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[发明专利]一种日盲紫外光电阴极响应波段外的光谱响应测试装置-CN201510170004.9有效
发明人：李晓峰;褚祝军;张勤东;姜云龙;姬明 -专利权人：北方夜视技术股份有限公司
申请日： 2015-04-13 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： G01M11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种日盲紫外光电阴极响应波段外的光谱响应测试装置，主要用于通过波段外的光谱响应值来指导制作光电阴极的技术改进。主要技术方案是：A、将一个装有卤素灯的灯箱通过前连接筒与滤光片箱连接，前连接筒内装有大小两个光栏，滤光片箱内装有紫外截止滤光片；B、滤光片箱与暗箱连接，暗箱内装有夹具，夹具上装有测试光栏，测试光栏后面放置被测件，被测件的日盲紫外光电阴极、微通道板与测量电源接通并串联一个电流表。本发明通过应用证明：能够准确地测出日盲紫外光电阴极的波段外光谱响应值，给制作光电阴极的工艺技术改进提供了客观依据，有效地提高和稳定了光电阴极的性能质量，满足所属产品的使用技术要求。
紫外光电阴极波段日盲光电阴极滤光片光谱响应测试装置夹具光谱响应被测件测试光连接筒紫外截止滤光片工艺技术改进测量电源技术改进技术要求微通道板电流表卤素灯有效地响应灯箱光栏制作串联接通暗箱应用

[实用新型]一种日盲紫外光电阴极响应波段外的光谱响应测试装置-CN201520216833.1有效
发明人：李晓峰;褚祝军;张勤东;姜云龙;姬明 -专利权人：北方夜视技术股份有限公司
申请日： 2015-04-13 - 公布日： 2015-08-26 - 主分类号： G01M11/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种日盲紫外光电阴极响应波段外的光谱响应测试装置，主要用于通过波段外的光谱响应值来指导制作光电阴极的技术改进。主要技术方案是：A、将一个装有卤素灯的灯箱通过前连接筒与滤光片箱连接，前连接筒内装有大小两个光栏，滤光片箱内装有紫外截止滤光片；B、滤光片箱与暗箱连接，暗箱内装有夹具，夹具上装有测试光栏，测试光栏后面放置被测件，被测件的日盲紫外光电阴极、微通道板与测量电源接通并串联一个电流表。本实用新型通过应用证明：能够准确地测出日盲紫外光电阴极的波段外光谱响应值，给制作光电阴极的工艺技术改进提供了客观依据，有效地提高和稳定了光电阴极的性能质量，满足所属产品的使用技术要求。
一种紫外光电阴极响应波段光谱测试装置

[发明专利]一种基于有机场效应晶体管的日盲区深紫外光探测器-CN201910144207.9有效
发明人：邱龙臻;赵雪;姚宏兵;魏诗语;王晓鸿 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H10K30/65 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于有机场效应晶体管的日盲区深紫外光探测器，其有机场效应晶体管半导体层为嵌段共轭聚合物纳米线，由嵌段共聚物半导体材料和聚合物绝缘材料分别溶解在溶剂中再混合形成共混溶液，通过控制嵌段共聚物半导体材料和聚合物绝缘材料的质量比本发明的嵌段共聚物半导体纳米线作为有机场效应晶体管光探测器的半导体层，能够增强对深紫外区的光响应。本发明首次提出将共轭聚合物用于日盲区深紫外光的响应上，并制备了高性能有机场效应晶体管日盲区深紫外光探测器，本发明在深紫外区域实现了良好的光选择性和光响应性，光响应达到120A/W，外部量子效率高达50000
一种基于有机场效应晶体管盲区深紫探测器

[发明专利]一种基于氧化物薄膜光电效应的紫外线强度控制器-CN202210141585.3在审
发明人：周小红;余乐平;路露;徐律;周小芳 -专利权人：无锡商业职业技术学院
申请日： 2022-02-16 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H05B47/105 文献下载
摘要：本发明提供一种基于氧化物薄膜光电效应的紫外线强度控制器，包括：紫外感光芯片，包括电性连接的氧化物薄膜和电信号增益运算电路；A/D模块，接收电信号增益运算电路的模拟电信号，并转换为数字信号输出至单片机；单片机，接收A/D模块传输的数字信号后，与预设的参考值进行比较，并发出控制指令给控制模块；控制模块，接收单片机的控制指令后调节紫外光源的电压及温度；还包括电源模块，所述电源模块与所述增益运算电路和单片机连接，本发明利用氧化物薄膜作为感光元件，在紫外光照射下，由于塞贝克效应感生电压，响应时间在纳秒级，能快速响应紫外光强度，具有响应快、灵敏度高的特点。
一种基于氧化物薄膜光电效应紫外线强度控制器

[发明专利]一种光响应配合物及其制备方法和应用-CN202210539315.8在审
发明人：李妮娅;刘东;华磬;范锦鹏;陆玉萍;顾明瑞;宋剑华 -专利权人：淮阴师范学院
申请日： 2022-05-17 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C07F3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种光响应配合物及其制备方法和应用，其中光响应配合物为{[(1‑(2‑吡啶基)‑2‑(3‑吡啶基)‑乙烯)(5‑氯‑1,3‑苯二甲酸根)(μ‑水)锌]·水}n紫外光的辐射下，能发生分子间的环加成反应。本发明中，该光响应配合物发射蓝色荧光，而经紫外光的催化后，其荧光发射强度出现了显著衰减。本发明光响应配合物在防伪材料、信息存储材料等领域具有较好的应用前景。
一种响应配合及其制备方法应用

[发明专利]一种紫外探测器件的制备方法-CN201310383468.9有效
发明人：吴春霞;张双鸽;周明;宋泽琳 -专利权人：江苏大学
申请日： 2013-08-29 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明属于光电探测技术领域，特指一种利用多尺寸氧化锌量子点在多层石墨烯中梯度组装构建紫外探测器件的制备方法。本发明融合了ZnO量子点与石墨烯的结构与性能优势，以胶体化学法为基本手段，获得带隙在近紫外到深紫外区的不同尺寸的ZnO量子点，采用湿化学方法，制备单层氧化石墨烯，然后对其表面进行羧基功能基团修饰，以适合在其表面组装单一尺寸的ZnO量子点，再以不同尺寸的ZnO量子点（QD）作为紫外响应的活性物质，构建多层三明治式结构。选择金、铂或ITO等作为电极材料，设计平面分布的条状或叉指状电极结构，构建紫外探测器件，实现从近紫外到深紫外的带间吸收响应。
一种紫外探测器件制备方法

[发明专利]新型硅PN结光电二极管-CN03125372.5无效
发明人：陈炳若 -专利权人：武汉大学
申请日： 2003-09-03 - 公布日： 2004-08-11 - 主分类号： H01L31/103 文献下载
摘要：能提高硅光电器件对光线、特别是对紫外光的响应度，在400～200nm波段具有比普通硅光电二极管明显增强的紫外响应度，在365nm的响应度达到0.20A/W，且工艺成熟，方法简便，成本低廉。
新型 pn 光电二极管

[发明专利]一种紫外多模响应荧光防伪标签-CN202111544608.7在审
发明人：雷磊;徐时清;华有杰;邓德刚;张军杰 -专利权人：中国计量大学上虞高等研究院有限公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C09K11/85 文献下载
摘要：本发明属于无机发光材料领域，涉及一种紫外响应多模荧光防伪标签。一种紫外响应多模荧光防伪标签，防伪标签材料采用KSc3F10为形核剂，采用外延生长溶剂热法制备纳米晶材料。
一种紫外响应荧光防伪标签

[发明专利]一种正负双向光响应晶体管及其制备方法-CN202210839897.1在审
发明人：朱博文;李定威;孟磊 -专利权人：西湖大学
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明提供了一种正负双向光响应晶体管及其制备方法，晶体管包括重掺杂导电硅衬底，所述重掺杂导电硅衬底上沉积有二氧化硅介电层，所述二氧化硅介电层上布设有第一光响应结构，所述第一光响应结构上布设有第二光响应结构本发明的光电晶体管可以通过双向光响应来实现紫外线和红外光的区分，其中对紫外线产生正响应，对红外线产生负响应，与现有的低维材料或者电路设计结构相比，成本低且结构简单；且制备方法使用溶液法处理得到超薄的氧化铟层和有机物薄膜
一种正负双向响应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种紫外探测器及其制备方法-CN201611237294.5有效
发明人：刘可为;王潇;陈星;李炳辉;张振中;申德振 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2016-12-28 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明提供了一种紫外探测器，包括：衬底；设置在所述衬底表面的ZnO薄膜，所述ZnO薄膜表面分布有Ag颗粒；设置在所述ZnO薄膜表面的两个电极。与现有技术相比，本发明提供的紫外光电探测器含有Ag颗粒修饰的ZnO薄膜，利用Ag颗粒进行修饰，能够使得到的探测器探测带窄、响应度高；同时Ag的引入带来的局域肖特基势垒和表面钝化作用降低了探测器件的暗电流和噪声区域的响应度因此，本发明提供的紫外光探测器探测峰窄、响应度峰值高、背景噪音低；具有高度的波长选择性。
一种紫外探测器及其制备方法

[发明专利]分离/检测柱及其试剂盒-CN201180033859.7有效
发明人：蓑田稔治;池田勇 -专利权人：株式会社大赛璐
申请日： 2011-07-08 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： G01N30/88 文献下载
摘要：公开了一种可检测通过分离剂分离的组分的分离/检测柱，所述分离剂具有与样品中的组分相同的光学响应性。分离/检测柱如下构成：用具有分离样品中的组分的分离能力和紫外响应性的第一填料填充的具有紫外透明性的管(1)的一端；中间的由石英棉组成的间隔物(4)；用具有不同于第一填料的紫外响应性并且不具有前述分离能力的第二填料填充的管
分离检测及其试剂盒

[发明专利]一种立方结构MgZnO薄膜及其制备方法、紫外探测器及其制备方法-CN201610381758.3在审
发明人：韩舜;吕有明;曹培江;柳文军;曾玉祥;贾芳;刘新科;朱德亮 -专利权人：深圳大学
申请日： 2016-06-01 - 公布日： 2016-09-21 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：本发明还提供了以所述薄膜为源材料制备的MSM结构紫外探测器及其制备方法，所述紫外探测器对250nm的日盲紫外光有最大的响应度，光响应截至边为330nm，因此所制备的紫外探测器可以探测250nm‑330nm的紫外光。
一种立方结构 mgzno 薄膜及其制备方法紫外探测器

[发明专利]一种ZnO纳米晶薄膜晶体管型紫外探测器的制备方法-CN201610018728.6有效
发明人：潘新花;王伟豪;戴文;叶志镇 -专利权人：浙江大学
申请日： 2016-01-12 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种ZnO纳米晶薄膜晶体管型紫外探测器的制备方法，该紫外探测器自下而上依次有低阻Si层、SiO2绝缘层、ZnO纳米晶层和Au电极。其制备方法如下先制备ZnO纳米晶的胶体分散相，然后将胶体分散相旋涂在Si/SiO2的SiO2面上，旋涂并退火，最后镀上Au电极完成紫外探测器的制作。相比于传统的紫外探测器，此方法制备的紫外探测器暗电流低、响应灵敏度高、响应时间快，且结构简单、制备成本低，在军事、民用以及一些特殊领域有重要的应用价值。
一种 zno 纳米薄膜晶体管紫外探测器制备方法

[发明专利]基于六方氮化硼厚膜的深紫外光电探测器及制备方法-CN202010588569.X有效
发明人：殷红;李冬冬;高伟 -专利权人：吉林大学
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：一种基于六方氮化硼厚膜的深紫外光电探测器及制备方法，包括衬底、紫外光敏层和叉指电极，其中紫外光敏层为高质量六方氮化硼厚膜，对日盲波段有很好的响应。所述六方氮化硼厚膜本身具有的固有性能非常卓越，通过离子束溅射沉积方法制备六方氮化硼厚膜纯度非常高，具有良好的稳定性、厚度可控、无毒无污染等优点，通过掺杂目标杂质可以调整带隙宽度，从而提高了深紫外光电探测器的光电导增益和短波段光响应，实现紫外光电探测器对日盲波段的有效探测。
基于氮化硼厚膜深紫光电探测器制备方法

[实用新型]一种具有紫外响应的硅基成像器件-CN200820152099.7无效
发明人：田鑫;张大伟;刘猛;倪争技;黄元申;庄松林 -专利权人：上海理工大学
申请日： 2008-08-18 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种具有紫外响应的硅基成像器件，其特征在于：在硅基成像器件光敏元基片的一面镀一层可将紫外辐射转换为可见光的Alq₃材料的变频薄膜，与硅基成像器件光敏元基片致密结合。本实用新型不但有效提高了硅基成像器件紫外响应的能力，而且克服了有机变频薄膜随时间衰减老化的问题。能够有效增强硅基成像器件对紫外光的敏感度，将探测区域拓展到紫外波段。
一种具有紫外响应成像器件