专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]基于二维材料Nb8-CN202310857557.6在审
  • 于鹏;刘萍威;张曰理 - 中山大学
  • 2023-07-12 - 2023-10-24 - H01L31/09
  • 本发明属于光电探测器技术领域,公开了基于二维材料Nb8PtSe20的红外响应探测器及其制备方法。该红外响应探测器,从下往上,依次包括基底、二维材料Nb8PtSe20、电极。本发明的红外光探测器含有特定的结构,以及利用二维材料Nb8PtSe20,不仅能够在室温下正常工作,而且在1064nm波段(短红外)和10.6μm波段(中红外)有较高的响应。
  • 基于二维材料nbbasesub
  • [发明专利]一种高稳定性石墨烯光电探测器及其制备方法-CN202311039825.X在审
  • 朱兆玮;黄丽婷;高阳 - 中国农业大学
  • 2023-08-17 - 2023-09-29 - H01L31/09
  • 本发明涉及一种高稳定性石墨烯光电探测器及其制备方法,该探测器至少包括:基底,其作为光电探测器的承载部件;电极对,其能够形成电场;石墨烯层,其能够用于吸收光线并产生光生载流子;电极对的若干电极沿第一方向排布在基底上,并且,电极对之间至少留存有第二距离的空余的基底;石墨烯层以降低悬挂高度的方式布设在电极对与空余的基底表面,并且,石墨烯层远离电极对与基底的表面上真空沉积有Parylene保护层;该探测器能够极大降低石墨烯层的悬挂高度,减少石墨烯层在制备过程中产生的物理损伤,降低非均匀局部内应力的产生;该方法通过在石墨烯层上真空沉积Parylene保护层以避免石墨烯层在制备过程中受到损伤。
  • 一种稳定性石墨光电探测器及其制备方法
  • [发明专利]一种纸基宽光谱光电探测器及其制备方法-CN202310941035.4在审
  • 姜天才;陶金;肖希 - 武汉邮电科学研究院有限公司
  • 2023-07-28 - 2023-09-12 - H01L31/09
  • 本申请涉及一种纸基宽光谱光电探测器及其制备方法,其包括衬底、有源区和两个电极,所述衬底采用纸片制作而成,所述有源区设于所述衬底上,两个所述电极设于所述有源区上。本申请采用纸片作为衬底,可以解决相关技术中难以降解的基材会产生大量的电子垃圾,对环境不友好的问题。本申请成本低廉,易于控制,且有利于光电集成,容易产业化,本申请器件上升时间达到0.066s,下降时间达到0.066s,具有响应速度快的优点,同时,探测宽的光谱范围为254nm~1550nm,具有探测宽的光谱范围的优点。由于本申请具有低成本,绿色环保等优势,将为应用在生物医学、大健康、光通信、人机交互等柔性便携光电子器件提供参考。
  • 一种纸基宽光谱光电探测器及其制备方法
  • [发明专利]一种局域场调控增强的二维材料中长波红外探测器-CN202210115565.9在审
  • 李绍娟;安君儒 - 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
  • 2022-02-07 - 2023-08-15 - H01L31/09
  • 一种局域场调控增强的二维材料中长波红外探测器涉及二维材料中长波红外探测器技术领域,解决了现有探测器的光吸收绝对值低、环境适用性弱的问题,该装置包括基底、位于基底上的二维材料层、连接二维材料层的电极、位于二维材料层上的光刻胶纳米森林结构。制备方法包括:在基底上表面上制备的二维材料层;制备连接二维材料层的电极;在二维材料层上利用光刻胶材料制备纳米森林结构。本发明的探测器利用纳米森林的局域等离激元特性提高光与物质的相互作用,极大提高器件对光的吸收能力,进而提高中长波红外光探测器件的探测性能;利用的惰性和空气稳定性好的纳米森林作为钝化层提高探测器的寿命和环境适用性。制备方法与传统半导体工艺兼容。
  • 一种局域调控增强二维材料长波红外探测器
  • [发明专利]一种高可靠性的砷化镓光导开关及其制备方法-CN202310460205.7在审
  • 李昕;杨迎香;胡龙;耿莉;杨向红;李明;文章;童仁皓 - 西安交通大学
  • 2023-04-25 - 2023-07-21 - H01L31/09
  • 本发明公开了一种高可靠性的砷化镓光导开关及其制备方法,该光导开关包括SI‑GaAs衬底,SI‑GaAs衬底的两侧相对的表面均设有n+‑GaAs层,n+‑GaAs层上设有欧姆金属电极,两处欧姆金属电极分别作为砷化镓光导开关的阳极和阴极,两处欧姆金属电极的表面均设有外接电极;SI‑GaAs衬底的表面设有钝化层,钝化层在欧姆金属电极正对的位置设有裸露区域,欧姆金属电极的表面钝化层的裸露区域处设有外接电极;欧姆金属电极包括依次堆叠设置的Pd层、Ge层、Ti层、Pt层和Au层,其中,Pd层设置于n+‑GaAs层的表面。本发明能够提高GaAs PCSS寿命和可靠性,能够解决现有GaAs PCSS由电极边缘电场集中、热累积引起电极烧蚀、脱落,最终导致器件失效的问题。
  • 一种可靠性砷化镓光导开关及其制备方法
  • [发明专利]一种基于能斯特效应和原子层热电堆的复合光热探测器-CN201710421123.6有效
  • 宋世金;虞澜;刘安安;胡建力;黄杰;崔凯 - 昆明理工大学
  • 2017-06-07 - 2023-05-12 - H01L31/09
  • 本发明公开一种基于能斯特效应和原子层热电堆的复合光热探测器,结构中包括单晶基片、原子层热电堆薄膜、铁磁性薄膜、吸收层、封装层、金属电极,单晶基片为c轴斜切的单晶基片,单晶基片的c轴斜切角度0°θ30°,原子层热电堆薄膜沿c轴倾斜外延生长在单晶基片上,在原子层热电堆薄膜上表面相对中心位置对称设置两个金属电极,两个金属电极由导线与电压表输入端连接,铁磁性薄膜生长在单晶基片上并设置在原子层热电堆薄膜的两侧,吸收层覆盖在原子层热电堆薄膜、铁磁性薄膜和金属电极上,封装层覆盖在吸收层上;本发明探测器体积小、响应电压峰值大、灵敏度高、响应时间快,能实现宽光谱探测和热辐射探测。
  • 一种基于特效应和原子热电复合光热探测器

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