaN层上有SiO2窗口层、2DGaS层、第一金属电极；2DGaS2DGaS层，利用2DGaS材料禁带宽度为3.05eV及其天然p型的特点，能够与AlGaN层实现II型异质结结构，在界面上形成内建电场，实现自驱动，完成光生载流子的有效分离和传输，产生更大的光电流，实现高响应的紫外探测器；该紫外光探测器在紫光波段拥有极高的带宽与0.82A/W高的响应度。
一种 gas algan ii 型异质结驱动紫外光探测器及其制备方法应用

[发明专利]基于荧光下转换的紫外增强CMOS图像传感器及其制备方法-CN202310308028.0在审
发明人：唐利斌;罗磊;才玉华;宋立媛;王善力 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：基于荧光下转换的紫外增强CMOS图像传感器及其制备方法，属于紫外光电探测技术领域。本发明采用一种低成本的荧光下转换材料实现紫外到可见光的转换，发射出的可见光可以与CMOS图像传感器的光谱响应峰值很好的匹配，提升CMOS图像传感器在紫外波段的响应能力。
基于荧光转换紫外增强 cmos 图像传感器及其制备方法

[发明专利]一种自驱动Se/ZnO异质结紫外光电探测器及其制备方法-CN201610824052.X有效
发明人：胡凯;滕凤;张之明;方晓生 -专利权人：复旦大学
申请日： 2016-09-13 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明属于光电器件技术领域，具体为一种自驱动Se/ZnO异质结紫外光电探测器及其制备方法。Se/ZnO异质结光电探测器具有在零偏压下工作的自驱动特性，良好的紫外光选择性和毫秒级的响应时间。该器件解决了传统的基于ZnO紫外光电探测器响应速度慢的缺点，制备工艺简单，可以应用于紫外光检测及其相关领域中。
一种驱动 se zno 异质结紫外光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种快速响应紫外光探测器及制备方法-CN201710568283.3有效
发明人：周敬然;尹博;阮圣平;刘彩霞;董玮;张歆东;郭文滨;沈亮;温善鹏;张德重;徐睿良 -专利权人：吉林大学
申请日： 2017-07-13 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：一种快速响应紫外光探测器及其制备方法，属于半导体光电探测器技术领域。从下到上由石英片衬底、Ag NPs内部修饰的纳米TiO₂薄膜有源层基体、在该有源层基体上制备的Au插指电极组成，待测的紫外光从石英片衬底底部入射。本发明制备的快速响应紫外光探测器采用的工艺简单，而且Ag和TiO₂资源丰富，易于大规模生产，能够实现对波长250～350nm的紫外光的优良检测。
制备紫外光探测器快速响应源层紫外光石英片插指衬底修饰半导体光电探测器溶胶凝胶技术薄膜表面磁控溅射电极组成基体材料石英衬波长光刻入射蒸镀剥离金属图案检测

[发明专利]一种MXenes上低维AlN材料制备方法及应用-CN202210972392.2在审
发明人：唐鑫;李国强;郑昱林 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：本发明AlN NRs在Ti3C2Tx上的范德华异质外延，构建了无需外部电源的肖特基型深紫外光电探测器，器件表现出很高的深紫外光响应度和极快的响应速度，并且具有优异的稳定性。
一种 mxenes 上低维 aln 材料制备方法应用

[发明专利]一种光响应型聚酯-CN201010548387.6无效
发明人：东为富;陈明清;任静娇;施冬健;倪忠斌;梅涛峰;吴超 -专利权人：江南大学
申请日： 2010-11-18 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： C08G63/06 文献下载
摘要：一种光响应型聚酯，由单体1(3，4-二羟基肉桂酸，对羟基肉桂酸)和单体2(3-羟基丙酸，7-羟基庚酸，10-羟基癸酸，端羟基十二酸)逐步缩聚共聚而得。该光响应型聚酯具有荧光性和紫外光反应活性，聚酯力学性能的调节可通过改变单体投料比和紫外光交联程度来实现。这种聚酯既可以作为一种通用高分子材料，也可以作为智能控制材料和生物医用材料。
一种响应聚酯

[发明专利]ATRP法合成的光响应嵌段聚合物及其制备方法和应用-CN202110686716.1在审
发明人：李文刚;何新耀;李玉博 -专利权人：佳化化学科技发展（上海）有限公司;上海抚佳精细化工有限公司
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： C08F293/00 文献下载
摘要：本发明属于光响应材料制备技术领域，具体涉及一种ATRP法合成的光响应嵌段聚合物及其制备方法和应用。通过调节紫外线辐照，形成的球形聚集体材料被解离破坏，实现缓控释放，该聚集体材料具有紫外光响应特性。本发明提供的嵌段聚合物可以广泛应用于生物医药、农药、化学催化和合成等光控缓释等领域。
atrp 合成响应聚合物及其制备方法应用

[发明专利]用于水质在线监测的紫外光电微型传感器装置及监测方法-CN201010146571.8无效
发明人：陈敦军;张开骁;胡立群;张荣;郑有炓 -专利权人：南京大学
申请日： 2010-04-14 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： G01N21/33 文献下载
摘要：用于水质在线监测的紫外光电微型传感器装置，它包括紫外光源，紫外探测器，数据采集与发送模块、支架、密封罩所组成，待监测的水流样品置于紫外光源和紫外探测器之间，其中紫外光源与紫外探测器固定在支架上，紫外光源的两端通过导线与电源相连接，紫外探测器的两端通过导线与数据采集与发送模块相连接，其特征是紫外光源、紫外探测器和支架被封装在密封罩内紫外探测器由GaN基肖特基型紫外探测器组成，其响应窗口与上述LED的中心波长相对应；紫外光源为3-7个紫外LED组成，波长覆盖200nm到400nm的区间。
用于水质在线监测紫外光电微型传感器装置方法

[发明专利]基于紫外线的检测和分析-CN201680082523.2在审
发明人：苏珊·哈尔佩恩;赞恩·鲍曼·阿利安·米勒 -专利权人：莱雅公司
申请日： 2016-10-31 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： G01N21/33 文献下载
摘要：一种用于对受试者的皮肤推荐紫外线防护的系统(40)，包括询问器件(10)、分析器件(30)和输出器件(32)。询问器件(10)具有紫外线敏感模块(12)，该紫外线敏感模块被配置成响应于紫外线电磁能量源对受试者的皮肤的照射，基于受试者的皮肤反射的感测电磁能量生成询问数据。该分析器件被配置成从询问器件接收询问数据并生成紫外线分析，其包括至少部分地基于询问数据，对受试者的皮肤的进一步紫外线防护的推荐。输出器件接收紫外线分析并输出对受试者的皮肤进行进一步紫外线防护的推荐。
紫外线紫外线防护询问器件皮肤分析器件敏感模块输出器件询问电磁能量源电磁能量皮肤反射分析感测配置照射输出检测响应