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[发明专利]切片硅异质结电池及制备方法、太阳能电池组件-CN202110417470.8在审
发明人：王文静;徐晓华;龚道仁;姚真真 -专利权人：安徽华晟新能源科技有限公司
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及切片硅异质结电池及制备方法、太阳能电池组件。该制备方法包括对整片异质结太阳能电池进行切割的步骤，还包括：对切割后形成的切片硅异质结电池主体进行如下处理工艺中的至少两种：对所述切片硅异质结电池主体的切割表面进行清洗钝化处理；在所述切片硅异质结电池主体的切割表面形成侧硅薄膜；对所述切片硅异质结电池主体的切割表面进行光注入退火处理。通过对切片硅异质结电池主体的切割表面进行清洗钝化、形成侧硅薄膜、光注入退火处理三种处理方式的至少两种，有效钝化切割表面的缺陷，降低载流子的复合，提高电池的发电效率，修复现有技术中因激光切片技术导致切割表面出现损伤而导致的电池效率降低
切片硅异质结电池制备方法太阳能电池组件

[发明专利]一种背电极异质结太阳能电池及其制备方法-CN201580085420.7在审
发明人：薛黎明;杨武保;陆钧 -专利权人：中海阳能源集团股份有限公司
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本发明公开了一种背电极异质结太阳能电池及其制备方法，其中背电极异质结太阳能电池包括：晶硅基片、异质结部分和背电极部分，晶硅基片的正面形成有陷光层，陷光层上沉积有增透膜，异质结部分位于晶硅基片的背部，包括本征非晶硅膜层、P型非晶硅膜层和N型非晶硅膜层，P型非晶硅膜层和N型非晶硅膜层上沉积有导电膜，背电极部分沉积于所述导电膜上，本发明将背电极异质结一体化，一方面具有异质结电池制造中工艺较为简单的优点，克服了常规异质结电池存在正面栅线的缺点
背电极异质结太阳能电池晶硅基片异质结沉积异质结电池正面栅线导电膜陷光层制备本征非晶硅膜电池制造工艺增透膜电池一体化制造

[发明专利]扇出型异质芯片封装结构-CN202211578865.7在审
发明人：姜艳;陶玉娟;石磊;夏鑫 -专利权人：通富微电子股份有限公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种扇出型异质芯片封装结构，包括多个硅中介板、第一塑封层、多个异质芯片和键合结构，其中，每个硅中介板上设置有导电连接结构，至少一个硅中介板的导电连接结构与其它硅中介板上的导电连接结构不同；第一塑封层包裹多个硅中介板；多个异质芯片通过键合结构与多个硅中介板键合连接。本封装结构可以满足不同异质芯片的封装要求，提高了异质芯片封装的集成度；通过多个不同的硅中介板，将多个异质芯片实现统一封装，增加了芯片封装的集成度，减小了芯片在封装结构中的占用空间，同时统一封装不同芯片有利于节省加工工序
扇出型异质芯片封装结构

[发明专利]硅基半导体PN结结构及其制备方法、光电阴极和应用-CN202010744485.0有效
发明人：巩金龙;李慧敏;王拓;刘珊珊 -专利权人：天津大学
申请日： 2020-07-29 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01G9/20 文献下载
摘要：本发明属于半导体电极技术领域，公开了一种硅基半导体PN结结构及其制备方法、光电阴极和应用，p型硅基底表面沉积有TiO2纳米结晶层，TiO2纳米结晶层通过还原处理后与p型硅基底形成肖特基接触，得到p型硅‑二氧化钛异质结结构；其结晶性TiO2纳米层上负载Pt助剂构成硅基半导体PN结光电阴极本发明的硅基半导体PN结结构能产生较高的光生电压，且具有较高的稳定性，同时制备方法简单易行，可控性强，可实现大规模生产；本发明的硅基半导体PN结光电阴极利用n型TiO2纳米结晶层成功促进了光生载流子的分离，提升了硅基光阴极的起始电位，同时也对p型硅基底起到了保护作用。
半导体 pn 结构及其制备方法光电阴极应用

[发明专利]一种具有纳米层级结构的硅基复合材料及其制备方法和应用-CN201711228390.8在审
发明人：朱冠楠;汤艳萍;冯奇 -专利权人：上海汽车集团股份有限公司
申请日： 2017-11-29 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅基复合材料及其制备方法和应用，该复合材料为纳米层级结构，包括纳米硅基中心、导电金属中间层和碳包覆外层；在碳包覆外层与导电金属中间层两者之间设置有空腔层；所述导电金属中间层与纳米硅基中心的表面相接触；和/或；在导电金属中间层与纳米硅基中心两者之间部分设置有空腔层，所述导电金属中间层与纳米硅基中心的表面剩余部分相接触。本发明的空腔层结构，避免了因硅材料在充放电过程中的体积效应引起的碳包覆外层的坍塌造成的电极的破坏，并维持SEI的结构稳定性，从而使得这种含空腔层的硅基‑金属‑碳多元异质型复合材料具有好的循环电性能，用作锂离子电池负极材料活性组分更好
一种具有纳米层级结构复合材料及其制备方法应用

[发明专利]一种基于BiCMOS工艺的硅锗异质结双极晶体管的制造方法-CN202010884582.X有效
发明人：朱坤峰;张广胜;杨永晖;钟怡;崔伟;谭开洲;黄东;钱呈;杨法明;张培健 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司;中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开一种基于BiCMOS工艺的硅锗异质结双极晶体管的制造方法，步骤为：1)生长LOCOS隔离场氧化层，形成最优硅基衬底；2)形成SiGe HBT晶体管发射极有源区与集电极有源区之间的LOCOS场氧化层、器件间用于隔离的LOCOS氧化层；3)在最优硅基衬底表面形成SiGe HBT晶体管基区窗口；4)在最优硅基衬底的表面形成SiGe HBT晶体管基区外延材料层；5)在最优硅基衬底的表面形成SiGe HBT晶体管发射区窗口；6)在最优硅基衬底表面形成SiGe HBT晶体管多晶发射结精细结构和外基区；7)在最优硅基衬底表面淀积介质层，完成金属互连，形成SiGe HBT晶体管。
一种基于 bicmos 工艺硅锗异质结双极晶体管制造方法

[发明专利]具有不同基极外形的异质接面双极晶体管的整合-CN201611137241.6在审
发明人：夫厚尔·杰恩;刘岂之 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2016-12-12 - 公布日： 2017-08-04 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明涉及具有不同基极外形的异质接面双极晶体管的整合，其包括用于异质接面双极晶体管的装置结构及制造方法。在基底的第一装置区上形成第一基极层。形成与该第一基极层界定第一接面之第一射极。形成与该第二基极层界定第二接面之第二射极。该第一基极层与该第二基极层有不同的厚度、组成、电活性掺质的浓度、或以上的组合。
具有不同基极外形异质接面双极晶体管整合

[发明专利]切片硅异质结电池及制备方法、太阳能电池组件-CN202110417599.9在审
发明人：王文静;徐晓华;龚道仁;姚真真 -专利权人：安徽华晟新能源科技有限公司
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及切片硅异质结电池及其制备方法、太阳能电池组件。该制备方法，包括对整片异质结电池进行切割的步骤，还包括：对切割后形成的切片硅异质结电池主体进行如下处理：将切片硅异质结电池主体置于氛围气体中，采用光注入退火方式在设定温度范围内，利用光源对且仅对切片硅异质结电池主体的切割表面进行处理；其中，切片硅异质结电池主体至少包括晶硅基底、本征非晶硅层、掺杂非晶硅层、透明导电层和栅电极。
切片硅异质结电池制备方法太阳能电池组件

[发明专利]异质芯片封装方法-CN202211555058.3在审
发明人：李骏;戴颖;石磊;夏鑫 -专利权人：通富微电子股份有限公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开的实施例提供一种异质芯片封装方法，包括：提供基板、多个硅片和多个异质芯片；分别在所述多个硅片上形成多组导电连接结构，并得到多个硅中介板；分别将所述多个硅中介板进行切割，得到多个硅中介块；从所述多个硅中介块中选取多个目标硅中介块，并将所述多个目标硅中介块固定在所述基板上；分别将所述多个异质芯片互连设置在对应的所述多个目标硅中介块上。将大的硅中介板切割成小的硅中介块，避免了减薄过程中硅中介板的翘曲、破裂。将不同规格的硅中介块根据异质芯片的安装需求进行组合，与异质芯片之间互相对应安装、且可一次成型，缩小了硅中介层的整体面积以及各个芯片的间距，大大提高了封装整体的集成度。
芯片封装方法

[发明专利]一种埋入TSV转接芯片硅基扇出型三维集成封装方法及结构-CN201910701970.7在审
发明人：王成迁;明雪飞;吉勇 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明公开一种埋入TSV转接芯片硅基扇出型三维集成封装方法及结构，属于集成电路封装技术领域。首先提供硅基，在其正面沉积截止层；在所述截止层上键合玻璃载板；在所述硅基背面刻蚀出凹槽，在凹槽中埋入芯片并用干膜材料填满；接着在芯片的焊盘处开口并完成第一表面重布线，并通过微凸点与异质芯片倒装焊接；塑封所述硅基的背面使芯片的侧面完全被包裹
硅基截止层埋入封装玻璃载板三维集成转接芯片芯片扇出型重布线干膜焊盘开口集成电路封装背面刻蚀材料填满第二表面第一表面封装芯片芯片倒装正面沉积微凸点真空压阻焊层拆解键合塑封凸点异质填充焊接背面并用侧面制作

[发明专利]一种薄膜/异质结叠层太阳电池及其制造方法-CN201310137759.X无效
发明人：张群芳 -专利权人：常州合特光电有限公司
申请日： 2013-04-21 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： H01L31/076 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜\异质结叠层太阳电池及其制造方法，其特征在于：它采用双结叠层电池结构，底电池为硅异质结电池，顶电池为硅薄膜电池；晶硅电池采用n型硅片衬底作为基区，背表面沉积硅薄膜作为钝化层，并在其上沉积导电层作为背电极，正表面沉积p型掺杂硅薄膜作为发射区；硅薄膜电池沉积在硅异质结电池正表面上，沉积顺序为n型层、本征层、p型层，然后在硅薄膜电池p型层上沉积透明导电薄膜，并在其上设置前电极。本发明采用薄膜\异质结的叠层电池结构，由于硅薄膜材料禁带宽度较大，硅薄膜顶电池吸收高能量的短波光，透过顶电池的光被硅异质结底电池吸收，并可调整硅异质结厚度，以获得与顶电池匹配的电流密度。
一种薄膜异质结叠层太阳电池及其制造方法

[发明专利]一种石墨烯硅基太阳能电池及其制造方法-CN201410081157.1有效
发明人：况亚伟;刘玉申;马玉龙;薛春荣;徐竞 -专利权人：常熟理工学院
申请日： 2014-03-06 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯硅基太阳能电池，包括背电极，背电极上设置单晶硅片，单晶硅片上设置二氧化硅层，所述二氧化硅层是具有通孔的环状结构，所述二氧化硅层的表面和由二氧化硅层通孔暴露的单晶硅片表面设置石墨烯薄膜本发明还公开了该石墨烯硅基太阳能电池的制造方法。该石墨烯硅基异质结电池通过栅线电极调节石墨烯硅基肖特基结的势垒大小，降低硅表面的电荷复合效应，提高载流子分离和传输的效率，从而提高电池的光电转换效率，同时解决现有石墨烯硅基太阳能电池光电转换效率随器件尺寸增大而降低的问题
一种石墨烯硅基太阳能电池及其制造方法

[发明专利]一种异质结太阳能电池边缘绝缘方法-CN201710402520.9在审
发明人：杨与胜;张超华;王树林;宋广华 -专利权人：福建金石能源有限公司
申请日： 2017-06-01 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种制作硅基异质结太阳能电池时的边缘绝缘方法，所述包括以下步骤：提供入光面、背光面已沉积导电膜层的硅片；在所述硅片N面导电膜层边缘部分区域和P面导电膜层四周边缘分别印刷蚀刻膏；对印刷蚀刻膏后的硅片进行烘烤处理本发明在于实现制作硅基异质结电池片时边缘绝缘，同时生产成本极低，边缘导电膜层去除宽度可控，设备成熟度高，非常有利于大规模自动化生产。
导电膜层蚀刻膏硅片边缘绝缘硅基异质结烘烤处理去除异质结太阳能电池自动化生产印刷太阳能电池硅片边缘硅片表面四周边缘背光面成熟度入光面沉积可控制作生产成本清洗电池

[实用新型]用于硅基异质结太阳电池透明电极制备的掩膜模具-CN201820055008.1有效
发明人：杜国杰;薛俊明;高建军;王占英;王燕增;李建杰;代杰 -专利权人：河北汉盛光电科技有限公司
申请日： 2018-01-14 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本实用新型属于模具技术领域，公开了一种用于硅基异质结太阳电池透明电极制备的掩膜模具。本实用新型所提供的用于硅基异质结太阳电池透明电极制备的掩膜模具，解决了漏电问题,节省了刻蚀工艺步骤，消除了工艺不稳定因素。
硅基异质结太阳电池透明电极镂空槽底托上盖掩膜制备模具匹配本实用新型刀口底槽刻蚀工艺步骤模具技术领域漏电问题上盖中部稳定因素限位凸环限位槽刀槽凸环

[发明专利]一种多层裸芯片堆叠3D异质异构集成导航微系统-CN202011358657.7有效
发明人：李星海;徐全吉;蒋欣佑;王皓 -专利权人：中电科技集团重庆声光电有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： G01C21/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种多层裸芯片堆叠3D异质异构集成导航微系统，属于导航技术领域。该导航微系统包括：顶层安装的三轴加速度计芯片、Z轴陀螺芯片、三轴磁场计芯片、气压高度计芯片、电源芯片、通信芯片和与北斗导航天线连接的IPX座；侧壁安装的X轴陀螺芯片和Y轴陀螺芯片；底部腔体内部安装的导航计算机硅电路和北斗导航硅电路本发明采用多层裸芯片垂直方向堆叠、高密度布线硅基电路、硅与LTCC电路异质异构高密度集成等先进的微系统技术，大幅度提高了导航系统的集成度，减小了体积、重量、功耗，提高了系统精度和可靠性。
一种多层芯片堆叠异质异构集成导航系统