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[发明专利]具有带宽可重构技术的超宽带低噪声放大器-CN202310877262.5在审
发明人：雷倩倩;刘启航;曾泽楠;赵二虎;李连碧;冯松;李泽斌 -专利权人：西安工程大学
申请日： 2023-07-17 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H03F1/48 文献下载
摘要：本发明公开了具有带宽可重构技术的超宽带低噪声放大器，包括输入匹配级电路、增益放大级电路、第一级可调负载网络、第二级可调并联峰化负载网络以及输出缓冲级电路；信号从输入匹配级电路流入、经并联反馈网络拓展带宽、经第一级可调负载网络流入增益放大级、经增益放大级电路的进一步放大、经第二级可调并联峰化负载后到达输出缓冲级输出。本发明超宽带低噪声放大器采用的带宽可重构技术通过在负载端引入开关控制低频阻抗谐振点与增益极点实现频带切换，减小了芯片面积，控制了成本，实现了宽带与宽带之间的频率切换，保证了不同频带内的增益平坦度性能，减少了开关的插损对电路整体的噪声贡献。
具有带宽可重构技术宽带低噪声放大器

[发明专利]快速检出硅光电倍增管芯片次品的检测方法-CN202310630327.6在审
发明人：张国青;张武;王磊;刘丽娜;李连碧 -专利权人：西安工程大学
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开的快速检出硅光电倍增管芯片次品的检测方法，利用半导体精密参数分析仪与探针台测量SiPM芯片的伏安特性曲线，芯片无需切片封装，可以直接通过肉眼观察SiPM芯片的反向伏安特性曲线是否有两个凹拐点判断SiPM芯片是否能够正常工作，如果反向伏安特性曲线没有两个凹拐点，则可以判定为次品。本发明提出的检测方法也可以通过人工智能图像识别判断SiPM芯片的反向伏安(I‑V)特性曲线是否有两个凹拐点，进而判定待测SiPM芯片是否为次品，还可以通过本发明提出的算法利用计算机自动检出SiPM芯片中的次品。
快速检出光电倍增管芯片次品检测方法

[发明专利]柔性石墨烯/锗异质结的制备方法与转移方法-CN202211473690.3在审
发明人： 李连碧;丁斌斌;李蕾;贡楷文;王蓉;李泽斌;张国青;夏蔡娟;宋立勋;曹得重;臧源;胡继超;林生晃 -专利权人：西安工程大学
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L31/028 文献下载
摘要：本发明公开了柔性石墨烯/锗异质结的制备方法，以高纯Ge作为靶材，铜箔石墨烯作为衬底，激光作为粒子激发源，采用PLD法在铜箔石墨烯上沉积锗薄膜。本发明还公开了柔性石墨烯/锗异质结的转移方法，给制备好的柔性石墨烯/锗异质结旋涂PMMA支撑膜，然后用CuSO4溶液刻蚀掉铜箔，实现柔性石墨烯/锗异质结的整体转移。本发明提供的柔性石墨烯/锗异质结的制备方法及转移方法解决了石墨烯由于光吸收率低，导致石墨烯探测器的光响应度较低，石墨烯自身的光生载流子寿命短的问题，可以制备出近红外高响应、高速度的石墨烯基异质结。
柔性石墨锗异质结制备方法转移

[发明专利]三维石墨烯柔性应变传感器的制备方法-CN202211463364.4在审
发明人： 李连碧;李蕾;曾天;李浩冉;李泽斌;王天明;李泽隆;夏蔡娟;张国青;臧源;胡继超;林生晃 -专利权人：西安工程大学
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G01B7/16 文献下载
摘要：本发明公开了三维石墨烯柔性应变传感器的制备方法，通过填充法制备多孔结构的柔性材料聚二甲基硅氧烷，然后将氧化石墨烯溶液装载到多孔聚二甲基硅氧烷上，干燥后将氧化石墨烯还原，最后使用导电银浆在三维石墨烯上印刷图形化电极，即得三维石墨烯柔性应变传感器。本发明提供的三维石墨烯柔性应变传感器的制备方法能制备出制备成本低廉、高灵敏度的可穿戴柔性石墨烯应变传感器，结合石墨烯的高柔韧性、载流子迁移率高、超宽的光谱响应以及其对微小应变的高敏感性实现对人体的生命特征的实时监测例如心跳、脉搏、呼吸等，本发明制备方法简便，成本低廉，可以大面积制备，更加适合工业化生产。
三维石墨柔性应变传感器制备方法

[发明专利]一种实现时序快速收敛的时钟树综合方法-CN202211200737.9在审
发明人：雷倩倩;王虎虎;赵二虎;郭蒙;刘宁宁;李连碧;冯松;杨延飞;刘露 -专利权人：西安工程大学
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： G06F30/396 文献下载
摘要：本发明公开了一种实现时序快速收敛的时钟树综合方法，该方法对寄存器传输级代码采用DCG模式进行逻辑综合，采用门控时钟插入技术来降低功耗；布局前，根据芯片布图的位置，选择合适的位置人工插入FCHT时钟结构的主干和分支，在时钟树综合阶段基于FCHT时钟结构，采用CCOPT技术进行时钟树综合，同时应用有效偏差更加准确的评估时钟偏差的影响，最终通过静态时序分析检查时序，确保达到签核的标准；本发明方法解决了传统时钟树综合方案时序收敛困难，设计时间长的问题，有利于得到一种高质量、时钟偏差小、时序符合要求的时钟树设计。
一种实现时序快速收敛时钟综合方法

[发明专利]一种具有优化相位噪声的锁相环系统-CN202210758516.7在审
发明人：雷倩倩;潘诚;赵二虎;于鹏;陈振骐;李连碧;冯松;杨延飞 -专利权人：西安工程大学
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H03L7/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有优化相位噪声的锁相环系统，包括构成一个闭环系统的时间数字转换器、数字环路滤波器、数模转换器、压控振荡器以及分频器；时间数字转换器的一个输入基准信号是R、另一个输入信号是D，时间数字转换器的输出信号DI为数字环路滤波器的输入信号，数字环路滤波器的输出信号FDI为数模转换器的输入信号，数模转换器的输出信号VI为压控振荡器的输入信号，压控振荡器的输出信号P为分频器的输入信号，分频器的输出信号为时间数字转换器的另一个输入信号D。本发明利用数模转换器级联压控振荡器代替数控振荡器降低相位噪声，利用高精度的时间数字转换器和精度较高的数模转换器改善相位噪声。
一种具有优化相位噪声锁相环系统

[发明专利]一种具有抗干扰功能的超宽带协议低噪声放大器-CN202210456811.7在审
发明人：雷倩倩;高宇飞;赵二虎;徐化;陈振骐;刘启航;杨延飞;李连碧;冯松 -专利权人：西安工程大学
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有抗干扰功能的超宽带协议低噪声放大器，包括匹配电路、LNA主电路、第一级陷波滤波器以及第二陷滤波电路，其中：匹配电路包括电容Cpad1和Cs以及电感Lp和Ls；LNA主电路包括N型MOS管M1、M2和M3，可变并联反馈电阻R1和隔直电容C2、C3，负载电感L2、L3以及负载电阻R2；第一级陷波滤波器包括电感L1、电容C1和可调电容Cp1；第二级陷波滤波器包括电感L4和可调电容C4以及电容Cpad2和其对应的补偿电感Lout。本发明实现了低噪声并且强化了滤波性能；有效减少了LC并联谐振电路的噪声贡献；在保证滤波深度的同时补偿了滤波器对低噪声放大器通带的增益抑制。
一种具有抗干扰功能宽带协议低噪声放大器

[发明专利]基于NiFe2O4/Ga2O3的紫外光电二极管及其制备方法-CN202010867804.7有效
发明人：胡继超;许蓓;贺小敏;臧源;李连碧 -专利权人：西安千月电子科技有限公司
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于NiFe2O4/Ga2O3的紫外光电二极管，本发明还公开了一种基于NiFe2O4/Ga2O3的紫外光电二极管的制备方法，首先对衬底进行清洗，清洗后用氮气吹干待用；在清洗后的衬底上进行P型NiFe2O4层生长；在得到的P型NiFe2O4层上的部分区域进行N型β‑Ga2O3层生长；在得到的P型NiFe2O4层上制作P型NiFe2O4层上的电极；在得到的N型β‑Ga2O3层上制作N型β‑Ga2O3层上的电极，最终形成所述基于NiFe2O4/Ga2O3的紫外光电二极管。本发明解决了现有技术中由于p型Ga2O3材料的缺乏而无法制备Ga2O3基pn结紫外光电二极管的问题。
基于 nife2o4 ga2o3 紫外光电二极管及其制备方法

[发明专利]基于NiFe2-CN202010867660.5有效
发明人：胡继超;许蓓;贺小敏;王曦;李连碧 -专利权人：西安千月电子科技有限公司
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于NiFe2O4/SiC紫外光电二极管，本发明还公开了一种基于NiFe2O4/SiC紫外光电二极管的制备方法，首先对N型SiC衬底进行清洗，清洗后吹干待用；然后在清洗后的N型SiC衬底上进行本征4H‑SiC同质外延层生长；在得到的本征4H‑SiC同质外延层上进行P型NiFe2O4异质外延层生长；在得到的P型NiFe2O4异质外延层上制作顶电极；在N型SiC衬底下表面制作底电极，最终形成NiFe2O4/SiC紫外光电二极管。本发明的二极管具有良好的光电响应，稳定性好，反应灵敏，加工工艺重复性好。
基于 nife base sub

[发明专利]柔性石墨烯基硅纳米线异质结的制备与转移方法-CN202010071226.6有效
发明人： 李连碧;臧源;陈鸿;胡继超;林生晃;张国青;蒲红斌;封先锋;宋立勋;涂喆研;李泽斌;徐永康;王蓉 -专利权人：西安工程大学
申请日： 2020-01-21 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性石墨烯基硅纳米线异质结的制备与转移方法，将石墨烯湿法转移至SiO2/Si上，采用金属催化VLS机制的CVD法(化学气相沉积法)，利用2nm厚Au作为催化剂，在石墨烯上直接生长Si纳米线。生长温度为500℃，源气体SiH4流量为10sccm，生长压力1.33×104Pa，生长时间10分钟。生长结束后，关闭SiH4气体阀门，在氩气保护下，CVD炉自然冷却后得到石墨烯基硅纳米线异质结。然后，将制备好的石墨烯基硅纳米线异质结，旋涂PMMA/PDMS双支撑膜，利用NaOH溶液刻蚀掉SiO2，实现石墨烯基硅纳米线异质结的整体转移，得到柔性、可移植的石墨烯基硅纳米线异质结。
柔性石墨烯基硅纳米线异质结制备转移方法

[发明专利]一种具有低密度氧空位缺陷的氧化镓外延材料的制备方法-CN202010295110.0有效
发明人：胡继超;李丹;李连碧;臧源;王曦;蒲红斌 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2020-04-15 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有低密度氧空位缺陷的氧化镓外延材料的制备方法，首先将金属镓源放入石英舟内，石英舟放入双温区石英管式炉内温区1中；然后将清洗、吹干后的衬底放在衬底托上，将载有衬底片的衬底托放入石英管式炉内温区2中；将反应腔抽真空，抽真空后腔体压强为1pa；向石英反应腔内通入作为载气的惰性气体；同时加热管式炉内温区1中载有金属镓源的石英舟和温区2中的衬底；通过设置升温时间使温区1的工作温度和温区2中的工作温度同时达到相应设置的温度，打开氧气气路，让惰性气体携带氧气进入石英反应管，在衬底上沉积氧化镓薄膜，完成氧化镓薄膜制备，本发明解决了现有技术中存在的氧化镓材料中极易出现氧空位缺陷的问题。
一种具有密度空位缺陷氧化外延材料制备方法

[发明专利]一种CVD石墨烯干法转移方法-CN201810320411.7有效
发明人： 李连碧;臧源;胡继超;林生晃;贺小敏;褚庆;冯松;蒲红斌;封先锋;宋立勋;雷倩倩;涂喆研 -专利权人：西安工程大学;西安理工大学
申请日： 2018-04-02 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： C01B32/194 文献下载
摘要：本发明公开了一种CVD石墨烯干法转移方法，在石墨烯/铜箔上依次旋涂配置的PVP胶和PVA胶，烘箱烘干；将所得的PVA/PVP/石墨烯/铜箔取出，剥离PVA/PVP/石墨烯薄膜，然后将剥离的薄膜转移至两片透明载玻片中间，预热，使薄膜自然舒展后，浸入温热的无水乙醇中5s后取出，粘附在清洗过后的衬底上，待自然晾干后，置于75℃的水蒸气中10min，置于烘箱烘干；将PVA/PVP/石墨烯/衬底取出，置于75℃的去离子水中，清除PVA/PVP胶体后，去离子水清洗5次，烘箱烘干。本发明具有保护胶残留较少，无重金属残留，有机溶剂残留少、转移石墨烯用时少、成本低，转移墨烯质量较高等优点。
一种 cvd 石墨烯干法转移方法

[发明专利]一种条形中红外波导结构-CN202011059619.1在审
发明人：冯松;冯露露;胡祥建;薛斌;李连碧 -专利权人：西安工程大学
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种条形中红外波导结构，包括Si衬底层，Si衬底层的顶部设置有相互间隔的条形SiO2埋氧层，条形SiO2埋氧层顶部中间位置处设置有条形Si波导层，条形Si波导层与条形SiO2埋氧层均垂直设置。本发明结构通过刻蚀部分埋氧层，从而形成以空气为部分下包层的中红外低损耗悬浮条形波导结构，有效减小了其SiO2埋氧层与条形Si波导层的接触面积，可以有效减小SiO2埋氧层的吸收损耗，从而降低波导的整体传输损耗，而且通过调节Si波导下方的条形SiO2埋氧层间距，可以对条形Si波导进行良好的支撑，防止波导塌陷。
一种条形红外波导结构

[发明专利]一种脊型中红外波导结构-CN202011059671.7在审
发明人：冯松;胡祥建;冯露露;薛斌;李连碧 -专利权人：西安工程大学
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明的公开了一种脊型中红外波导结构，包括Si衬底层，Si衬底层顶部间隔设置有条形SiO2埋氧层，条形SiO2埋氧层中间位置的顶部设置有条形Si波导层，条形Si波导层与间隔设置的条形SiO2埋氧层均垂直，条形SiO2埋氧层剩余顶部位置上还设置有平板Si波导层，位于整块条形SiO2埋氧层的两端的两块平板Si波导层与条形Si波导层形成夹持关系，条形Si波导层与平板Si波导层共同构成脊型Si波导结构。该结构通过刻蚀部分埋氧层，从而形成以空气为部分下包层的中红外低损耗悬浮脊型波导结构。
一种脊型中红外波导结构

[发明专利]CuAlO2-CN201811011864.8有效
发明人：胡继超;臧源;李连碧;蒲红斌 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明公开了一种CuAlO2/Ga2O3紫外光电二极管，包括顶电极和底电极，两电极之间由顶电极向底电极方向依次设置有P型晶体CuAlO2薄膜、I型晶体β‑Ga2O3薄膜和N型单晶β‑Ga2O3衬底，本发明还公开了一种CuAlO2/Ga2O3紫外光电二极管的制备方法，本发明解决了现有技术中由于p型Ga2O3材料的缺乏而无法制备Ga2O3基PIN紫外光电二极管的问题。
cualo base sub

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