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[发明专利]一种化合物半导体晶圆结构-CN201210195095.8有效
发明人：林正国;李思儒;许荣豪;蔡绪孝 -专利权人：稳懋半导体股份有限公司
申请日： 2012-06-13 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明关于一种化合物半导体晶圆结构，包含一基板、一n型场效晶体管磊晶结构，一n型掺杂蚀刻终止层、一p型插入层以及一npn异质接面双极晶体管磊晶结构，可用以制作场效晶体管、异质接面双极晶体管或门流管晶体管
一种化合物半导体结构

[发明专利]一种硅基异质结薄膜太阳能电池的制作方法-CN200910042743.4无效
发明人：万青;周棋;赵斌;易宗凤 -专利权人：湖南大学
申请日： 2009-02-27 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基异质结薄膜太阳能电池的制作方法，步骤包括：1)采用PECVD、等离子体增强物理气相沉积技术在透明导电玻璃上沉积一层厚度小于100纳米的N型非晶硅薄膜或P型非晶硅薄膜；2)按硅质量百分比30％-90％的比例，混合高纯P型或N型硅粉、EVA、PET或PI塑料单体得到复合原料；3)采用印刷吹膜或者流延等塑料成膜工艺在N型非晶硅薄膜或P型非晶硅薄膜上形成一层厚度适当的P型硅/塑料复合薄膜或N型硅/塑料复合薄膜；4)最后采用真空蒸发、溅射工艺制作铝背电极或银背电极，形成多晶硅/非晶硅异质结薄膜太阳能电池。本发明避免了大颗粒多晶硅薄膜难于直接沉积的难点，成本低廉，工艺简单，且光电转换效率高，具有广泛的产业化价值。
一种硅基异质结薄膜太阳能电池制作方法

[发明专利]一种锗硅异质结双极晶体管的单粒子效应测试方法及系统-CN202110412508.2在审
发明人：郭红霞;冯亚辉;潘霄宇;欧阳晓平;钟向丽;张晋新;刘晔;张鸿 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：一种锗硅异质结双极晶体管的单粒子效应测试方法及系统，其中测试方法包括：将试验锗硅异质结双极晶体管放置于预设温度下，并对所述试验锗硅异质结双极晶体管施加预设偏置条件；对所述预设温度和所述预设偏置条件下的所述试验锗硅异质结双极晶体管的目标区域施加第一预设辐照条件的激光微束，得到所述目标区域中每一个坐标点的瞬变电流结果；基于所述目标区域中每一个坐标点的瞬变电流结果，得到所述试验锗硅异质结双极晶体管的单粒子效应的敏感区域。本发明的测试方法可有效测出锗硅异质结双极晶体管的单粒子效应。
一种锗硅异质结双极晶体管粒子效应测试方法系统

[发明专利]基于基片集成波导天线的锗硅异质结双极晶体管探测器-CN201811094137.2有效
发明人：孙鹏林;傅海鹏;张齐军;马建国 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01Q19/10 文献下载
摘要：一种基于基片集成波导天线的锗硅异质结双极晶体管探测器，包括用于探测的锗硅异质结双极晶体管，所述锗硅异质结双极晶体管的基极通过匹配网络连接用来接收太赫兹波信号的基片集成波导天线，所述锗硅异质结双极晶体管的发射极接地，所述锗硅异质结双极晶体管的集电极通过输出滤波器分别连接四分之一波长开路微带线和直流偏置电压，以及构成输出端。本发明的基于基片集成波导天线的锗硅异质结双极晶体管探测器，提高片上集成天线的增益和效率，减小接直流偏置的封装线引入的寄生效应。
基于集成波导天线锗硅异质结双极晶体管探测器

[发明专利]一种钙钛矿-硅异质结叠层太阳能电池及其制作方法-CN202010797706.0有效
发明人：徐琛 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2020-08-10 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明公开一种钙钛矿‑硅异质结叠层太阳能电池及其制作方法，涉及叠层太阳能电池技术领域，以使硅异质结底电池pn结与介孔型无机空穴传输层共存。该钙钛矿‑硅异质结叠层太阳能电池的制作方法包括：提供硅异质结底电池；在硅异质结底电池上形成隧穿复合层；加热硅异质结底电池，同时利用喷涂工艺将无机空穴传输纳米颗粒悬浮液喷涂在隧穿复合层上，溶剂挥发，形成介孔型无机空穴传输层
一种钙钛矿硅异质结叠层太阳能电池及其制作方法

[发明专利]大尺寸晶圆透明GaNHEMT器件的制备方法-CN202211434356.7在审
发明人：刘志宏;赵雪利;许淑宁;危虎;邢伟川;侯松岩;张苇杭;周瑾;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学广州研究院;西安电子科技大学
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了大尺寸晶圆透明GaN HEMT器件的制备方法，具体为：在大尺寸硅基氮化镓HEMT晶圆上进行系列器件制备工艺，包括欧姆电极制备、台面隔离和肖特基栅极制备等；在正面工艺结束后将晶圆翻转临时键合到载片上；将硅基氮化镓HEMT晶圆的硅衬底去除；然后将透明衬底与氮化镓异质晶圆紧密地结合起来；最后解晶圆正面的临时键合。本发明的方法，借助硅基氮化镓HEMT晶圆，可以实现6英寸、8英寸或者更大尺寸晶圆制备；在硅衬底上完成外延生长和器件制备后将其转移到透明衬底上，保证了整体透明性，避免了直接在透明衬底晶圆上加工GaN HEMT
尺寸透明 ganhemt 器件制备方法

[发明专利]一种钝化接触背结硅异质结太阳电池及其制备方法-CN202010380493.1有效
发明人：任栋樑;陈昌明;杨杰;李正平;刘超;徐小娜;周国平 -专利权人：熵熠(上海)能源科技有限公司
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明提供了一种钝化接触背结硅异质结太阳电池，其特征在于，以n型单晶硅片为基底，在基底硅片的背面由内至外依次为背面本征非晶硅层、p型非晶硅发射极层、透明导电氧化物薄膜层和背面金属栅线电极；在基底硅片的正面由内至外依次为超薄氧化硅层、n型多晶硅层、氮化硅减反射层、正面金属电极；所述钝化接触背结硅异质结太阳电池的钝化接触层位于电池正面，包括超薄氧化硅层和n型多晶硅层；所述钝化接触背结硅异质结太阳电池的p‑n异质结位于电池背面，由p型非晶硅层与n型单晶硅片之间形成p‑n异质结。本发明在电池正面引入钝化接触结构，能实现正面良好的全面积钝化，将p‑n异质结置于电池背面，能够拓宽异质结电池的工艺窗口，有利于电池的优化设计。
一种钝化接触背结硅异质结太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种基于AlGaN/GaN异质结的位置传感器、制备方法及检测方法-CN201911024036.2有效
发明人：胡来归;叶怀宇;张国旗 -专利权人：深圳第三代半导体研究院
申请日： 2019-10-25 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明提出了一种基于AlGaN/GaN异质结的位置传感器、制备方法及检测方法，其包括衬底，AlGaN/GaN异质结，顶部两侧的金属电极和盖帽层。本发明采用的AlGaN/GaN异质结，相比硅基光电位置传感器，可以在恶劣环境，如高温、高压等条件下工作，具有光谱选择性感应、对可见与红外的干扰不敏感，分辨率高和响应速度快等优势。
一种基于 algan gan 异质结位置传感器制备方法检测

[发明专利]一种硅异质结太阳能电池及其制作方法-CN202010734272.X在审
发明人：徐琛 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2020-07-27 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开一种硅异质结太阳能电池及其制作方法，涉及光伏技术领域，以减小绒面结构硅基底上的透明导电层与电极的接触电阻，提高硅异质结太阳能电池的填充因子和光电转换效率。该硅异质结太阳能电池包括硅基底、透明导电层、纳米导电层及电极，硅基底具有绒面，透明导电层形成于绒面上，纳米导电层形成于透明导电层上，电极形成于纳米导电层上；其中，纳米导电层采用溅射工艺制备，形成纳米导电颗粒本发明提供的硅异质结太阳能电池及其制作方法用于硅异质结太阳能电池制造。
一种硅异质结太阳能电池及其制作方法

[发明专利]一种硅异质结电池及其制作方法-CN202010827798.2有效
发明人：徐琛 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2020-08-17 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明公开一种硅异质结电池及其制作方法，涉及太阳能电池技术领域，以降低P型掺杂硅层与透明导电层之间的肖特基势垒，减小P型掺杂硅层耗尽层宽度，从而增加空穴收集能力，提高电池性能。所述该硅异质结电池包括硅基底、界面反型层和第一透明导电层。硅基底包括掺杂硅衬底、P型掺杂硅层以及形成在掺杂硅衬底和P型掺杂硅层之间的第一本征硅层。界面反型层形成在P型掺杂硅层上。极性有机分子与P型掺杂硅层中的硅原子成键。界面反型层具有从透明导电层指向P型掺杂硅层的偶极矩。所述硅异质结电池的制作方法用于制作硅异质结电池。本发明提供的硅异质结电池用于光伏发电。
一种硅异质结电池及其制作方法

[发明专利]中等孔径多孔硅基氧化锌薄膜复合材料气敏传感器及其制备方法和应用-CN201711158223.0在审
发明人：严达利;李申予;王守宇;李德军;刘士余;竺云;曹猛 -专利权人：天津师范大学
申请日： 2017-11-20 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： G01N27/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种中等孔径多孔硅基氧化锌薄膜复合材料气敏传感器及其制备方法和应用，由中等孔径多孔硅基底、Pt膜电极、中等孔径多孔硅基氧化锌敏感层和Pt电极组成，所述的中等孔径多孔硅基氧化锌敏感层由中等孔径多孔硅层和恒电位电化学沉积在其上的氧化锌薄膜组成本发明通过在中等孔径多孔硅基底制备欧姆接触电极，然后利用电化学法在中等孔径多孔硅上原位生长ZnO薄膜的方法较为简单，所需控制的工艺条件较少，成本低廉；构造n‑n型异质结结构，可在室温下探测低浓度二氧化氮气体
多孔硅基氧化锌薄膜制备方法和应用气敏传感器复合材料敏感层氧化锌低浓度二氧化氮欧姆接触电极电化学沉积异质结结构电化学法多孔硅层工艺条件原位生长灵敏度电极多孔硅恒电位制备探测响应恢复

[发明专利]一种锌电解阴极导电头铜和铝异质金属复合方法-CN201510554112.6有效
发明人：宋宝兴;马进;宋衎;蒲敬文 -专利权人：西北矿冶研究院
申请日： 2015-09-02 - 公布日： 2017-12-22 - 主分类号： B23K1/19 文献下载
摘要：本发明提供了一种锌电解阴极导电头铜和铝异质金属复合方法，清理铜块和铝块的焊接面；在铝块焊接面上铺设钎料，将铜块堆叠在铝块的焊接面上，使铜块焊接面与铝块焊接面上的钎料相接触，形成坯料；加热使钎料熔化，停止加热或者对钎焊的焊缝处进行搅拌摩擦焊，处理搅拌摩擦焊的工艺孔，得铜和铝异质金属复合的锌电解阴极导电头。该复合方法使铜/铝异质金属界面间的冶金结合面积可达到95%以上。
一种电解阴极导电铝异质金属复合方法

[发明专利]基于光敏复合材料的三维硅基转接结构加工方法及装置-CN202210249629.4在审
发明人：张子琦;周亮;张成瑞;毛军发 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2022-03-14 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明提供一种基于光敏复合材料的三维硅基转接结构加工方法及装置，涉及晶圆级三维异质集成封装工艺技术领域，包括：步骤S1：在硅基衬底上制作正面保护膜和背面保护膜；步骤S2：在硅基衬底的背面制作波导金属侧壁，形成TSV盲槽；步骤S3：在硅基衬底的正面制作转接结构的背腔结构，并填充光敏复合材料；步骤S4：在背腔结构上方制备介质掩膜层，并在顶层介质层上方制作顶层金属图案；步骤S5：利用光刻掩膜与干法刻蚀进行体硅刻蚀并划片
基于光敏复合材料三维转接结构加工方法装置

[发明专利]基于异质结的浮动结太阳能电池背钝化结构及其制备工艺-CN201110405263.7有效
发明人：王旺平 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2011-12-08 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于异质结的浮动结太阳能电池背钝化结构，包括P型晶体硅，所述的P型晶体硅衬底底部具有由本征异质材料层以及N型异质材料层构成的异质结结构，所述的本征异质材料层插于N型异质材料层与P型晶体硅之间，N型异质材料层外部包裹有绝缘层，所述的绝缘层的底部设置有铝金属层；所述的P型晶体硅衬底底部两端设置有P+定域掺杂区，P+定域掺杂区的下方具有点接触的铝烧结区。本发明在保留异质结的良好钝化效果的同时，可以将光生空穴通过背结构良好导出，还能防止同质浮动结的针孔寄生回路问题。
基于异质结浮动太阳能电池钝化结构及其制备工艺

[发明专利]一种硅异质结太阳能电池-CN202110621578.9在审
发明人：孙宝全;张国华;姜聪慧;宋涛 -专利权人：苏州大学
申请日： 2021-06-03 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L31/055 文献下载
摘要：本发明属于太阳能电池技术领域，公开了一种硅异质结太阳能电池，包括基板和设置在所述基板上的发光量子点薄膜，所述基板包括依次设置的第一银栅层、第一ITO(氧化铟锡)层、P型非晶硅层、第一本征非晶硅层、第一N型单晶硅层、第二本征非晶硅层、第二N型非晶硅层、第二ITO层和第二银栅层，所述发光量子点薄膜覆盖在第一银栅层的外表面上。本发明通过引入发光量子点来修饰异质结硅太阳能电池，颜色单调的异质结硅电池可以呈现各种不同的颜色；并且这种异质结硅电池的短波吸收也大大降低，效率与商业化的异质结硅电池相近。
一种硅异质结太阳能电池