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[发明专利]一种改进的经时击穿测试方法-CN202210109343.6在审
发明人：刘红侠;杨建业 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：：按照预设参数和预设测试规则，对待测器件进行经时击穿测试，以获取测试过程中的输出特性变化曲线和转移特性变化曲线；步骤2：基于转移特性曲线，得到阈值电压和跨导曲线；步骤3：通过中带电压法，提取得到氧化层电荷变化量和界面态电荷变化量；步骤4：根据所述氧化层电荷变化量和界面态电荷变化量，确定氧化层电荷密度值和界面态电荷密度值。本发明能够提取待测器件内部的氧化层电荷和界面态电荷的变化情况，以对待测器件进行后续精准的质量评估。
一种改进击穿测试方法

[发明专利]一种量子点及其制作方法、QLED和显示面板-CN201910396664.7有效
发明人：禹钢;张爱迪 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司
申请日： 2019-05-14 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本申请公开了一种量子点及其制作方法、QLED和显示面板，用于减少量子点核的界面和量子点壳的界面之间的无辐射跃迁，加强量子点的发光能力。其中的量子点包括量子点核、包覆在所述量子点核外部的电荷过渡层，以及包覆在所述电荷过渡层外部的量子点壳，其中，所述电荷过渡层的主体材料内掺杂有金属离子，所述金属离子为电荷价态可变金属离子，金属离子的电荷价态包括量子点核中阳离子的电荷价态和量子点壳中阳离子的电荷价态
一种量子及其制作方法 qled 显示面板

[发明专利]一种实时监控NBTI效应界面态产生的测试方法-CN201210109526.4有效
发明人：安霞;杨东;黄良喜;黄如 -专利权人：北京大学
申请日： 2012-04-13 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种实时监控NBTI效应界面态产生的测试方法，属于半导体器件可靠性测试领域。该方法将NBT应力偏置中栅端的直流电压信号源变为脉冲信号源，在不同时间NBT应力后，采用电荷泵法测得衬底电流，即时监控因NBTI效应所导致界面态电荷的增加。本发明测试方法相对于常用的监控界面态电荷变化的测试方法更具有实时性，减少NBTI退化的恢复量，从而更能有效地评估NBTI效应对器件特性的影响。
一种实时监控 nbti 效应界面产生测试方法

[发明专利]分析器件电离辐射损伤过程中加速界面态缺陷形成的方法-CN201810134762.9有效
发明人：李兴冀;陈伟;杨剑群;郭晓强;王晨辉;刘超铭 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：一种分析电子元器件电离辐射损伤机制过程中加速界面态缺陷形成的方法，涉及一种加速界面态缺陷形成的方法。目的是解决SiO2作为绝缘材料和钝化层的电子元器件的电离辐射损伤机制分析过程中，辐射诱导的氧化物俘获正电荷和界面态缺陷同时产生影响损伤机制分析的问题。该方法达到了加速界面态缺陷形成，将氧化物俘获正电荷和界面态缺陷的形成的过程分开，实现对氧化物俘获正电荷或界面态缺陷对电子器件辐射损伤性能的影响实现分开研究。
分析器件电离辐射损伤过程加速界面缺陷形成方法

[发明专利]一种用于提取氧化物电荷和界面态的栅控纵向双极器件结构单元及其制备方法-CN201810136618.9在审
发明人：李兴冀;唐昭焕;王敬贤;杨剑群;刘文宝;吴雪;刘超铭;芮二明;易晓东 -专利权人：哈尔滨工业大学;中国电子科技集团公司第二十四研究所;中国航天标准化研究所
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：一种用于提取氧化物电荷和界面态的栅控纵向双极器件结构单元及其制备方法，属于核科学与技术领域，为了解决纵向双极晶体管无法定量分离氧化物俘获正电荷和界面态。本发明通过增加栅极单元，以便定量表征以及分离氧化物电荷和界面态；栅极单元设置在发射区接触孔和基区接触孔之间的氧化物上方；栅极单元的外边缘距发射区接触孔的距离大于或等于0.2μm；栅极单元距基区发射孔的距离大于或等于有益效果为准确定量表征辐射诱导氧化物和界面态缺陷的状态。
栅极单元界面态氧化物基区发射区接触孔氧化物电荷双极器件制备纵向双极晶体管分离氧化物界面态缺陷定量表征定量分离辐射诱导准确定量电荷发射孔接触孔外边缘正电荷俘获

[发明专利]一种MOS管界面态的测试方法-CN200710046681.5无效
发明人：唐逸 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2007-09-29 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种MOS管界面态的测试方法，所述测试方法包括如下步骤：步骤1.采用电荷泵测试法测得一条电荷泵电流曲线，通过漏端开路和源端开路分别获得另外两条电荷泵电流曲线；步骤2.将这三条曲线相同部分和不同部分进行分离可分别得到源、漏和沟道处电荷泵电流；步骤3.通过源、漏和沟道处电荷泵电流可获得这三处界面态密度。采用此发明方法可以简单快速的分离MOS管的源、漏及沟道界面态，无需繁琐复杂的计算过程就可为器件制造工艺评价以及器件失效分析提供良好的判定依据和分析途径。
一种 mos 界面测试方法

[发明专利]基于器件真实工艺状态的剂量率辐射损伤仿真方法及系统-CN202211415053.0在审
发明人：李兴冀;杨剑群;刘锋凯;吕钢 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G06F30/27 文献下载
摘要：本申请涉及基于器件真实工艺状态的剂量率辐射损伤仿真方法及系统，所述基于器件真实工艺状态的剂量率辐射损伤仿真方法包括：获取基于器件真实工艺状态的辐射损伤实际参数，根据所述辐射损伤实际参数，得到界面态和氧化物电荷，根据所述界面态、所述氧化物电荷和所述辐射损伤实际参数构建辐射损伤仿真模型；通过微观反应方程和反应势垒，获取界面态和氧化物电荷，对其进行仿真训练，得到辐射损伤仿真模型。
基于器件真实工艺状态剂量率辐射损伤仿真方法系统

[发明专利]横向绝缘栅双极型晶体管界面态的测试方法及5端口器件-CN201610972493.4有效
发明人：孙伟锋;杨翰琪;薛颖;叶然;魏家行;刘斯扬;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2016-11-04 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种横向绝缘栅双极型晶体管界面态的测试方法及5端口器件，横向绝缘栅双极型晶体管界面态的测试方法特征为，包括沟道区、鸟嘴区、多晶硅栅场板区及场板末端区电荷泵电流的测试，进行测试时，先在同一晶圆上目标器件旁边制造5端口器件，对辅助5端口器件进行系统搭建并设置测试条件，最后进行电荷泵电流测试操作；一种用于横向绝缘栅双极型晶体管界面态的测试方法的5端口器件，其特征为，包括一个电荷泵电子提供区和一个电荷泵专用测试电极，所述电荷泵电子提供区和阳极P⁺区并排处于N型缓冲区的上部，且单独与电荷泵专用测试电极相连；本发明可以解决传统方法不能测试横向绝缘栅双极型晶体管多晶硅栅场板区及场板末端区的界面损伤的问题
横向绝缘栅双极型晶体管界面测试方法端口器件

[发明专利]界面态测试方法及装置-CN202310620891.X在审
发明人：杨杰;汪恒;胡昌龙 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种平界面态测试方法及装置，针对晶体管界面态测量的应用场景，该界面态测试方法包括：在按照电容电压测试的方式对待测试晶体管进行测试后，获取所述待测试晶体管衬底输出的直流电流；计算在积累区的所述直流电流与时间的积分，得到注入电荷量；提取在所述积累区的所述直流电流中与测试电压呈线性关系的氧化层漏电流，并计算所述氧化层漏电流与时间的积分，得到氧化层漏电量；基于所述注入电荷量和所述氧化层漏电量，确定所述待测试晶体管的界面态电量实现了将界面态测试耦合至电容电压测试，测试方式简单、易于实施，且节省了测试资源，降低了测试成本。
界面测试方法装置

[发明专利]一种半导体间界面态密度和俘获截面的测试方法-CN201810857911.4在审
发明人：余学功;胡泽晨;董鹏;杨德仁 -专利权人：浙江大学
申请日： 2018-07-31 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体间界面态密度和俘获截面的测试方法，包括以下步骤：(1)在半导体薄片表面生长同质或异质的半导体薄膜，进而形成同质结或异质结；(2)对上述同质结或异质结上生长金属薄膜后，在不同测试温度T下进行电容瞬态测试，获得电容在载流子发射过程中的变化，经过转化变为电荷N_it的瞬态电容；(3)对上述电荷N_it关于时间t求导，求得在不同测试温度下电荷的发射速率e_p；(4)在不同的电荷密度下，作ln(e_p/T²)关于1/T的函数，由斜率和截距分别求得界面态密度和俘获截面随能级的分布。利用本发明，可以获取俘获截面与界面态密度随能级位置的分布，应用广泛。
界面态密度电荷俘获测试同质结异质结半导体载流子能级生长金属薄膜半导体薄膜半导体薄片表面生长电容瞬态能级位置瞬态电容发射电容截距求导同质异质转化应用

[发明专利]陷阱电荷与噪声幅值相关性解析模型的构建方法-CN202110542541.7在审
发明人：郝敏如;张艳;邵敏 -专利权人：西安石油大学
申请日： 2021-05-18 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种陷阱电荷与噪声幅值相关性解析模型的构建方法，包括：获取单轴应变硅纳米N型金属氧化物半导体场效应晶体管NMOSFET，确定NMOSFET的陷阱电荷浓度，陷阱电荷包括氧化层陷阱电荷浓度及界面态陷阱电荷浓度，根据氧化层陷阱电荷浓度，确定第一阈值电压漂移量，并根据界面态陷阱电荷浓度，确定第二阈值电压漂移量，确定NMOSFET的阈值电压，根据第一阈值电压漂移量、第二阈值电压漂移量、NMOSFET的陷阱电荷浓度和阈值电压，构建陷阱电荷与噪声幅值相关性解析模型，有利于根据噪声定量评估总剂量辐照效应下MOS器件内部潜在缺陷的情况，从而保证MOS器件在辐射环境下的可靠性。
陷阱电荷噪声相关性解析模型构建方法

[发明专利]一种半导体-绝缘体界面态密度和俘获截面的测试方法-CN201810857477.X有效
发明人：余学功;胡泽晨;董鹏;杨德仁 -专利权人：浙江大学
申请日： 2018-07-31 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体‑绝缘体界面态密度和俘获截面的测试方法，包括以下步骤：(1)在半导体薄片表面生长绝缘体薄膜，接着在绝缘体薄膜表面生长金属薄膜，进而制得金属‑绝缘体‑半导体结构的MIS器件；(2)对上述MIS器件在不同测试温度T下进行电容瞬态测试，获得电容在载流子发射过程中的变化，经过转化变为电荷Nit的瞬态电容；(3)对上述电荷Nit关于时间t求导，求得在不同测试温度下电荷的发射速率ep；(4)在不同的电荷密度下，作ln(ep/T2)关于1/T的函数，由斜率和截距分别求得界面态密度和俘获截面随能级的分布。利用本发明，可以获取俘获截面与界面态密度随能级位置的分布，应用广泛。
一种半导体绝缘体界面密度俘获截面测试方法

[发明专利]一种氧化硅-硅界面态密度和俘获界面的测试方法-CN201810857480.1在审
发明人：余学功;秦亚洲;胡泽晨;董鹏;崔灿;杨德仁 -专利权人：浙江大学
申请日： 2018-07-31 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化硅‑硅界面态密度和俘获界面的测试方法，包括以下步骤：(1)在硅片表面单面生长氧化硅薄膜，然后在氧化硅薄膜表面生长金属薄膜，最后在硅片另一表面刮擦InGa溶液，进而制得适用于电学测试的MIS结构器件；(2)在不同测试温度T下进行电容瞬态测试，获得电容在载流子发射过程中的变化，经过转化变为电荷密度为N_it的瞬态电容。对N_it关于时间t进行求导，求得在不同测试温度下电荷的发射速率e_p；(3)在不同测试温度T获得的电荷密度下，作ln(e_p/T²)关于1/T的函数，由斜率和截距分别求得界面态密度和俘获截面随能级的分布。利用本发明，可以获取俘获截面与界面态密度随能级位置的分布，应用广泛。
测试俘获电荷界面态密度氧化硅薄膜硅界面氧化硅载流子能级表面生长单面生长电容瞬态电学测试硅片表面金属薄膜能级位置瞬态电容发射电容硅片刮擦截距求导转化应用

[发明专利]一种提高FinFET器件抗总剂量辐照性能的方法-CN201910187276.8在审
发明人：安霞;任哲玄;李艮松;陈珙;黎明;黄如;张兴 -专利权人：北京大学
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：该方法利用氧化层陷阱电荷密度和界面态的晶向依赖性，在版图设计时通过适当调整器件摆放方向，确保FinFET器件沟道晶向为100，使得总剂量辐照在制备得到的FinFET器件中产生的氧化层陷阱电荷密度和界面态密度更低
一种提高 finfet 器件剂量辐照性能方法

[发明专利]一种碱金属氢氧化物界面修饰层及其在钙钛矿太阳能电池中的应用-CN201910707600.4在审
发明人：王欢 -专利权人：深圳先进技术研究院
申请日： 2019-08-01 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种碱金属氢氧化物界面修饰层及其在钙钛矿太阳能电池中的应用，公开了一种太阳能电池，所述太阳能电池的结构由下至上包括：导电基底、电荷阻挡层、碱金属氢氧化物界面修饰层、钙钛矿层、电荷传输层和电极层，其中，所述碱金属氢氧化物界面修饰层包含LiOH、NaOH、KOH、RbOH、CsOH中的一种或几种的混合物。碱金属氢氧化物能够有效地钝化电荷阻挡层材料的缺陷态，通过碱金属氢氧化物修饰，电荷阻挡层的缺陷态密度减少，从而导电率提高。将其应用在钙钛矿太阳能电池中，能够得到高效稳定的钙钛矿太阳能电池。
碱金属氢氧化物太阳能电池界面修饰钙钛矿电荷阻挡层电荷阻挡层材料应用电荷传输层缺陷态密度钙钛矿层混合物导电基导电率电极层缺陷态有效地钝化修饰

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