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[发明专利]一种超宽带分合束器-CN202011248785.6有效
发明人：张宇光;肖希;王磊;陈代高;李淼峰;胡晓;冯朋 -专利权人：武汉光谷信息光电子创新中心有限公司;武汉邮电科学研究院有限公司
申请日： 2020-11-10 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种超宽带分合束器，包括：衬底以及依次叠置在所述衬底上的第一波导层和第二波导层；其中，所述第一波导层的上表面与所述第二波导层的下表面直接接触；所述第二波导层包括进行光信号耦合的输入渐变波导区和输出渐变波导区；所述输入渐变波导区在垂直于所述衬底的方向上的第一投影、所述输出渐变波导区在垂直于所述衬底的方向上的第二投影以及所述第一波导层在垂直于所述衬底的方向上的第三投影满足以下关系：所述第一投影和所述第二投影完全落入所述第三投影的范围内。
一种宽带分合

[发明专利]测试结构、晶圆以及晶圆的制造工艺控制监控方法-CN202011144855.3有效
发明人：冯朋;肖希;刘敏;吴定益 -专利权人：武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
申请日： 2020-10-23 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种测试结构、晶圆以及晶圆的制造工艺控制监控方法，用于晶圆的制造工艺控制监控，测试结构包括至少一个测试单元，测试单元包括输入耦合器、波导以及输出耦合器，波导、输入耦合器以及输出耦合器均通过制造工艺形成；不同波长的偏振光射入输入耦合器，经过波导传输，再从输出耦合器射出；通过获取不同波长的偏振光的光谱特性曲线来确定曝光工艺中掩膜板是否对准，刻蚀工艺中刻蚀深度是否达到需求，从而保证制造工艺的一致性、稳定性，实现晶圆的制造工艺控制监控，从而提高光子集成芯片或光电子集成芯片良率。
测试结构以及制造工艺控制监控方法

[发明专利]一种电光调制器自动化测试系统-CN202211584235.0在审
发明人：吴定益;胡晓;肖希;张红广;冯朋 -专利权人：武汉光谷信息光电子创新中心有限公司;武汉邮电科学研究院有限公司
申请日： 2022-12-10 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H04B10/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种电光调制器自动化测试系统，涉及通信用电光调制器测试领域，包括第一层级测试组件、第二层级测试组件和第三层级测试组件，所述第一层级测试组件包括依次连接的可调谐激光器和偏振控制器，所述偏振控制器的后端用于连接第一光功率计和待测电光调制器，且待测电光调制器的后端连接有1×2光开关和第二光功率计，所述第一层级测试组件还包括用于与待测电光调制器相连的电流源表；第二层级测试组件包括依次连接的光电探测器和第二高频切换开关，以及依次连接的波形发生器、射频放大器和第一高频切换开关。本发明能够极大提升测试效率及良率，有助于降低电光调制器量产筛选成本，增加成品良率。
一种电光调制器自动化测试系统

[发明专利]一种光电探测器自动化测试系统-CN202211586349.9在审
发明人：吴定益;胡晓;肖希;张红广;冯朋 -专利权人：武汉光谷信息光电子创新中心有限公司;武汉邮电科学研究院有限公司
申请日： 2022-12-10 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种光电探测器自动化测试系统，涉及通信用光电探测器测试领域，包括第一层级测试组件、第二层级测试组件和第三层级测试组件，所述第一层级测试组件包括用于与待测光电探测器连接的偏置器，以及与偏置器相连的电流源表；所述第二层级测试组件包括依次连接的可调谐光源、1×2光开关、光放大器、光衰减器、偏振控制器和光功率计，且所述偏振控制器还用于与待测光电探测器连接；所述第三层级测试组件包括与所述可调谐光源、1×2光开关和偏置器均相连的光波元件分析仪。本发明可在只搭建一套测试系统的情况下，一步完成部分或所有光电探测器在不同测试条件下关键性能的测试。
一种光电探测器自动化测试系统

[发明专利]一种光开关-CN201911329778.6有效
发明人：张宇光;肖希;胡晓;陈代高;李淼峰;冯朋;王磊;余少华 -专利权人：武汉邮电科学研究院有限公司;武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：一种光开关，涉及光通信器件领域，包括：一侧设有光输入端口，另一侧设有第一分光输出端口和第二分光输出端口的光分束器；一侧设有第一分光输入端口和第二分光输入端口，另一侧设有光输出端口的光合束器；第一分光输出端口和第一分光输入端口之间连接有负热光系数材料光波导，第二分光输出端口和第二分光输入端口之间连接有硅光波导，负热光系数材料光波导和硅光波导之间设有热电极。本发明的有益效果：光开关两条臂上的硅光波导和负热光系数材料光波导的热光系数一正一负，因此在通过同一热电极同时改变硅光波导和负热光系数材料光波导的温度时，两条臂上波导的折射率变化也是一正一负，因此可以大大提高光开关的调节效率。
一种开关

[发明专利]一种基坑上层滞水降水坡面支护装置及施工方法-CN202210440020.5有效
发明人：王旭影;赵建业;邢运涛;杨文;冯朋;李志勇;李岩松;李跃;康惠珍;杨万顺 -专利权人：唐山学院;河北省地质矿产勘查开发局第五地质大队（河北省海洋地质环境调查中心）
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： E02D17/04 文献下载
摘要：本发明涉及岩土基坑工程技术领域，尤其涉及一种基坑上层滞水降水坡面支护装置及施工方法。包括：预制模块，所述预制模块呈矩形并在后面设有连接筋；所述连接筋包括多根等距横向布置的横杆，以及沿横杆等距垂直布置的多根竖杆，所述横杆和竖杆的两端均弯曲为弧形状，所述预制模块上设有多个排水孔，且两侧设有多个通孔；排水部件，所述排水部件包括动力部分、连接管和集水管；提供了一种基坑上层滞水降水坡面支护装置及施工方法，通过预制模块配合连接筋固定在滞水层处，有效避免了支护结构坍塌的情况，并且集水管沿支护倾斜布置，并采用不同长度分别布置，减少降水成本。
一种基坑上层降水支护装置施工方法

[发明专利]光纤探针阵列的校准结构及其校准方法-CN202011463882.7有效
发明人：冯朋;刘敏;肖希;王磊;吴定益 -专利权人：武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： G01M11/00 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种光纤探针阵列的校准结构及其校准方法，校准结构包括多个光电探测器以及多个光栅耦合器，光电探测器能够与光纤探针阵列排列方向上的至少两个探针一一对应，光电探测器用于将来自对应的探针的测试光束转换为电信号；光栅耦合器能够与光纤探针阵列对应的排列方向上的至少两个探针一一对应，光栅耦合器用于将测试光束传输至对应的探针、或接收来自对应的探针的测试光束，本申请实施例提供的校准结构以及校准方法成本较低，校准效率高。
光纤探针阵列校准结构及其方法

[发明专利]一种电光调制器-CN201911338345.7有效
发明人：张宇光;肖希;胡晓;李淼峰;陈代高;王磊;冯朋;余少华 -专利权人：武汉邮电科学研究院有限公司;武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种电光调制器，涉及光通信器件技术领域，从下往上依次包括基底层、衬底层、集成波导和覆盖层，且所述覆盖层两侧均设有一金属电极；同时，所述集成波导包括铌酸锂波导和导电层，所述铌酸锂波导位于所述衬底层上，所述导电层位于所述覆盖层和铌酸锂波导之间，且所述导电层位于两个所述金属电极之间，并与两个所述金属电极保持一定间距。本发明提供的电光调制器，具有结构尺寸小、调制带宽高、调节效率高、且工作状态和调节效率不受热释电效果影响的优点。
一种电光调制器

[发明专利]光学探针及其制作方法、芯片测试方法-CN202211013558.4在审
发明人：高嘉卿;冯朋;胡晓;王磊;肖希;熊雨洁;范雨龙;周旭 -专利权人：武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： G01R1/07 文献下载
摘要：本公开实施例公开了一种光学探针及其制作方法、芯片测试方法，其中，所述光学探针包括：光纤阵列，包括至少一个光纤，所述光纤的第一端具有斜面；所述斜面用于将从所述光纤的第二端射入的光信号进行反射，反射的光信号从所述光纤的侧面射出；或者，用于将从所述光纤的所述侧面射入的光信号进行反射，经由所述光纤的第二端射出；所述第一端和所述第二端为沿所述光纤延伸方向相对设置的两端；以及至少一个透镜，每一透镜对应一个光纤，所述透镜位于相应所述光纤的所述侧面，用于对待射入所述侧面的光信号进行会聚。
光学探针及其制作方法芯片测试方法

[发明专利]一种生态砌块及挡土墙和挡土墙的施工方法-CN202211001473.4在审
发明人：王旭影;马卫华;温欣;赵建业;李跃;于龙;李木楠;冯朋;康惠珍;侯星河 -专利权人：唐山学院;唐山工业职业技术学院;河北省地质矿产勘查开发局第五地质大队（河北省海洋地质环境调查中心）
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： E02D29/02 文献下载
摘要：本申请涉及一种生态砌块及挡土墙和挡土墙的施工方法，涉及挡土墙的领域，包括砌块本体，砌块本体的一表面开设有凹槽，所述砌块本体背离凹槽的一表面固定连接有用于与相邻砌块本体上的凹槽插接的多对插接板，一对插接板之间均设有支撑组件，支撑组件包括两个支撑板，每个支撑板均紧抵插接板的一侧壁，两个支撑板之间固定连接有呈拉伸状态的弹簧，两个支撑板相互靠近的一侧壁均铰接有一连接板，两个连接板朝相互靠近的方向延伸并相互铰接，两个连接板相互靠近的一端均设有一限制凸起，两个限制凸起相互抵接且位于两个连接板铰接处的一侧，凹槽内卡紧有承接板。本申请具有减少运输过程中预制砌块的凹槽和凸块处发生断裂情况的效果。
一种生态砌块挡土墙施工方法

[发明专利]光电集成芯片-CN202011136257.1有效
发明人：冯朋;王磊;肖希;刘敏;吴定益 -专利权人：武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种光电集成芯片，包括测试结构以及集成器件，测试结构包括输入耦合器，输入耦合器用于接收测试光信号，输入耦合器为光栅耦合器，集成器件包括光电探测器和光接收组件，光接收组件能够接收应用光信号，光电探测器具有第一输入端和第二输入端，第一输入端能够接收至少部分测试光信号，并将接收到的至少部分测试光信号转换为电信号，第二输入端和光接收组件连接。本申请实施例提供的光电集成芯片能够实现在片测试。
光电集成芯片

[发明专利]一种超宽带分合束器-CN202011248773.3有效
发明人：张宇光;肖希;王磊;陈代高;李淼峰;胡晓;冯朋 -专利权人：武汉光谷信息光电子创新中心有限公司;武汉邮电科学研究院有限公司
申请日： 2020-11-10 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种超宽带分合束器，包括：衬底以及依次叠置在衬底上的第一波导层和第二波导层；第一波导层的上表面与第二波导层的下表面直接接触；第二波导层包括进行光信号耦合的输入耦合渐变波导区和输出耦合渐变波导区；输入耦合渐变波导区包括若干第一矩形单元，其沿着光传输的方向分立排列以构成第一光栅结构；输出耦合渐变波导区包括若干第二矩形单元，其沿着光传输的方向分立排列以构成第二光栅结构；输入耦合渐变波导区在垂直于衬底的方向上的第一投影、输出耦合渐变波导区在垂直于衬底的方向上的第二投影以及第一波导层在垂直于衬底的方向上的第三投影满足以下关系：第一投影和第二投影完全落入第三投影的范围内。
一种宽带分合

[发明专利]一种差分铌酸锂调制器-CN201911344423.4有效
发明人：张宇光;肖希;李淼峰;胡晓;陈代高;王磊;冯朋;余少华 -专利权人：武汉邮电科学研究院有限公司;武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种差分铌酸锂调制器，涉及光通信器件技术领域，从下往上依次包括基底层、衬底层、集成波导层和覆盖层，集成波导层包括铌酸锂波导层和两个间隔分布的高折射率层，高折射率层位于铌酸锂波导层和覆盖层之间；同时，调制器还包括第一电极组、两个相对设置的第二电极组，第一电极组位于衬底层内，两个第二电极组位于集成波导层上方；第一电极组从下往上依次包括直接接触的第一金属电极和第一导电层；第二电极组从下往上依次包括直接接触的第二导电层和第二金属电极。本发明提供的差分铌酸锂调制器，具有抗干扰能力强、结构尺寸小、调节效率高等优点。
种差分铌酸锂调制器

[发明专利]一种石墨烯电光调制器及其制备方法-CN201811417278.3有效
发明人：胡晓;肖希;张宇光;陈代高;李淼峰;王磊;冯朋;余少华 -专利权人：武汉邮电科学研究院有限公司;武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
申请日： 2018-11-26 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯电光调制器及制备方法，包括：衬底，其长宽高分别定义为X、Y、Z方向；设于衬底上的绝缘材料层；沿X方向间隔地设于绝缘材料层内的光输入端和光输出端；位于光输入端和光输出端之间的亚波长光栅波导结构，包括设于绝缘材料层内且上下布置的第一石墨烯层和折射率层及设于绝缘材料层上表面上的第二石墨烯层，折射率层两端分别与光输入端和光输出端相连，第一石墨烯层自折射率层一侧向外延伸并连接有第一金属电极，第二石墨烯层自折射率层另一侧向外延伸并连接有第二金属电极，折射率层包括沿X方向周期性布置的高折射率单元，相邻两个高折射率单元之间填充低折射率单元。本发明具有高调制效率、高3dB电光调制带宽的特点。
一种石墨电光调制器及其制备方法

[发明专利]一种超小型光子晶体调制器及其制作方法-CN201911393589.5有效
发明人：张宇光;肖希;王磊;李淼峰;胡晓;陈代高;冯朋;余少华 -专利权人：武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： G02F1/025 文献下载
摘要：本发明涉及调制器技术领域，提供了一种超小型光子晶体调制器及其制作方法。方法包括N型中间掺杂区502置于N型重掺区501和N型轻掺杂区503之间；P型中间掺杂区602置于P型重掺区603和P型轻掺杂区601之间；N型轻掺杂区503和P型轻掺杂区601相接触，形成PN结；所述光子晶体波导4由宽度渐变的高折射率材料块排列在所述N型轻掺杂区503和P型轻掺杂区601的交接线上。本发明提供的超小型光子晶体调制器能够将入射光波限制在很小的范围内，从而提高光波与载流子的相互作用，提高调制器的调制效率；而且，该光子晶体调制器的结构尺寸很小，可以提高器件的集成度，降低制备成本。
一种超小型光子晶体调制器及其制作方法

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