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[发明专利]一种硅基异质结太阳能电池及其制备方法-CN202110095617.6有效
发明人：董刚强;郁操 -专利权人：苏州迈为科技股份有限公司
申请日： 2021-01-25 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L31/074 文献下载
摘要：本公开实施例提供了一种硅基异质结太阳能电池及其制备方法。在所述硅基异质结太阳能电池的背表面设置透明的光疏介质层，所述光疏介质层包括介质材料层，所述介质材料层的材料为光疏介质材料，所述光疏介质材料的折射率为范围在1‑3.7中任一值。通过在硅基异质结太阳能电池的背表面设置透明的光疏介质层，可以有效提升硅基异质结太阳能电池的电流。
一种硅基异质结太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种硅基钙钛矿异质结太阳电池及其制备方法-CN201510283480.1有效
发明人：沈辉;吴伟梁;包杰;邱开富 -专利权人：中山大学
申请日： 2015-05-28 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基钙钛矿异质结太阳电池，该太阳电池的结构从上至下为铝电极、金导电膜、钙钛矿、氧化铝、n型硅片和银电极，其中钙钛矿为CH3NH3PbI3。本发明硅基钙钛矿异质结太阳电池与传统硅基异质结太阳电池材料相比具有更优越的电学与光学性能，作为钙钛矿/硅异质结太阳电池的发射极，可实现对光谱的分段吸收，钙钛矿吸收可见光部分，硅吸收红外部分，使得太阳光的利用更加充分本发明还公开了上述硅基钙钛矿异质结太阳电池的制备方法。
一种硅基钙钛矿异质结太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种硅基硫化锌异质结太阳电池及其制备方法-CN201611205458.6在审
发明人：沈辉;邱开富;邱德鹏;谢琦;蔡伦;吴伟梁 -专利权人：中山大学
申请日： 2016-12-23 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L31/074 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基硫化锌异质结太阳电池，所述硅基硫化锌异质结太阳电池的结构为银前电极/氢掺杂AZO透明导电膜/硫化锌薄膜/硅基体/铝背场/铝电极，所述硫化锌薄膜为n型硫化锌发射极，所述硅基体为p型单晶硅，所述n型硫化锌发射极与所述p型单晶硅形成异质结太阳电池。该异质结太阳电池中硫化锌与硅晶格匹配好，具有较高的开路电压与短路电流，转换效率高；本发明还公开了上述硅基硫化锌异质结太阳电池的制备方法，该制备方法成本和能耗低，避免了高温过程。
一种硫化锌异质结太阳电池及其制备方法

[实用新型]一种硅基III-V族轴向异质结垂直纳米线阵列APD器件-CN202120787700.5有效
发明人：刘林生;解文豪;陈春明;刘兴鹏;黄祥恩;宋树祥;董鹏堂;苗腾;李锡铭 -专利权人：广西师范大学
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种能够提高Si和InGaAs的异质结界面质量，并且具有低暗电流，低噪声，高性能的硅基III‑V族轴向异质结垂直纳米线阵列APD器件。该硅基III‑V族轴向异质结垂直纳米线阵列器件包括衬底；所述衬底上设置有绝缘介质层；所述绝缘介质层内设置有垂直纳米线阵列；采用该硅基III‑V轴向异质结垂直纳米线阵列器件以硅作衬底，工艺与现有集成电路工业兼容
一种 iii 轴向异质结垂直纳米阵列 apd 器件

[发明专利]一种III族氮化物和硅异质集成衬底及其制造方法-CN201610283863.3有效
发明人：陈龙 -专利权人：上海芯晨科技有限公司
申请日： 2016-04-29 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种III族氮化物和硅异质集成衬底及其制造方法，所述III族氮化物和硅异质集成衬底包括：硅衬底；形成于所述硅衬底第一预设区域表面的III族氮化物叠层结构；形成于所述硅衬底第二预设区域表面的硅基叠层结构；所述硅基叠层结构自下而上依次包括第一绝缘层、硅层、第二绝缘层；所述硅基叠层结构与所述III族氮化物叠层结构之间通过隔离结构隔离；覆盖于所述硅基叠层结构及所述III族氮化物叠层结构表面的盖帽层。本发明的III族氮化物和硅异质集成衬底及其制造方法将硅基叠层结构与所述III族氮化物叠层结构集成于同一硅衬底上，所得新型异质集成衬底与CMOS兼容，可以为实现“超越摩尔定律”产品提供重要的技术创新平台。
一种 iii 氮化物硅异质集成衬底及其制造方法

[发明专利]硅基异质结电池的制备方法及硅基异质结电池-CN202110109067.9在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：宣城睿晖宣晟企业管理中心合伙企业（有限合伙）
申请日： 2021-01-26 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L31/074 文献下载
摘要：本发明公开一种硅基异质结电池的制备方法及硅基异质结电池，包括硅基片以及在所述硅基片的两侧分别设置的半导体层、导电层以及栅线，所述半导体层分别设置于所述硅基片的两侧，所述导电层设置于所述半导体层的外侧，所述栅线设置在所述导电层的外侧该技术方案通过将印刷银电极更改为铜线电极，从而降低硅基异质结电池的成本。
硅基异质结电池制备方法

[发明专利]异质集成的硅基射频微系统结构及其制作方法-CN201710400399.6有效
发明人：刘秀博;王绍东;王志强;吴洪江 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2017-05-31 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质集成的硅基射频微系统结构及其制作方法，涉及半导体和微电子封装技术领域，包括硅基载体层、硅基外框层、硅基引线保护层、硅基盖板层、衰减器、射频芯片和滤波器；本发明针对射频组件中因为应用多颗不同工艺的不同衬底材料的芯片使得组件体积庞大的问题，设计一种异质集成的硅基射频微系统结构，使得不同工艺的不同衬底材料的芯片集成在同一硅基衬底上，同时在硅基基板上直接加工衰减器和滤波器等无源器件来实现有源射频器件和无源射频器件的异质集成，最后整体单元作为一个整体进行系统级封装
集成射频系统结构及其制作方法

[发明专利]柔性石墨烯基硅纳米线异质结的制备与转移方法-CN202010071226.6有效
发明人：李连碧;臧源;陈鸿;胡继超;林生晃;张国青;蒲红斌;封先锋;宋立勋;涂喆研;李泽斌;徐永康;王蓉 -专利权人：西安工程大学
申请日： 2020-01-21 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性石墨烯基硅纳米线异质结的制备与转移方法，将石墨烯湿法转移至SiO2/Si上，采用金属催化VLS机制的CVD法(化学气相沉积法)，利用2nm厚生长结束后，关闭SiH4气体阀门，在氩气保护下，CVD炉自然冷却后得到石墨烯基硅纳米线异质结。然后，将制备好的石墨烯基硅纳米线异质结，旋涂PMMA/PDMS双支撑膜，利用NaOH溶液刻蚀掉SiO2，实现石墨烯基硅纳米线异质结的整体转移，得到柔性、可移植的石墨烯基硅纳米线异质结
柔性石墨烯基硅纳米线异质结制备转移方法

[发明专利]一种梯度掺杂硅基异质结太阳能电池及其制备方法-CN201110247920.X无效
发明人：杜国平;齐立敏 -专利权人：上海师范大学
申请日： 2011-08-26 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种梯度掺杂的硅基异质结太阳能电池及其制备方法，以晶体硅为衬底，在其表面上沉积数层掺杂浓度依次升高的非晶硅薄膜，最后沉积一定厚度的透明导电薄膜并制备电极，制得梯度掺杂硅基异质结太阳能电池。非晶硅薄膜与晶体硅接触具有很好的钝化效果，可以获得比较高的开路电压；梯度掺杂的多层非晶硅层可以形成较强的内电场，可以减少光生少子的复合损失，提高少数载流子的收集率，增加短路电流；与电极接触的掺杂非晶硅层掺杂浓度较高因此，与传统硅基异质结太阳能电池相比，梯度掺杂的硅基异质结太阳能电池具有更高的光电转换效率。
一种梯度掺杂硅基异质结太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种硅基径向同质异质结太阳电池及其制备方法-CN201310278007.5有效
发明人：沈文忠;钟思华;韩旭根 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2013-07-03 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基径向同质异质结太阳电池及其制备方法。本发明提供的硅基径向同质异质结太阳电池，包括：硅衬底和所述硅衬底上的硅线阵列；所述硅线阵列中的各个硅线皆包括内层、中间层和外壳层，在各个所述硅线的所述内层和所述中间层之间形成径向PN结，在各个所述硅线的所述中间层和所述外壳层之间形成径向异质结；所述PN结为同质结，所述同质结为晶体硅PN结、PP+或NN+浓度结，所述异质结为晶体硅/非晶硅PP+、P+P++、N+N++、NN+浓度结或NI、PI结。这种电池充分结合了径向PN结电池和同质异质结电池的优势，因此可在低质量硅材料上实现较高的光电转换效率，同时能提高电池性能的稳定性。
一种径向同质异质结太阳电池及其制备方法

[发明专利]基于CMOS硅基平台的低成本多芯片选区异质集成方法-CN201710818651.5有效
发明人：冯朋;肖希;王磊;李淼峰;杨奇;余少华 -专利权人：武汉邮电科学研究院
申请日： 2017-09-12 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于CMOS硅基平台的低成本多芯片选区异质集成方法，涉及硅与非硅材料的异质集成领域。该方法包括：在非硅衬底上通过外延，光刻，刻蚀等工艺制作出共面电极非硅芯片；然后在非硅芯片的晶圆正面注入热固性聚合物溶剂并固化，通过选择性腐蚀工艺去掉衬底与缓冲层，并通过光刻溅射等工艺形成键合金属层；利用集成了非硅芯片台面与对版标记的版图通过CMOS工艺在SOI晶圆的顶层硅上制作出硅基器件结构与键合金属层；利用集成非硅芯片与硅基芯片的版图完成对准贴合，并通过真空键合完成非硅芯片在硅基芯片上异质集成。本发明操作简单，工艺兼容性好，制作成本低，集成度高，可用于硅基平台上非硅材料功能器件的有效集成。
基于 cmos 平台低成本芯片选区集成方法

[发明专利]一种硅基外延钙钛矿异质PN结光电探测器及制备方法-CN202311117696.1在审
发明人：王爱伟;于颖;曹丙强 -专利权人：济南大学;核芯光电科技（山东）有限公司
申请日： 2023-09-01 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H10K30/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基外延钙钛矿异质PN结光电探测器及制备方法，所述硅基外延钙钛矿异质PN结光电探测器包括依次连接的上电极、钙钛矿层、单晶硅衬底和下电极；所述钙钛矿层通过脉冲激光沉积方法沉积在所述单晶硅衬底表面并形成异质PN结；本发明通过脉冲激光沉积技术在单晶硅衬底上形成钙钛矿层，能够实现结晶度高、晶格匹配、缺陷少的钙钛矿外延薄膜的大规模制备，进而得到很好晶体结构的的硅/钙钛矿异质结。
一种外延钙钛矿异质 pn 光电探测器制备方法

[发明专利]一种硅基III-V族轴向异质结垂直纳米线阵列APD器件及生产工艺-CN202110410344.X在审
发明人：刘林生;解文豪;陈春明;刘兴鹏;黄祥恩;宋树祥;董鹏堂;苗腾;李锡铭 -专利权人：广西师范大学
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明公开了一种能够提高Si和InGaAs的异质结界面质量，并且具有低暗电流，低噪声，高性能的硅基III‑V族轴向异质结垂直纳米线阵列器件及生产工艺。该硅基III‑V族轴向异质结垂直纳米线阵列器件包括衬底；所述衬底上设置有绝缘介质层；所述绝缘介质层内设置有垂直纳米线阵列；该生产工艺采用二氧化硅纳米管模板辅助外延的方法和倍增层分离结构(SAGCM)，在n+Si(111)衬底上制备Si‑InGaAs轴向异质结垂直纳米线阵列；采用该硅基III‑V轴向异质结垂直纳米线阵列器件及生产工艺以硅作衬底，工艺与现有集成电路工业兼容，具有产业化的前景。
一种 iii 轴向异质结垂直纳米阵列 apd 器件生产工艺

[发明专利]一种硅基微环滤波器与磷化铟基光探测器异质集成单片制作方法-CN201610158140.0在审
发明人：牛斌;顾晓文 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2016-03-18 - 公布日： 2016-06-15 - 主分类号： G02B6/293 文献下载
摘要：本发明是一种硅基微环滤波器与磷化铟基光探测器异质集成单片制作方法：1)使用绝缘体上硅材料制作硅基微环滤波器，2)在硅基微环滤波器上制作键合材料，3)将用于制作光探测器的磷化铟衬底外延材料正面与硅基微环滤波器正面键合，4)将磷化铟衬底减薄至只留下磷化铟基外延材料，5)在磷化铟基外延材料上制作出光探测器波导、耦合波导、电极接触结构，6)在集成器件正面制作电隔离结构，并制作光探测器电极，完成硅基微环滤波器与磷化铟基光探测器异质集成单片制作；优点：充分利用了硅基光子器件低损耗、集成化优势与磷化铟基光子器件高响应大带宽优势，在异质集成单片上同时实现光载微波信号滤波与光电转换功能。
一种硅基微环滤波器磷化铟基光探测器集成单片制作方法

[发明专利]同步反应连接-制备异质SiC基陶瓷材料连接件及方法-CN202210313101.9在审
发明人：王继平;蔺浩然;王梓璇;薛蓉;夏鸿雁;肖志超 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： C04B35/573 文献下载
摘要：本发明公开了一种同步反应连接‑制备异质SiC基陶瓷材料连接件及方法，首先进行树脂基浆料制备；对反应烧结SiC陶瓷或石墨/SiC复相陶瓷所用粉体进行压制获得SiC基陶瓷坯体；对碳纤维预制体(Cf)进行化学气相渗透制备多孔Cf/C复合材料；分别对多孔Cf/C复合材料与SiC基陶瓷坯体的连接面进行表面处理；将树脂基浆料涂覆于待连接的连接面，施压，加热固化制备得到具有结合层的预连接体；对预连接体进行反应熔渗，得到异质SiC基陶瓷材料连接件。该方法接头和异质连接件之间热膨胀系数差异小，界面平整、接头组织均匀、应用温度高，成本低，服役环境广泛。
同步反应连接制备 sic 陶瓷材料方法