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[发明专利]双面异质结太阳能电池及其制备方法-CN202111578235.5在审
发明人：张达奇;陈曦;吴坚 -专利权人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明提供一种双面异质结太阳能电池及其制备方法，所述双面异质结太阳能电池包括硅基，依次位于所述硅基主受光侧的本征非晶硅层、掺杂非晶硅层，所述本征非晶硅层包括本征过渡层、位于所述本征过渡层背离所述硅基的一侧的本征钝化层，且所述本征非晶硅层的厚度介于3.5nm～5.5nm之间。本发明中含氢的所述本征钝化层比本征过渡层的钝化效果好，两层配合可以在保证钝化效果的前提下减薄整个所述本征非晶硅层的厚度，有效减少了该层的光吸收，到达硅基的光增多，提升了电池的短路电流。
双面异质结太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种制备硅基纳米柱阵列的方法-CN200910244521.0无效
发明人：贾锐;岳会会;陈晨;刘新宇;叶甜春 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2009-12-30 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备硅基纳米柱阵列的方法，用以提高晶体硅太阳能电池效率和制造硅异质结太阳能电池，该方法包括：A、配置氢氟酸基腐蚀液；B、利用该腐蚀液对硅衬底进行腐蚀；C、利用酸溶液清洗硅片，去除表面银颗粒本发明提供的这种制备硅基纳米柱阵列的方法，利用湿法化学腐蚀形成硅基纳米柱阵列，能够极大降低因干法刻蚀所造成的损伤，减少最终的纳米柱阵列的缺陷，从而提高其最终硅基纳米柱阵列非晶硅薄膜异质结太阳能电池的转化效率另外，本发明与气-液-固三相生长的硅基纳米柱相比，可规则的形成硅基纳米柱阵列结构，其工艺过程简单，成本低，能够大面积制作规则的纳米柱阵列。
一种制备纳米阵列方法

[发明专利]一种硅基异质结构材料及其制备和应用-CN202210343681.6在审
发明人：刘贵龙;赵运霞;李甜甜;郭东磊;毋乃腾;刘献明 -专利权人：洛阳师范学院
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01M4/62 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基异质结构材料及其制备和应用，将纳米硅和锗源分散于碳源中得到悬浊液，悬浊液先经过干燥、水热或纺丝处理，再通过焙烧将覆盖在硅锗材料表面的碳源碳化，即得到含有Si、GeOx(0≤x≤2)和碳的硅基异质结构材料。该材料中的Si与GeOx形成的异质结构，可促进电荷传输，提高材料的充放电稳定性，改善硅在充放电过程中的体积变化；材料中的碳有助于提升材料的导电性，并为硅和GeO
一种硅基异质结构材料及其制备应用

[发明专利]一种硅基异质结太阳能电池片结构、制备方法及制备系统-CN202211314002.9在审
发明人：左国军;奚华;舒欣 -专利权人：常州捷佳创精密机械有限公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明属于硅基异质结太阳能电池技术领域，具体涉及一种硅基异质结太阳能电池片结构、制备方法及制备系统，本硅基异质结太阳能电池片结构包括：硅衬底，硅衬底的正面依次叠加设置有正面本征非晶硅薄膜层、正面N型非晶硅掺杂薄膜层、正面TCO薄膜层和正面电极，硅衬底的背面依次叠加设置有背面本征非晶硅薄膜层、背面P型掺杂薄膜层、背面TCO薄膜层和背面电极；正面N型非晶硅掺杂薄膜层通过第二镀膜设备沉积，且通入镀膜设备的氢气的流量与硅烷的流量比值为10‑200；本发明能够改善正面N型非晶硅掺杂薄膜层的电学性能和光学性能，更多的光能够射到硅衬底，增加短路电流，使太阳能电池的短路电流提高约40mA，填充因子提高约0.2％，电池转化效率提高了约0.1％
一种硅基异质结太阳能电池结构制备方法系统

[实用新型]一种埋入TSV转接芯片硅基扇出型三维集成封装结构-CN201921224997.3有效
发明人：王成迁;明雪飞;吉勇 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本实用新型公开一种埋入TSV转接芯片硅基扇出型三维集成封装结构，属于集成电路封装领域。所述埋入TSV转接芯片硅基扇出型三维集成封装结构包括硅基，所述硅基的第一面开有凹槽，所述凹槽中埋有芯片；所述芯片包括TSV转接芯片、TSV转接芯片和高密度I/O异质芯片；所述芯片的TSV金属通道或金属焊盘与第一表面重布线连接，所述第一表面重布线通过微凸点与高密度I/O异质芯片倒装焊接；所述硅基的第二面填充有真空压干膜，并依次制作有第二表面重布线、阻焊层和凸点。
一种埋入 tsv 转接芯片硅基扇出型三维集成封装结构

[发明专利]一种太阳电池及其制备方法-CN201810619913.X在审
发明人：沈辉;姚志荣;孟蓝翔;蔡伦;张睿 -专利权人：中山大学
申请日： 2018-06-15 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明的太阳电池采用硫化铟作为n型发射层，与硅基体成形成硅基硫化铟异质结。本发明的硅基硫化铟异质结太阳电池与传统硅基异质结太阳电池相比具有更好的光学性能，可减少寄生吸收增大短路电流。
硫化铟制备硅基硅基异质结太阳电池过渡金属氧化物异质结太阳电池高温处理过程欧姆接触层短路电流光学性能制备工艺制备过程制绒硅片导电膜发射层硅基体铝背场前电极异质结硅片寄生蒸镀环境保护排放节约吸收能源

[实用新型]硅基双面有机／无机异质结太阳能电池-CN202020205415.3有效
发明人：王璞;王永谦;王岚;李忠涌;苏荣;丁蕾 -专利权人：通威太阳能（眉山）有限公司
申请日： 2020-02-25 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本申请提供一种硅基双面有机/无机异质结太阳能电池，涉及太阳能电池技术领域。硅基双面有机/无机异质结太阳能电池包括依次层叠设置的正金属电极层、浸润添加剂保护层、PEDOT:PSS空穴传输层、第一本征非晶硅钝化层、n型硅衬底层、第二本征非晶硅钝化层、n型非晶硅掺杂层、透明导电物氧化层以及背金属电极层
双面有机无机异质结太阳能电池

[发明专利]一种硅基硫化锑异质结太阳电池及其制备方法-CN201910622847.6在审
发明人：梁宗存;孟蓝翔;沈辉;姚志荣;张林坤;蔡伦 -专利权人：中山大学
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L31/074 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基硫化锑异质结太阳电池，从上至下依次包括前电极、减反层、电子传输层、硅基体、空穴传输层和背电极；所述电子传输层的材料包含硫化锑，所述硅基体为p型单晶硅。本发明所述异质结太阳电池采用硫化锑作为电子传输层，硫化锑与p型硅能带结构能较好地匹配，有利于电子的传输，硫化锑的少子扩散长度大，可以获得较大的短路电流。本发明还公开了一种硅基硫化锑异质结太阳电池的制备方法，该方法工艺简单、低温、安全、环保、易实现，且成本优势显著，略去高温扩散p‑n结工艺，以及HIT电池制备中使用的危险气体等。
硫化锑异质结太阳电池电子传输层硅基硅基体制备空穴传输层成本优势从上至下电池制备短路电流高温扩散能带结构危险气体背电极减反层前电极少子匹配传输扩散环保安全

[发明专利]一种硫化镉纳米带硅基异质结发光二极管及其制造方法-CN201810169404.1有效
发明人：杨青 -专利权人：浙江大学
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开一种硫化镉纳米带硅基异质结发光二极管，包括p型硅衬底，p型硅衬底的表面具有间隔分布的凸齿结构和阳极；还包括阴极和n型硫化镉纳米带，n型硫化镉纳米带的两端分别搭接凸齿结构和阴极，通过p型硅衬底与n型硫化镉纳米带复合形成p‑n异质结。本发明公开了一种硫化镉纳米带硅基异质结发光二极管的制备方法。本发明通过在硅衬底上刻蚀梳齿状结构，有效降低了衬底对可见光波段的吸收，在硫化镉纳米带中形成稳定高效的法珀腔，提高了辐射光的输出效率。
硫化镉纳米衬底发光二极管硅基异质结纳米带阴极凸齿结构可见光波段梳齿状结构间隔分布输出效率阳极法珀腔辐射光硅衬底异质结搭接刻蚀制备复合吸收制造

[发明专利]一种硅基异质结太阳能电池及其制备方法-CN201710063888.7在审
发明人：李艺明;邓国云;李浩 -专利权人：江苏神科新能源有限公司
申请日： 2017-02-04 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基异质结太阳能电池及其制备方法，所述硅基异质结太阳能电池包括晶硅基片、第一本征非晶层、第二本征非晶层、第一掺杂层、第二掺杂层、第一保护膜层、第二保护膜层、第一透明导电层和第二透明导电层本发明通过在掺杂层表面形成所述第一保护膜层和/或第二保护膜层可以减少高能粒子对掺杂层的轰击，同时增强了对晶硅基片表面的钝化效果，从而提高硅基异质结太阳能电池的性能。
一种硅基异质结太阳能电池及其制备方法

[发明专利]伪晶型高电子迁移率晶体管和异质接面双极晶体管磊晶改良结构及其加工方法-CN201210179870.0无效
发明人：蔡绪孝;林正国;洪秉杉;高谷信一郎 -专利权人：稳懋半导体股份有限公司
申请日： 2012-06-01 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种伪晶型高电子迁移率晶体管和异质接面双极晶体管磊晶改良结构及其加工方法，其中前述改良结构包括有一基板、一伪晶型高电子迁移率晶体管结构层、一蚀刻终止分隔层以及一异质接面双极晶体管结构层；其中该伪晶型高电子迁移率晶体管结构层的结构包括有一缓冲层、一能障层、一第一通道间格层、一通道层、一第二通道间格层、一萧基能障层、一蚀刻终止层以及至少一覆盖层；并包括一异质接面双极晶体管的加工步骤以及一伪晶型高电子迁移率晶体管的加工步骤。
伪晶型高电子迁移率晶体管异质接面双极晶体管改良结构及其加工方法

[发明专利]一种硅基光计算异质集成模组-CN202011577277.2有效
发明人：薛海韵;曹立强 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基光计算异质集成模组结构，包括：载片；硅基光芯片，所述硅基光芯片正装贴片埋入设置在所述载片中；电芯片，所述电芯片正装贴片埋入设置在所述载片中，所述硅基光芯片的厚度大于所述电芯片的厚度；以及电互联结构，所述电互联结构电连接所述硅基光芯片至所述电芯片。
一种硅基光计算集成模组

[实用新型]双面异质结太阳能电池-CN202123271608.2有效
发明人：张达奇;陈曦;吴坚 -专利权人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本实用新型提供一种双面异质结太阳能电池，所述双面异质结太阳能电池包括硅基，依次位于所述硅基主受光侧的正面本征非晶硅层、掺杂非晶硅层，所述正面本征非晶硅层包括本征过渡层、位于所述本征过渡层背离所述硅基的一侧的本征钝化层，且所述正面本征非晶硅层的厚度介于3.5nm～5.5nm之间。本实用新型中含氢的所述本征钝化层比本征过渡层的钝化效果好，两层配合可以在保证钝化效果的前提下减薄整个所述正面本征非晶硅层的厚度，有效减少了该层的光吸收，到达硅基的光增多，提升了电池的短路电流。
双面异质结太阳能电池

[发明专利]具有同质结和异质结的硅基双结太阳电池及其制备方法-CN201010541492.7有效
发明人：陈哲艮 -专利权人：陈哲艮
申请日： 2010-11-11 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： H01L31/028 文献下载
摘要：本发明涉及新能源领域，尤其涉及一种硅基太阳电池及其制备方法。具有同质结和异质结的硅基双结太阳电池，该太阳电池包括晶体硅硅片、硅基半导体膜、透明导电膜、正面金属电极和背面金属电极，所述的晶体硅硅片为单晶硅片或多晶硅片，在晶体硅硅片的正面或背面采用扩散法形成所述的同质结，同质结为PN结、PP-、PP+、NN-或NN+浓度结；晶体硅硅片的正面设有所述的硅基半导体膜，硅基半导体膜为硅、硅/锗或碳化硅材料的非晶膜或纳米膜，硅基半导体膜与具有同质结的晶体硅硅片表层之间形成所述的异质结
具有同质异质结硅基双结太阳电池及其制备方法

[实用新型]具有同质结和异质结的硅基双结太阳电池-CN201020603831.5有效
发明人：陈哲艮 -专利权人：陈哲艮
申请日： 2010-11-11 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L31/078 文献下载
摘要：本实用新型涉及新能源领域，尤其涉及一种硅基太阳电池及其制备方法。具有同质结和异质结的硅基双结太阳电池，该太阳电池包括晶体硅硅片、硅基半导体膜、透明导电膜、正面金属电极和背面金属电极，所述的晶体硅硅片为单晶硅片或多晶硅片，在晶体硅硅片的正面或背面采用扩散法形成所述的同质结，同质结为PN结、PP-、PP+、NN-或NN+浓度结；晶体硅硅片的正面设有所述的硅基半导体膜，硅基半导体膜为硅、硅/锗或碳化硅材料的非晶膜或纳米晶膜，硅基半导体膜与具有同质结的晶体硅硅片表层之间形成所述的异质结
具有同质异质结硅基双结太阳电池