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[发明专利]新型纳米结构薄膜太阳能电池及其制备方法-CN201910716432.5有效
发明人：单丹;周寿斌;唐明军;杨瑞洪;曹蕴清;钱松;陈雪圣 -专利权人：扬州工业职业技术学院
申请日： 2019-08-05 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H01L31/0445 文献下载
摘要：本发明公开的一种新型纳米结构薄膜太阳能电池，包括从下至上依次叠加的石英或玻璃衬底、Al电极、磷掺杂非晶硅薄膜、碳化硅薄膜界面层、硼掺杂纳米硅薄膜、石墨烯层以及Au电极。利用谐振腔机制增强p型纳米硅/n型非晶硅异质结中的光吸收，从而提高器件光电性能。本发明所提供的石墨烯/p型纳米硅/n型非晶硅异质结结构的平面薄膜太阳能电池与传统的硅基薄膜太阳能电池相比，生产成本可节约30%。该电池的设计制备工艺简单、材料消耗低，在生产过程中避免了高温烧结处理，大大降低了硅基薄膜太阳能电池的生产能耗，可有效地降低传统硅基薄膜太阳能电池的生产成本。
新型纳米结构薄膜太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种硅基异质结太阳能电池及其制备方法-CN201710063887.2有效
发明人：李艺明;邓国云;李浩 -专利权人：江苏神科新能源有限公司
申请日： 2017-02-04 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基异质结太阳能电池及其制备方法，所述硅基异质结太阳能电池包括：晶硅基片、第一金属硫族化合物膜层、第二金属硫族化合物膜层、第一本征非晶层、第二本征非晶层、第一掺杂层、第二掺杂层、第一透明导电层和第二透明导电层，所述第一金属硫族化合物膜层和第二金属硫族化合物膜层分别设置在晶硅基片的受光面与第一本征非晶层之间以及晶硅基片的背面与第二本征非晶层之间。本发明通过在晶硅基片表面形成所述第一金属硫族化合物膜层和第二金属硫族化合物膜层可以提高硅基异质结太阳能电池的开路电压和短路电流，使晶硅基片的制绒工序简单化，进而降低了制造成本。
一种硅基异质结太阳能电池及其制备方法

[发明专利]硅基氮化铝混合波导及其实现方法-CN202210229813.2在审
发明人：张永;冯成龙;徐子涵;沈健;苏翼凯 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：一种硅基氮化铝混合波导及其实现方法，包括：从上到下依次设置的第一硅层、用于传播TM模的氮化铝层和第二硅层，即用于传播TE模和/或TM模的硅‑氮化铝‑硅结构。本发明在SOI基底上通过沉积和刻蚀技术实现硅与氮化铝异质集成的混合狭缝波导结构，利用氮化铝材料的优良特性，实现光模场局域在氮化铝中传播的硅‑氮化铝‑硅异质集成的混合狭缝波导结构及制备方法。
氮化混合波导及其实现方法

[发明专利]一种复合硅衬底及其制备方法和应用-CN201911421074.1有效
发明人：蔡文必;房育涛;刘波亭;李健;张恺玄 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合硅衬底及其制备方法，所述复合硅衬底包括第一硅层、图形化硅层和第二硅层；所述第二硅层形成用于异质外延生长的表面，所述图形化硅层夹设于所述第一硅层和第二硅层之间并形成复数个微纳米空腔以衰减由所述第二硅层传递向所述第一硅层的应力本发明的复合硅衬底可以增加异质外延生长中的存储压应力和减小衬底的翘曲，生长更厚的异质外延薄膜。本发明还公开了基于上述复合硅衬底的氮化镓外延结构，有效减小缓冲层垂直漏电，改善器件的电学特性，为硅基氮化镓高压器件制作提供可能，适合实际生产应用。
一种复合衬底及其制备方法应用

[实用新型]一种钙钛矿硅基异质结太阳能电池-CN201920262664.3有效
发明人：况亚伟;刘玉申;倪志春;魏青竹;王书昶;张德宝;马玉龙;杨希峰;冯金福 -专利权人：常熟理工学院;苏州腾晖光伏技术有限公司
申请日： 2019-03-01 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种钙钛矿硅基异质结太阳能电池，包括n型单晶硅衬底，n型单晶硅衬底的第一面设置n型硅纳米柱周期阵列结构，n型单晶硅衬底的第二面设置金属背电极，n型硅纳米柱周期阵列结构表面设置钙钛矿纳米柱周期阵列结构，n型硅纳米柱和钙钛矿纳米柱上下对齐构成轴向异质结柱体，n型单晶硅衬底的第一面及轴向异质结柱体的表面设置透明导电薄膜，透明导电薄膜引出导电电极与金属背电极对外供电。本实用新型利用光子在纳米柱阵列中的多次折射散射提高器件太阳能波段的光子吸收效率，同时结合轴向异质结载流子收集效率高的特点，提高器件性能。
纳米柱钙钛矿衬底周期阵列结构异质结透明导电薄膜本实用新型硅基异质结金属背电极太阳能电池表面设置轴向柱体载流子收集效率光子吸收效率纳米柱阵列导电电极器件性能上下对齐第二面结合轴波段散射光子太阳能折射供电

[发明专利]硅基Ⅲ-Ⅴ族半导体异质纳米柱电致发光器件及制备方法-CN201910007377.2在审
发明人：张辉;杨德仁 -专利权人：浙江大学
申请日： 2019-01-04 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L33/30 文献下载
摘要：本发明公开了硅基Ⅲ‑Ⅴ族半导体异质纳米柱电致发光器件，包括硅衬底，所述硅衬底上分布有硅纳米柱阵列，所述硅纳米柱阵列的顶部覆盖有Ⅲ‑Ⅴ族半导体外延层；所述的硅纳米柱阵列和Ⅲ‑Ⅴ族半导体外延层的晶向取向相同本发明还提供硅基Ⅲ‑Ⅴ族半导体异质纳米柱电致发光器件的制备方法，包括：在硅衬底上刻蚀硅纳米柱阵列；通过沉积二氧化硅将刻蚀出的沟槽填充，并将高于硅纳米柱的二氧化硅去除；在硅纳米柱阵列的顶部外延生长Ⅲ‑Ⅴ族半导体外延层本发明提供的电致发光器件可充分驰豫因界面失配导致的晶格应力，可有效抑制Ⅲ‑Ⅴ族外延层中位错等缺陷的大量产生，从而提高硅基化合物电致发光纳米材料的晶体质量；同时制备过程简单可控。
硅纳米柱阵列电致发光器件半导体外延层硅衬底纳米柱硅基异质半导体二氧化硅沟槽填充刻蚀制备二氧化硅去除硅基化合物电致发光硅纳米柱纳米材料外延生长有效抑制制备过程外延层沉积驰豫晶格晶向可控取向去除失配中位覆盖

[发明专利]一种异质深槽PiN阵列的制备方法、器件及硅基可重构隐身天线-CN202110176558.5在审
发明人：苏汉;税冬东 -专利权人：中国人民武装警察部队工程大学
申请日： 2021-02-07 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本发明涉及一种异质深槽PiN阵列的制备方法、器件及硅基可重构隐身天线，该制备方法包括：选取GeOI衬底，并在GeOI衬底内掺杂形成顶层GeSn区；刻蚀衬底顶层GeSn区形成有源区深槽；有源区四周平坦化处理并利用原位掺杂形成P区和N区；以及在所述衬底上形成GeSn合金引线并进行连接，以完成所述适用于硅基可重构隐身天线的异质深槽PiN阵列的制备。本发明利用动态控制顶层Ge中Sn组分的含量以及GeSn合金引线的引入制备异质深槽PiN阵列。
一种异质深槽 pin 阵列制备方法器件硅基可重构隐身天线

[发明专利]一种基于垂直纳米线的LED超平行光源的制备方法-CN201410110773.5有效
发明人：但亚平 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2014-03-24 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于垂直纳米线的LED超平行光源的制备方法，其光源采用垂直硅纳米线的Si-CdS异质pn结，微透镜采用凹面镜。制备方法具体包括：首先制备圆点掩模板以确定硅纳米线的大小；然后使用ICP-RIE干法刻蚀技术制备硅纳米线；并且热氧化硅纳米线，去除硅纳米线顶端部分部氧化层；溅射多晶CdS薄膜，以形成Si-CdS异质结；最后以Si-CdS异质结为中心，采用淀积技术得到凹面镜，并且，凹面镜的轮廓为抛物线形。本发明利用硅基纳米Si-CdS异质pn结的发光特性，结合微型凹面镜制备工艺，实现了简单、集成、高效的超平行光的发射，避免了普通光源平行化的困境。
一种基于垂直纳米 led 平行光源制备方法

[发明专利]一种硅基异质结太阳能电池及其制备方法-CN201710063884.9在审
发明人：李艺明;邓国云;李浩 -专利权人：江苏神科新能源有限公司
申请日： 2017-02-04 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基异质结太阳能电池及其制备方法，所述硅基异质结太阳能电池包括晶硅基片、第一本征非晶层、第二本征非晶层、第一掺杂层、第二掺杂层、第一透明导电层及第二透明导电层，其中，第一透明导电层和/或第二透明导电层是由金属膜层和电介质膜层构成的透明导电叠层本发明的透明导电叠层比传统的透明导电氧化物膜层具有更低的方块电阻、同时对中远红外线具有较强的反射能力，可提高硅基异质结太阳能电池的性能。
一种硅基异质结太阳能电池及其制备方法

[发明专利]针对SiC材质实现大尺度、高深宽比三维结构加工方法-CN201210517235.9无效
发明人：朱健;侯智昊;石归雄;郁元卫 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2012-12-06 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： B81C99/00 文献下载
摘要：本发明是一种针对高硬度材质SiC大尺度、高深宽比三维结构的加工方法，包括如下工艺步骤：一、利用易加工的硅材料先进行大尺度、高深宽比三维结构构架加工；二、在硅基上异质生长SiC材料；三、将硅腐蚀掉，最后形成优点：解决了由于SiC材质类似于金刚石的硬度而无法或很难直接进行大尺度、高深宽比三维结构加工，利用MEMS牺牲层技术和SiC材料生长技术巧妙结合，实现SiC大尺度、高深宽比三维结构加工；本发明包括硅基三维结构设计，硅基上异质生长SiC材料，结构释放，SiC三维结构形成。
针对 sic 材质实现尺度高深三维结构加工方法

[发明专利]一种MWT异质结太阳能电池及其制备方法-CN202110450712.3在审
发明人：刘晓瑞;王伟;逯好峰;吴仕梁;路忠林;张凤鸣 -专利权人：江苏日托光伏科技股份有限公司
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开一种MWT异质结太阳能电池及其制备方法，MWT异质结太阳能电池依次包括正面导电TCO层、正面N型掺杂的非晶硅层、正面本征非晶硅层、单晶硅基底、背面本征非晶硅层、背面P型掺杂非晶硅层、背面TCO导电层，正面为绒面结构，背面为抛光面，本申请提供的上述电池的制备方法使用TCO专用蚀刻浆料进行背面正负极间导电TCO的绝缘代替激光绝缘，绝缘效果更优，降低漏电失效比例，提升良率，还可以避免激光绝缘隔离对硅基造成的损伤，提高MWT异质结电池的开压与转化效率。
一种 mwt 异质结太阳能电池及其制备方法

[实用新型]一种MWT异质结太阳能电池结构-CN202120864317.5有效
发明人：刘晓瑞;王伟;逯好峰;吴仕梁;路忠林;张凤鸣 -专利权人：江苏日托光伏科技股份有限公司
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型公开一种MWT异质结太阳能电池结构，MWT异质结太阳能电池结构依次包括正面导电TCO层、正面N型掺杂的非晶硅层、正面本征非晶硅层、单晶硅基底、背面本征非晶硅层、背面P型掺杂非晶硅层、背面TCO导电层，正面为绒面结构，背面为抛光面，本申请提供的上述电池的制备方法使用TCO专用蚀刻浆料进行背面正负极间导电TCO的绝缘代替激光绝缘，绝缘效果更优，降低漏电失效比例，提升良率，还可以避免激光绝缘隔离对硅基造成的损伤，提高MWT异质结电池的开压与转化效率。
一种 mwt 异质结太阳能电池结构

[发明专利]硅异质结太阳电池的制备方法-CN202211590881.8在审
发明人：宿世超;王伟;田宏波;李世岚;宫元波 -专利权人：国家电投集团新能源科技有限公司
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明提出一种硅基异质结太阳电池的制备方法，该方法包括：对硅片进行制绒处理，并将完成制绒处理的硅片置于硝酸溶液中进行氧化；将完成氧化的硅片置于氢氟酸和硝酸的混合液中，以对硅片背面的金字塔陷光结构进行抛光；抛光完成后，在硅片正面依次沉积本征非晶硅层和磷掺杂的n型非晶硅层，并在硅片背面依次沉积本征非晶硅层和硼掺杂的p型非晶硅层；在硅片的正背面均沉积一层透明导电薄膜，并在硅片背面的透明导电薄膜的表面沉积一层导电金属层本发明提出的硅基异质结太阳电池的制备方法，能够降低传统异质结太阳电池的制作成本，同时提高其发电转化效率。
硅异质结太阳电池制备方法

[发明专利]硅基异质结太阳电池的制备方法-CN202211590882.2在审
发明人：宿世超;王伟;田宏波;李世岚;宫元波 -专利权人：国家电投集团新能源科技有限公司
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明提出一种硅基异质结太阳电池的制备方法，所述制备方法包括：将硅片进行制绒处理；将制绒好的硅片置于磷扩散炉内进行磷扩散吸杂，以形成磷扩散掺杂N+扩散层；将硅片背面的磷硅玻璃层去除；将背面去除磷硅玻璃层的硅片进行抛光，并去除硅片正面的磷硅玻璃层，裸露出N+扩散层；对硅片进行清洗，在硅片正面依次沉积本征非晶硅层和磷掺杂的n型非晶硅层，硅片背面依次沉积本征非晶硅层和硼掺杂的p型非晶硅层；在硅片正背面各沉积一层透明导电层本发明提出的硅基异质结太阳电池的制备方法，能够解决传统异质结太阳电池的制备工艺中存在的发电效率较低的问题。
硅基异质结太阳电池制备方法

[发明专利]一种用于异丙醇室温快速检测的高灵敏纳米硅基气体传感元件及其制备方法-CN201810991905.8在审
发明人：秦玉香;崔震;闻棕择;张冰莹 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： B81B1/00 文献下载
摘要：本发明公开一种用于异丙醇室温快速检测的高灵敏纳米硅基气体传感元件及其制备方法，采用双重金属辅助化学刻蚀工艺，对硅纳米线表面进行粗糙化处理并有效降低硅纳米线的阵列密度，实现气敏响应的微结构改性；再经微结构改性的硅纳米线表面均匀包覆超薄醌型聚吡咯薄膜，形成有机‑无机核壳复合结构，实现气敏响应的有机异质改性。本发明形成醌型聚吡咯‑硅纳米线的有机‑无机特殊异质结接触结构，实现对纳米硅敏感元的有效有机异质改性。通过对硅纳米线敏感元的双重改性处理，实现传感器件对异丙醇气体的室温高灵敏响应。
一种用于异丙醇室温快速检测灵敏纳米气体传感元件及其制备方法