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[发明专利]少子寿命检测装置及检测方法-CN201810373693.7有效
发明人：顾维杰 -专利权人：云谷（固安）科技有限公司
申请日： 2018-04-24 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： G01R31/265 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开的一种少子寿命检测方法包括：获取体少子寿命数值；获取体分布特征参数；根据所述体少子寿命数值和所述体分布特征参数得到少子寿命密度和有效少子寿命。本申请在获取体少子寿命数值的同时，又获取了半导体层体分布特征参数，将体少子寿命数值和体分布特征参数结合得出少子寿命密度和有效少子寿命，该检测方法准确度高，有利于真实反映少子寿命以及对半导体层材料的性能。
少子寿命检测装置方法

[发明专利]少子寿命确定方法、拉晶方法及用于太阳能电池的硅片-CN202310541810.7在审
发明人：靳乾;孙畅;卢若晨;王一淳 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了少子寿命确定方法、拉晶方法及用于太阳能电池的硅片，涉及晶体生长技术领域，以提供一种通过确定同一炉台预拉制的硅棒的少子数据，来提高同一炉台硅片效率的技术方案。所述少子寿命确定方法包括：获取硅片样品的少子寿命曲线；根据所述硅片样品的少子寿命曲线，以及少子寿命模拟模型，建立少子寿命计算模型；其中，所述硅片样品与所述预拉制的硅棒由同一炉台制备；基于所述少子寿命计算模型，确定所述预拉制的硅棒的不同位置的少子寿命数据。
少子寿命确定方法用于太阳能电池硅片

[发明专利]一种用于光伏硅片生产过程中的硅棒质量分析方法-CN202210886693.3在审
发明人：李易成;周晓康;杜政;李普;陈发勤;陈权威;刘群锋 -专利权人：宜昌南玻硅材料有限公司;中国南玻集团股份有限公司
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： G01N27/04 文献下载
摘要：一种用于光伏硅片生产过程中的硅棒质量分析方法，步骤为：对硅棒进行电阻率测试，得到电阻率值；对硅棒进行少子寿命测试，少子寿命值；计算少子寿命与电阻率两值之比，得到比值称之为相对少子寿命；对一组硅棒样品进行相对少子寿命值的计算，得到相对少子寿命；根据相对少子寿命的数值大小进行分组，对m组样品分别进行切片；计算得到m组样品每组对应的平均相对少子寿命值；对m组硅片样品分别进行电池效率评估，得率m组电池转换效率数据；将m组电池转换效率数据与m组平均相对少子寿命值进行相关性分析，验证两组数据的相关性。本发明提出利用相对少子寿命评估硅棒质量的方法，可以消除掺杂电阻率对少子寿命的影响。
一种用于硅片生产过程中的质量分析方法

[发明专利]一种硅块的少子寿命检测方法-CN201410812419.7在审
发明人：汪万盾 -专利权人：浙江昱辉阳光能源有限公司
申请日： 2014-12-23 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本公开了一种少子寿命检测方法，包括：将待检测硅块在长度方向上分为底部测试区域以及顶部测试区域；对所述底部测试区域内距离底面距离小于第一距离的第一区域进行少子寿命检测；对顶部测试区域内距离顶面距离小于第二距离的第二区域进行少子寿命检测；根据少子寿命检测结果，切除所述待检测硅块底部少子寿命小于标准值的区域以及顶部少子寿命小于标准值的区域。可见，所述少子寿命检测方法在对待检测硅块进行少子寿命检测时，将其分为两个测试区域，仅对测试区域内预设的第一区域以及第二区域进行检测，解决了传统少子检测方法无法对长度超过设定阈值的硅块进行少子检测的问题。
一种少子寿命检测方法

[发明专利]背接触太阳电池及生产方法、背接触电池组件-CN202010774830.5有效
发明人：吴兆;徐琛;李子峰;解俊杰 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2020-08-04 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：背接触太阳电池包括硅基体、少子收集层、多子收集膜、少子端电极以及多子端电极；少子收集层形成于整个硅基体的背光面上；少子收集层的材料选自：硅、硅碳化合物、硅锗化合物中的至少一种；多子收集膜形成于少子收集层的背光面的局部区域上；少子端电极设置在少子收集层的背光面中多子收集膜之外的区域上；多子端电极设置在所述多子收集膜上。多子通过少子收集层的势垒进入多子收集膜，调节少子收集层的厚度和掺杂浓度，以调整多子遂穿的能级范围和遂穿宽度，使得多子利于遂穿，提高了多子遂穿效率，降低了串联电阻，且整个少子收集层和多子收集膜的调节工艺简单
接触太阳电池生产方法电池组件

[发明专利]提高晶体硅块少子寿命测试准确度的方法-CN201810603657.5在审
发明人：陈文杰;许红方;赵洋 -专利权人：山东大海新能源发展有限公司
申请日： 2018-06-12 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本申请公开了一种提出了一种提高晶体硅块少子寿命测试准确度的方法，在对晶体硅块进行少子寿命测试前，将晶体硅块在恒温水浴装置中进行恒温放置，在测试时取出晶体硅块，及时测试晶体硅块的少子寿命，在晶体硅块温度出现变化前，就完成了少子寿命的测试工作，这样就保证了少子寿命测试所需的温度，消除了测试温度对少子寿命测试结果的影响，从而提高了晶体硅块少子寿命的测试准确度。通过少子寿命的测试结果，对晶体硅块的生产工艺和配方进行适当的调整，从而保证了晶体硅块的生产质量。
晶体硅块少子寿命测试测试准确度恒温水浴装置恒温放置生产工艺配方取出保证申请生产

[发明专利]一种多晶硅锭的品质检测系统与其判定方法-CN201811287685.7在审
发明人：赵广飞;刘郭军;郭宽新;方圆;刘瑞柱;张永坦;刘长辉;刘攀;马辉;李富刚 -专利权人：河南盛达光伏科技有限公司
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明创造涉及一种多晶硅锭的品质检测系统与其判定方法，所述以下条件和操作步骤：1)此系统基于Microsoft Excel2007及以上版本中运行；2)用微波光电导衰减少子寿命扫描仪对多晶硅块进行表面扫描检测；3)采集微波光电导衰减少子寿命扫描仪检测生成的数据，生成硅块少子寿命图谱排列；并计算每块少子寿命图谱排列的4个参数，所述4个参数为：1）上部少子寿命低于少子寿命闸值x的连续区域的最大长度t；2）下部少子寿命低于少子寿命闸值
少子寿命品质检测系统多晶硅锭连续区域光电导扫描仪图谱微波判定人力物力财力表面扫描多晶硅块此系统失误率检测硅块减小去除采集采购

[发明专利]一种IGBT的制造方法-CN201810959024.8有效
发明人：廖兵;沈礼福 -专利权人：苏州达晶微电子有限公司
申请日： 2018-08-22 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种IGBT的制造方法，首先在N‑衬底上形成N+少子存储区域，再通过比N+少子存储区域更大的光刻视场形成窗口，以保证P+区域可以在横向上完全覆盖N+少子存储区域，形成被N+少子存储层半包围的P+区域，通过这种方式既引入了CS区域，又最大程度的降低了CS层对器件击穿电压的影响，最终得到了平面局域少子存储IGBT，既有效提升导通压降与关断损耗间的折衷关系又最大程度的减少了少子存储区域对器件的击穿电压的影响
一种 igbt 制造方法

[发明专利]一种判断硅块质量的方法及装置-CN201210237553.X有效
发明人：何亮;张涛;胡动力;刘俊;雷琦;鲁义铭 -专利权人：江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
申请日： 2012-07-10 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种判断硅块质量的方法，包括：扫描硅块得到所述硅块的全少子寿命分布图；分析所述全少子寿命分布图得到所述硅块中低少子寿命所占的比例及从所述硅块头部到尾部的各个区间内低少子寿命的比例；根据所述硅块中低少子寿命所占的比例及从所述硅块头部到尾部的各个区间内低少子寿命的比例判断所述硅块的质量
一种判断质量方法装置

[发明专利]借助少子寿命表征硅片吸除金属杂质效率的装置和方法-CN202111633459.1在审
发明人：金铉洙 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： G01N22/00 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种借助于少子寿命表征硅片吸除金属杂质效率的装置和方法，该装置包括：清洗模块，所述清洗模块经配置为准备待测硅片并清洗所述硅片；少子寿命测量模块，所述少子寿命测量模块经配置为测量所述硅片的少子寿命；热处理模块，所述热处理模块经配置为针对所述硅片进行热处理；计算器模块，所述计算器模块经配置为记录并计算所述少子寿命测量模块的测量值，并根据所述测量值间接计算所述硅片的捕获金属杂质效率。
借助少子寿命表征硅片金属杂质效率装置方法

[发明专利]晶体硅体少子寿命的测试方法-CN201410673901.7有效
发明人：叶继春;潘淼;高平奇;韩灿 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2014-11-21 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶体硅体少子寿命的测试方法，包括以下步骤S100去除待测晶体硅表面的污垢和氧化层；将去除表面污垢和氧化层的待测晶体硅置于化学腐蚀液中浸泡30s～10min；将所述经化学腐蚀液浸泡后的待测晶体硅进行光照处理和/或热处理；S200对所述经过步骤S100处理的待测晶体硅进行厚度测量和表观少子寿命测试；S300将步骤S200得到的厚度和表观少子寿命代入公式中，得到晶体硅的体少子寿命其中，τeff代表表观少子寿命；τbulk代表体少子寿命；Dn代表少子扩散系数；W代表待测晶体硅的厚度。
晶体少子寿命测试方法

[发明专利]一种单晶圆棒少子寿命测试方法-CN201910204020.3有效
发明人：张红霞;李建弘;梁宇飞;高建芳;李耀龙;栗钢;李延彬;白建军;王林;王建平 -专利权人：内蒙古中环光伏材料有限公司
申请日： 2019-03-18 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶圆棒少子寿命测试方法，所述测试方法步骤为：S1、在所述圆棒体柱面上选出被测位置；S2、在所述被测位置上进行加工平面；S3、在所述平面上进行机械打磨；S4、清洗所述平面；S5、采用少子寿命测试仪器对所述平面进行测试本发明提出一种快速检测单晶圆棒少子寿命方法，采用本发明的测试方法所测试的结果接近于现有技术测试方法所测的少子寿命，所有测试数据稳定且再现性较好，数据差值波动很小，可准确反应单晶圆棒的少子寿命的结果，提高了少子寿命的测试时间
一种单晶圆棒少子寿命测试方法

[发明专利]太阳能电池硅片损伤层厚度和少子寿命测量方法及装置-CN200910032460.1无效
发明人：宫昌萌;倪志春;赵建华;王艾华 -专利权人：中电电气（南京）光伏有限公司
申请日： 2009-07-08 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： G01B7/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池硅片损伤层厚度和少子寿命测量方法，其测量步骤是：测量待测太阳能电池硅片的原始厚度；将太阳能电池硅片正反面腐蚀减薄；测量腐蚀减薄后的太阳能电池硅片厚度；将太阳能电池硅片表面钝化、有效少子寿命测量；重复步骤2～4直到测量的有效少子寿命不再提高为止；用太阳能电池硅片原始厚度减去最后一次测得的厚度得出太阳能电池硅片损伤层厚度，最后一次测得的有效少子寿命就是反映硅片材料质量的太阳能电池硅片少子寿命本发明方法简单实用，可以同时测量太阳能硅片损伤层厚度和少子寿命。
太阳能电池硅片损伤厚度少子寿命测量方法装置

[发明专利]一种晶态硅片金属杂质含量检测方法-CN201710592349.2在审
发明人：王海涛;廖晖;李林东;肖贵云;陈伟;金浩 -专利权人：晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2017-07-19 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： G01N21/63 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶态硅片金属杂质含量检测方法，该方法包括去除原生硅片的表面损伤层，并对原生硅片进行钝化处理；将原生硅片经避光保存第一预设时间后，进行光致发光测试，以得到第一少子寿命值；将原生硅片经强光照射第二预设时间后，再次进行光致发光测试，以得到第二少子寿命值；根据第一少子寿命值和第二少子寿命值确定原生硅片的金属杂质含量。本发明通过将原生硅片避光保存后进行强光照射后用以分别确定出其Fe‑B对趋于稳定时的第一少子寿命和其Fe‑B对全部分解为间隙态的Fe时的第二少子寿命，从而确定Fe的含量，使得原生硅片的金属杂质铁的含量测试更加准确
一种晶态硅片金属杂质含量检测方法

[发明专利]一种硅块头尾部去除方法及去除装置-CN201910183780.0在审
发明人：雷琦;徐云飞;何亮;李建敏 -专利权人：赛维LDK太阳能高科技（新余）有限公司
申请日： 2019-03-12 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅块头尾部去除方法，包括：扫描硅块，得到所述硅块四个侧面的少子寿命分布图；设定少子寿命阈值，根据所述少子寿命阈值判断每个所述少子寿命分布图中，对应于所述硅块头部的第一预设切割位置和对应于所述硅块尾部的第二预设切割位置；根据每个所述少子寿命分布图中的所述第一预设切割位置确定所述硅块头部的切割位置，根据每个所述少子寿命分布图中的所述第二预设切割位置确定所述硅块尾部的切割位置；根据所述硅块头部的切割位置和所述硅块尾部的切割位置对所述硅块头尾部进行切除
切割位置硅块少子寿命分布图块头预设硅块尾部尾部去除去除去除装置缺陷区域阈值判断切除扫描侧面

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