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[发明专利]异质芯片封装方法-CN202211557809.5在审
发明人：戴颖;李骏;石磊;夏鑫 -专利权人：通富微电子股份有限公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本公开的实施例提供一种异质芯片封装方法，包括：提供基板、多个硅片和多个异质芯片；分别在所述多个硅片上形成多组导电连接结构，并得到多个硅中介板；分别将所述多个硅中介板进行切割，得到多个目标硅中介块；将所述多个目标硅中介块固定在所述基板上对应的凹槽内；分别将所述多个异质芯片互连设置在对应的所述多个目标硅中介块上。将大的硅中介板切割成小的硅中介块，避免了减薄过程中硅中介层的翘曲、破裂。将不同规格的硅中介块根据异质芯片的安装需求进行组合，与异质芯片之间互相对应安装、且可一次成型，缩小了硅中介层的整体面积以及各个芯片的间距，大大提高了封装整体的集成度。
芯片封装方法

[实用新型]非晶硅/晶体硅异质结太阳电池-CN201822212411.3有效
发明人：石建华;孟凡英;刘正新 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本实用新型提供一种非晶硅/晶体硅异质结太阳电池，包括非晶硅/晶体硅异质结结构，其上表面和下表面分别包括中心区及包围中心区的边缘区；透明导电氧化物薄膜覆盖中心区，且至少显露非晶硅/晶体硅异质结结构的上表面和下表面中的一面的边缘区本实用新型通过氮化硅、氧化硅及氮氧化硅的化学惰性及光学折射率可控的特点，使非晶硅/晶体硅异质结太阳电池的稳定性最大化，同时减反射效果最优化，从而达到提高非晶硅/晶体硅异质结太阳电池的稳定性和光电转化效率的双重目的
非晶硅晶体硅异质结太阳电池边缘区中心区本实用新型异质结结构覆盖薄膜上表面下表面透明导电氧化物薄膜显露光电转化效率稳定性最大化光学折射率减反射效果氮氧化硅高稳定性化学惰性金属电极氮化硅低成本可控的氧化硅最优化覆盖包围

[发明专利]基于虚衬底的硅锗异质结光晶体管-CN200810070524.2无效
发明人：张永;李成;陈松岩;赖虹凯;康俊勇 -专利权人：厦门大学
申请日： 2008-01-23 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： H01L31/11 文献下载
摘要：基于虚衬底的硅锗异质结光晶体管，涉及一种异质结光晶体管。提供一种可极大地增加吸收区SiGe层的锗组分和SiGe层厚度，响应度高，响应波长范围宽，可对各区的Ge组分和厚度自由调节，设计灵活性强，主要用于近红外波段入射光探测的基于虚衬底的硅锗异质结光晶体管。设有硅基硅锗虚衬底，在虚衬底上依次设有集电区、吸收区、基区和发射区，集电区为Si_1－yGe_y层，吸收区为Si_1－zGe_z
基于衬底硅锗异质结光晶体管

[发明专利]一种制作硅基异质结电池片时边缘绝缘的方法-CN201310666703.3有效
发明人：林朝晖;宋广华;曾小燕;黄辉明 -专利权人：泉州市博泰半导体科技有限公司
申请日： 2013-12-10 - 公布日： 2015-06-10 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种制作硅基异质结电池片时边缘绝缘的方法，包括：提供正面已沉积P-型非晶硅薄膜层，反面已沉积N-型非晶硅薄膜层的硅片；在所述硅片正反两面上沉积导电透明氧化物层；在所述导电透明氧化物层上沉积阻挡层本发明在于实现制作硅基异质结电池片时边缘绝缘。
一种制作硅基异质结电池片时边缘绝缘方法

[发明专利]基于二维材料InSe/GaAs异质结的三维沟槽硅电极探测器-CN202210320603.4在审
发明人：刘美萍;唐勇;刘文富;白柳杨 -专利权人：黄淮学院
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L31/0328 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二维材料InSe/GaAs异质结的三维沟槽硅电极探测器，本发明属于光电探测器技术领域。本发明的电极探测器，包括隔离硅体，所述隔离硅体采用二维材料InSe/GaAs异质结材料，所述二维材料InSe/GaAs异质结为直接带隙的II型异质结构，所述II型异质结构包括Ga端接触的异质结构和As端接触的异质结构；所述Ga端接触的异质结构的带隙为0.62‑1.32eV，所述As端接触的异质结构的带隙为1.84‑1.95eV。二维材料InSe/GaAs异质结相对比单层InSe载流子迁移率大大提升，异质结构扩宽了光吸收范围，增加了对可见光和红外线区域的吸收增强。
基于二维材料 inse gaas 异质结三维沟槽电极探测器

[发明专利]一种核壳异质结构锗硅纳米线及其可控制备方法和应用-CN201710140216.1有效
发明人：夏金松;李毅 -专利权人：武汉拓晶光电科技有限公司
申请日： 2017-03-10 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公布了一种核壳异质结构锗硅纳米线及其可控制备方法和应用，采用高精度的电子束光刻和干法刻蚀来定义纳米线的位置和大小，避免了传统生长法中的随机成核生长的问题；本发明引入了高温氧化硅使硅纳米线缩小的办法，实现了锗硅纳米线横向尺寸的进一步缩小；通过调节锗/硅沉积速率比的办法，可实现锗组分在0～100％的范围内任意调节，硅的沉积速率越快，锗的组分越低；反之，锗的组分越高；本发明提供的核壳异质结构锗硅纳米线的可控制备方法具有可控性好、工艺步骤简单、可重复性高等优点，在半导体制造领域中的纳米线无结晶体管器件、硅基发光器件、单电子器件器件等方向有很好的应用前景。
一种核壳异质结构纳米及其可控制备方法应用

[发明专利]异质芯片封装方法-CN202211553696.1在审
发明人：李骏;戴颖;石磊;夏鑫 -专利权人：通富微电子股份有限公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本公开的实施例提供一种异质芯片封装方法，包括：提供基板、多个硅片和多个异质芯片；分别在所述多个硅片的第一表面形成多组导电连接结构，并得到多个硅中介板；分别将所述多个硅中介板进行切割，得到多个硅中介块；从所述多个硅中介块中选取多个目标硅中介块，并将所述多个目标硅中介块的第一表面固定在所述基板上；分别将多个异质芯片互连设置在对应的所述多个目标硅中介块上。将大的硅中介板切割成小的硅中介块，避免了减薄过程中硅中介层的翘曲、破裂。将不同规格的硅中介块根据异质芯片的安装需求进行组合，与异质芯片之间互相对应安装、且可一次成型，缩小了硅中介层的整体面积以及各个芯片的间距，大大提高了封装整体的集成度。
芯片封装方法

[发明专利]异质结电池的制备方法-CN202111320788.0在审
发明人：姚铮;崔巍;陈海燕;吴坚;蒋方丹 -专利权人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种异质结电池的制备方法及异质结电池，其中，异质结电池的制备方法包括：制绒，在硅基底表面刻蚀形成制绒面；在硅基底一侧表面依次制备第一本征非晶硅层、第一掺杂非晶硅层、第一透明导电层；在所述第一透明导电层表面制备第一金属纳米线薄膜通过上述制备方法制备的异质结电池，可有效地改善电池表面的光线透过率，同时改善异质结电池的填充因子，进而提升异质结电池的转换效率。
异质结电池制备方法

[实用新型]一种光转化效率高的两端钙钛矿异质结晶硅叠层太阳能电池-CN202022449776.5有效
发明人：徐成;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：深圳黑晶光电技术有限公司
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光转化效率高的两端钙钛矿异质结晶硅叠层太阳能电池。该光转化效率高的两端钙钛矿异质结晶硅叠层太阳能电池包括异质结硅太阳能电池作为底电池、隧穿层以及基于pin结构的钙钛矿太阳能电池的顶电池；所述异质结硅太阳能电池的结构从下往上依次包括金属底电极、透明导电层、p型非晶硅层、第一本征非晶硅层、晶硅、第二本征非晶硅层、n型非晶硅层。本实用新型的叠层太阳能电池基于高效率异质结太阳电池制备，制备工艺简单，成本低廉、光转换效率高，非常具有大规模商业化前景。
一种转化效率两端钙钛矿异质结晶硅叠层太阳能电池

[发明专利]一种氮化镓基异质结集成器件结构及制造方法-CN202010036647.5有效
发明人：欧阳伟伦;梁安杰;罗文健 -专利权人：香港商莫斯飞特半导体有限公司
申请日： 2020-01-14 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：一种氮化镓基异质结集成器件结构的制造方法，包括：在硅片表面依次生长AIN成核层、GaN缓冲层、氮化镓沟道层、无掺杂势垒层和pGaN层；在所述pGaN层表面积淀光刻涂层，利用掩模版暴露出部分pGaN层表面并用注入硅离子；对注入的硅离子进行退火激活，将注入硅离子的pGaN层变为n型的GaN区域；积淀光刻涂层，利用掩模版对暴露出的pGaN层进行刻蚀，暴露出无掺杂势垒层，并形成接触孔；在所述接触孔中形成欧姆接触电极；形成栅极开孔本发明的氮化镓基异质结集成器件结构，起到保护原有器件的作用。
一种氮化镓基异质结集成器结构制造方法

[发明专利]一种高效背反射晶体硅异质结太阳电池及其制备方法-CN202110413537.0有效
发明人：张丽平;姚宇波;刘正新;刘文柱;石建华 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明涉及一种高效背反射晶体硅异质结太阳电池，其包括异质结主体结构和背反射结构，异质结主体结构包括作为吸收层的n型晶体硅衬底，其具有对称结构的窗口层和背场层；背场TCO薄膜连接在n型晶体硅衬底的背场层，本发明还涉及一种高效背反射晶体硅异质结太阳电池的制备方法。根据本发明的高效背反射晶体硅异质结太阳电池可以提升异质结主体结构的短路电流密度和提高转换效率，使得高效背反射晶体硅异质结太阳电池对长波段的光谱响应明显增加，减少自然光的吸收损失，从而获得更高的转换效率。
一种高效反射晶体硅异质结太阳电池及其制备方法

[实用新型]纳米硅异质结二极管-CN01265113.3无效
发明人：刘明;何宇亮;刘宏;刘晓晗;成鑫华 -专利权人：上海维安新材料研究中心有限公司
申请日： 2001-09-27 - 公布日： 2002-04-03 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型纳米硅异质结二极管涉及一种二极管,包括单晶硅,特点是以低电阻单晶硅为基片,在其上方沉积一层掺杂纳米硅薄膜,构成纳米硅/单晶硅异质结构。优越性在于纳米硅异质结二极管具有优越的伏－安特性,击穿电压不小于60伏,反向漏电流仅为纳安量级;具有极好的温度稳定性,可在不大于250℃温度范围内使用;反向开关时间不大于1.5纳秒纳米硅/单晶硅异质结内的电输运是以隧穿机制为主
纳米硅异质结二极管

[发明专利]一种优化铜电镀用种子层材料及薄膜线路制备的方法-CN202310287522.3在审
发明人：黄信二;黄煜翔 -专利权人：赣州市创发光电科技有限公司
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明的目是涉及一种优化铜电镀用种子层材料及薄膜线路制备的方法，首创使用溅镀低掺杂的铜合金薄膜(50‑200nm)在硅基异质结电池的透明导电膜(50‑150nm)上面，作为铜电镀金属化栅线所需的基础薄膜缩小铜材料的热涨冷缩特性,增加抗氧化性及耐候性,降低铜材料镀膜的粗糙度,增加与透明导电模的贴覆性，有助于后续铜电镀栅线(5‑20um)的制作,由于铜电镀栅线的密度高于网印低温银浆的栅线,所以导电性优于低温银浆，有助于提高异质结电池的转换效率,同时电镀铜栅线能降低硅基异质结电池的生产成本,利于大型的量产。
一种优化电镀种子材料薄膜线路制备方法

[实用新型]一种提高大面积硅材料上金刚石形核均匀性的预处理装置-CN202223142747.X有效
发明人：刘繁;翁俊;汪建华;汪淏;张昕煦;刘小波;郭能峰 -专利权人：武汉莱格晶钻科技有限公司
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C23C16/511 文献下载
摘要：本实用新型涉及提高大面积硅材料上金刚石形核均匀性的预处理装置，基台通过升降支架固定在容器内，并浸没在保护液内；喷枪布置在容器上方，喷枪的喷嘴朝向基台。本实用新型的有益效果为：通过喷枪喷射高压的金刚石粉悬浊液对单晶硅片表面进行冲击，在单晶硅片表面形成有利于金刚石异质外延形核的凹坑；通过控制喷枪的运动路径，调控凹坑缺陷在单晶硅片表面分布的均匀性；通过升降支架控制单晶硅片在纵向上微小位移内的高频振动，进一步提高凹坑粒径分布的均匀性，通过保护液避免金刚石粉悬浊液的冲击对硅片本身的损伤；可以在大面积单晶硅片表面形成有利于金刚石异质形核的尺寸分布均匀的形核缺陷，提高了大面积硅材料上金刚石均匀异质形核的效率
一种提高大面积材料金刚石均匀预处理装置

[发明专利]一种硅异质结太阳电池组件的制作方法-CN202010417758.0在审
发明人：韩安军;刘正新;孟凡英;张丽平;石建华;杜俊霖;陈红元;李金萍;周华;谢毅 -专利权人：中威新能源（成都）有限公司
申请日： 2020-05-18 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H01L31/074 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅异质结太阳电池组件的制作方法，解决了因焊接和层压高温对太阳电池钝化效果和转换效率带来的劣化问题，属于太阳电池技术领域，制作步骤为：(1)制备硅异质结太阳能电池；(2)将硅异质结太阳电池进行串并联形成硅异质结太阳电池串；(3)铺设组件封装材料形成堆叠物；(4)将堆叠物放入层压机中，采用LED光源作为加热源进行层压制备组件，层压完成后得到硅异质结太阳电池组件；本发明通过采用LED光源作为层压加热源，在对组件进行层压的过程中同时完成对硅异质结电池片的高温下光注入处理，显著改善非晶硅对异质结太阳电池的钝化效果，提升太阳电池的转换效率，增加太阳电池组件的输出功率，同时加热快，效率高，能耗低。
一种硅异质结太阳电池组件制作方法