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[发明专利]一种硅基光电子单片式异质集成方法-CN202011630305.2有效
发明人：齐志强;王晨晟;张智杰;吴新建;龙瀚凌 -专利权人：华中光电技术研究所（中国船舶重工集团公司第七一七研究所）
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅基光电子单片式异质集成方法，涉及硅基光子集成技术领域。基于硅基光电子平台将III‑V化合物半导体和硅基光电子器件进行单片式集成，可应用于光电微系统应用领域。本发明针对光电微系统小型化、集成化和多功能化发展趋势对单片集成不同材料体系有源和无源半导体光子器件的迫切需求，提出了一种基于硅基的单片式异质集成方法，利用该方法可以实现基于同一硅片平台上激光器、调制器和探测器等有源光电器件和分束器、耦合器和光学微腔等无源光电器件的异质集成。
一种光电子单片式异质集成方法

[发明专利]一种宽光谱硅基-硫化钼异质结光电探测器的制备方法-CN202111597763.5有效
发明人：南海燕;王成林;肖少庆;顾晓峰 -专利权人：江南大学
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽光谱硅基‑硫化钼异质结光电探测器的制备方法，属于半导体器件领域。本发明所述的制备宽光谱硅基‑硫化钼异质结光电探测器的方法包括如下步骤：先利用温和等离子体技术处理硅基衬底表面的SiO2层，使得SiO22薄膜；之后通过干法转移技术将MoS2薄膜转移至预处理的衬底表面，得到硅基MoS2异质结；最后利用光刻技术刻出器件结构，蒸镀电极，得到所述的宽光谱硅基‑硫化钼异质结光电探测器。
一种光谱硫化钼异质结光电探测器制备方法

[发明专利]硅基异质结太阳电池及其制备方法-CN202010852298.4有效
发明人：徐琛 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本申请公开了一种硅基异质结太阳电池及其制备方法，其中，硅基异质结太阳电池，包括依次叠层设置的基底、钝化层、电子传输层及透明导电氧化物层，所述电子传输层为纳米硅氧层，所述纳米硅氧层与钝化层之间设置有本征纳米硅层
硅基异质结太阳电池及其制备方法

[发明专利]硅基光电异质集成方法及硅基光电异质集成芯片-CN200910312831.1有效
发明人：刘新宇;周静涛;申华军;张轩雄;刘洪刚;吴德馨 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2009-12-31 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基光电异质集成方法及硅基光电异质集成芯片，属于光电异质集成技术领域。所述方法包括：在硅晶片上设置硅基无源光子器件作为光信息传输通道；在III-V族晶片中设置CMOS微电子集成电路；在III-V族晶片上通过一次外延实现有源光子器件和CMOS微电子集成电路的有源区多层量子阱结构；采用整片的晶片键合工艺在硅晶片上键合III-V族晶片；在III-V族晶片中设置光耦合器。本发明在同一III-V族材料层中实现了微电子电路和有源光子器件的集成，为硅基光电异质集成芯片的研制和应用提供了可行性；本发明可广泛应用于研制下一代高密度、大容量、多功能的单片集成光电芯片。
光电集成方法芯片

[发明专利]一种硅上高迁移率GaN基异质结构及其制备方法-CN201510037027.2有效
发明人：杨学林;沈波;程建朋;桑玲;许福军 -专利权人：北京大学
申请日： 2015-01-23 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅衬底上高迁移率GaN基异质结构及其制备方法，属于半导体技术领域。该GaN基异质结构为层状叠加结构，从下向上的材料依次为硅衬底、成核层、应力和缺陷控制层、外延层、沟道层、插入层和势垒层，其中应力和缺陷控制层为AlGaN层，其厚度为10nm‑10μm；且Al摩尔组分为1与现有的较繁琐的硅上GaN基异质结构外延技术相比，本发明可以大幅降低缺陷密度，提高异质结构材料的晶体质量，十分适合于低成本的高频、高功率器件的研制。
一种硅上高迁移率 gan 基异质结构及其制备方法

[发明专利]硅基太阳能电池暗I-V-T特性的测试方法-CN201210352455.0无效
发明人：马立云;崔介东;彭寿;王芸 -专利权人：蚌埠玻璃工业设计研究院;中国建材国际工程集团有限公司
申请日： 2012-09-21 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅基异质结太阳能电池暗I-V-T特性（电流-电压-温度）的测试方法，属于硅基太阳能电池领域，通过测试0～60℃范围、电池两端加0至0.8V等步长连续变化直流电压的硅异质结太阳能电池的电流随温度变化规律，从而得出该电池的暗I-V-T特性曲线，可以分析异质结电池的载流子输运机制，得出电池填充因子的影响因素，是研究硅基太阳能电池电学性能的有效方法之一；本方法设备简单，操作方便，易于实现，测试数据可靠性、重复性高，应用于硅基太阳能电池的电学性能研究领域。
太阳能电池特性测试方法

[发明专利]一种钙钛矿硅基异质结太阳能电池及其制备方法-CN201910156062.4在审
发明人：况亚伟;刘玉申;倪志春;魏青竹;王书昶;张德宝;马玉龙;杨希峰;冯金福 -专利权人：常熟理工学院;苏州腾晖光伏技术有限公司
申请日： 2019-03-01 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿硅基异质结太阳能电池，包括n型单晶硅衬底，n型单晶硅衬底的第一面设置n型硅纳米柱周期阵列结构，n型单晶硅衬底的第二面设置金属背电极，n型硅纳米柱周期阵列结构表面设置钙钛矿纳米柱周期阵列结构，n型硅纳米柱和钙钛矿纳米柱上下对齐构成轴向异质结柱体，n型单晶硅衬底的第一面及轴向异质结柱体的表面设置透明导电薄膜，透明导电薄膜引出导电电极与金属背电极对外供电。本发明还公开了一种钙钛矿硅基异质结太阳能电池的制备方法。本发明利用光子在纳米柱阵列中的多次折射散射提高器件太阳能波段的光子吸收效率，同时结合轴向异质结载流子收集效率高的特点，提高器件性能。
钙钛矿纳米柱衬底周期阵列结构硅基异质结太阳能电池异质结透明导电薄膜金属背电极表面设置轴向柱体制备载流子收集效率光子吸收效率纳米柱阵列导电电极器件性能上下对齐第二面结合轴波段散射光子太阳能折射供电

[发明专利]硅基异质结太阳电池及其制备方法-CN202210449883.9有效
发明人：徐琛 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本申请公开了一种硅基异质结太阳电池及其制备方法，其中，硅基异质结太阳电池，包括依次叠层设置的基底、钝化层、电子传输层及透明导电氧化物层，所述电子传输层为纳米硅氧层，所述纳米硅氧层与透明导电氧化物层之间设置有n型掺杂非晶硅层。
硅基异质结太阳电池及其制备方法

[实用新型]一种用于制造硅基异质结电池的工装-CN201821170004.4有效
发明人：沙明星 -专利权人：东腾投资集团有限公司
申请日： 2018-07-23 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种用于制造硅基异质结电池的工装，用于夹持硅片，包括上下设置的上盖和托盘，所述托盘上设置有用于固定硅片的安装槽；所述上盖与托盘之间设置有限位机构，所述限位机构设置在所述安装槽的边沿，用于水平限位硅片本申请涉及硅基异质结电池的制造设备，提供了一种用于制造硅基异质结电池的工装，能够避免由于硅片在工装中移动而造成的镀膜失败问题，保证了稳定镀膜和硅片的边缘处绝缘，无需其他化学清洗。
硅基异质结工装硅片托盘电池安装槽镀膜上盖制造固定硅片化学清洗上下设置水平限位限位机构制造设备边缘处夹持绝缘申请失败移动保证

[发明专利]一种硅基铁电异质结光电探测器及其制备方法和应用-CN202310479723.3在审
发明人：陈思怡;陈明明;朱高雅;陈思学;程培宇 -专利权人：江苏大学
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅基铁电异质结光电探测器及其制备方法和应用，属于信息技术领域；本发明通过在Si硅衬底表面上制备铁电薄膜材料，然后在Si硅衬底和铁电薄膜材料上沉积薄金属电极来构建硅基铁电异质结光电探测器；所述硅基铁电异质结光电探测器能够实现紫外‑可见‑近红外宽光谱和波长可选择光探测的目的，其在300‑900nm宽光谱和300‑340nm紫外/380‑900nm可见光‑近红外波长下均可进行可选择光探测，具有很强的工业实用性
一种硅基铁电异质结光电探测器及其制备方法应用

[发明专利]异质结电池硅片的镀膜方法、镀膜设备及电池生产系统-CN202210869456.6在审
发明人：甘武林;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：三一集团有限公司
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明涉及电池生产技术领域，提供一种异质结电池硅片的镀膜方法、镀膜设备及电池生产系统，其中，异质结电池硅片的镀膜方法包括采用等离子体增强化学的气相沉积工艺分别在晶体硅基板相对的两面镀本征硅基薄膜；采用热丝化学气相沉积工艺分别在晶体硅基板相对的两面的本征硅基薄膜上镀N型掺杂硅基薄膜和P型掺杂硅基薄膜。如此设置，解决了现有技术中在生产HJT电池的过程中存在的本征非晶硅和掺杂非晶硅的产能不匹配的问题。
异质结电池硅片镀膜方法设备生产系统

[实用新型]一种晶体硅异质结太阳电池结构-CN201820674074.7有效
发明人：彭德香;徐昕;周浪;黄海宾;刘超;任栋梁;吴小元;何学勇;汤波;江超 -专利权人：中智（泰兴）电力科技有限公司
申请日： 2018-05-08 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： H01L31/074 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种晶体硅异质结太阳电池结构，在制绒的n型晶体硅片的一面或两面依次沉积本征非晶硅基薄膜、掺杂非晶硅薄膜、氧化铟钛ITiO薄膜。本实用新型的晶体硅异质结太阳电池结构均匀性、稳定性好，沉积速率快可满足高速率生产的需要；用于晶体硅异质结太阳电池的大规模生产，可得到转换效率大于22.5%的晶体硅异质结太阳电池，良品率可大于99.5%。
异质结太阳电池晶体硅本实用新型沉积掺杂非晶硅薄膜本征非晶硅结构均匀性氧化铟钛转换效率基薄膜良品率制绒薄膜生产

[实用新型]一种晶体硅异质结太阳电池结构-CN201721902869.0有效
发明人：张闻斌;黄海宾;李杏兵;王月斌;王磊;徐昕;彭德香 -专利权人：中智(泰兴)电力科技有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种晶体硅异质结太阳电池结构，在制绒的n型晶体硅片的一面或两面依次沉积本征非晶硅基薄膜、掺杂非晶硅薄膜、氧化铟钛ITiO薄膜。本实用新型的晶体硅异质结太阳电池结构均匀性、稳定性好，沉积速率快可满足高速率生产的需要；用于晶体硅异质结太阳电池的大规模生产，可得到转换效率大于22.5％的晶体硅异质结太阳电池，良品率可大于99.5％。
异质结太阳电池晶体硅本实用新型沉积掺杂非晶硅薄膜本征非晶硅结构均匀性氧化铟钛转换效率基薄膜良品率制绒薄膜生产

[实用新型]一种硅基异质结太阳能电池及系统-CN202222819675.1有效
发明人：左国军;奚华;舒欣 -专利权人：常州捷佳创精密机械有限公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L31/074 文献下载
摘要：本实用新型属于硅基异质结太阳能电池技术领域，具体涉及一种硅基异质结太阳能电池及系统，本硅基异质结太阳能电池包括：自上而下依次连接的正极金属导线、正面TCO导电膜、正面P型微晶硅掺杂薄膜层、正面本征非晶硅层膜层、N型晶硅衬底、背面本征非晶硅层膜层、背面N型微晶硅膜层、背面TCO导电膜、负极金属导线；本实用新型通过将正面P型微晶硅掺杂薄膜层置于正面能够减少正面的光学损失，也可以提高正面P型微晶硅掺杂薄膜层的掺杂效率，电导率增加，提高短路电流，在提高光学和电学性能的同时，将正面P型微晶硅掺杂薄膜层置于正面还可以减少PN结背结结构对衬底和本征层镀膜质量的过高要求，有利于工业化生产。
一种硅基异质结太阳能电池系统

[发明专利]一种异质单片混合信号处理器的制备方法-CN201711099427.1有效
发明人：陈书明;王磊;张金英;宁希;池雅庆;陈哲;刘婧恬 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2017-11-09 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L21/70 文献下载
摘要：本发明公开一种异质单片混合信号处理器的制备方法，步骤包括：S1.在硅片表面沉积化合物功能薄膜，并在化合物功能薄膜上定义微纳图形，制备无源微波射频电路；S2.对经过步骤S1得到的异质硅基基片的表面使用HSQ胶，并进行热压处理后形成表面平整的二氧化硅隔离层；S3.在经过步骤S2形成有二氧化硅隔离层的异质硅基基片表面制备信号处理电路；S4.将各信号处理电路进行互连，得到异质单片混合信号处理器。本发明能够兼容硅基工艺实现异质单片混合信号处理器的制备，且具有实现操作简单、所需制备成本低、制备效率及制备良率高，并能够保证芯片系统的热可靠性等优点。
一种单片混合信号处理器制备方法