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[发明专利]半导体结构、存储单元结构及半导体结构的制造方法-CN202310871392.8在审
发明人：谈亚丽 -专利权人：长鑫科技集团股份有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种半导体结构、存储单元结构及半导体结构的制造方法，半导体结构包括：基底，具有相对的第一面和第二面，且基底内具有相连通的沟槽和通孔，沟槽自第一面向第二面方向延伸，通孔位于沟槽与第二面之间；位于沟槽内且相互分立的第一栅极和第二栅极，第一栅极和第二栅极分别位于通孔相对两侧；第一栅介质层，至少位于第一栅极朝向沟槽的表面，且还位于第二栅极朝向沟槽的表面；第一半导体层，自第一面延伸至沟槽内壁，且还填充满通孔，其中，位于沟槽内的第一半导体层位于第一栅介质层远离第一栅极的表面、以及第一栅介质层远离第二栅极的表面。
半导体结构存储单元制造方法

[实用新型]一种新型钉-CN95231876.8无效
发明人：宋旭光 -专利权人：宋旭光
申请日： 1995-08-03 - 公布日： 1996-06-05 - 主分类号： F16B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种新型钉，该钉由钉头、钉杆、钉帽组成，其特点是所说钉杆表面加工有若干个相互独立的环状沟槽，该沟槽通过滚轧制作工艺呈锯齿状均匀分布在钉杆表面。上述沟槽深度按不同钉长系列为0.1～0.3mm。本钉采用轧滚冷轧工艺制作钉体表面沟槽，不仅可提高钉体及其表面强度，而且可使被钉入材料受撞压后，其弹性变形恢复部分直接嵌入环状沟槽内，增强钉体紧固力和抗拔能力。本钉可在上述沟槽内涂有粘接胶以增加其抗拔力。
一种新型

[实用新型]半导体器件-CN202121045231.6有效
发明人：姜春亮;赵浩宇;李伟聪;林泳浩 -专利权人：深圳市威兆半导体有限公司
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本申请公开一种半导体器件，在半导体器件的截面上，其包括：第一导电类型的半导体衬底，半导体衬底具有相对设置的第一主表面和第二主表面；底电极，设于第一主表面上；第一导电类型漂移区，设于第二主表面上，包括多个沟槽，多个沟槽间隔设置并呈阵列分布，沟槽内设有栅极，栅极与沟槽的槽壁之间填充有栅极氧化层，栅极的顶部低于沟槽的开口，栅极上覆盖有栅极氧化层；部分沟槽自开口端向下设有连接孔，连接孔与沟槽内的栅极接触，连接孔呈阵列分布；顶电极，设于第一导电类型漂移区和沟槽上，且填充连接孔，通过连接孔与栅极连接。通过在连接孔的下方设置顶电极沟槽，相对于现有半导体器件，可减少沟槽间距，增加元胞的设置密度。
半导体器件

[发明专利]一种在沟槽内填充金属的方法和一种沟槽结构-CN202010080267.1有效
发明人：吴友明 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-02-05 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种在沟槽内填充金属的方法和一种沟槽结构，所述方法包括以下过程：在待填充沟槽内表面淀积籽晶层，形成一籽晶层沟槽；去除所述籽晶层沟槽豁口处的籽晶层悬垂凸起结构；在所述籽晶层表面淀积金属，以填充所述籽晶层沟槽本发明方法和结构通过对籽晶层沟槽的豁口处进行刻蚀，去掉了所述籽晶层沟槽豁口处的籽晶层悬垂凸起结构，能够使后续淀积金属填充物的过程能够顺利进行，能够有效降低了连线内空心缺陷的发生。
一种沟槽填充金属方法结构

[发明专利]一种沟槽肖特基二极管及制作方法-CN201410516174.3在审
发明人：周宏伟;阮孟波;孙晓儒 -专利权人：无锡华润华晶微电子有限公司
申请日： 2014-09-29 - 公布日： 2016-04-27 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽肖特基二极管及制作方法，所述沟槽肖特基二极管包括：衬底；外延层，生长于所述衬底之上，所述外延层的上部形成有多个沟槽，所述多个沟槽包括位于有源区的有源区沟槽和至少一个位于终端区的终端区沟槽；栅极氧化层，形成于所述多个沟槽的侧壁和底部，以及终端区外延层的表面；多晶硅结构，形成于所述多个沟槽内；场氧层，形成于所述终端区沟槽内的多晶硅结构，以及所述终端区的栅极氧化层上；金属溅镀层，形成于所述有源区的外延层、有源区沟槽内多晶硅结构、以及所述场氧层的表面上。本发明在器件的有源区和划片道之间引入终端区沟槽，所述终端区沟槽与有源区的沟槽同步形成，不需要额外的光刻板，降低了成本。
一种沟槽肖特基二极管制作方法

[发明专利]沟槽功率器件结构及其制造方法-CN201410657724.3在审
发明人：孙效中 -专利权人：常州旺童半导体科技有限公司
申请日： 2014-11-19 - 公布日： 2016-05-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽功率器件结构及其制造方法，该方法的步骤如下：提供一半导体衬底；在半导体衬底上形成终端沟槽；在其表面生长氧化层，位于终端沟槽内的氧化层为终端氧化层，再在终端沟槽上的终端氧化层内沉积多晶硅；去除终端沟槽内侧以里的氧化层，使半导体衬底上终端沟槽的内侧以里形成有源区，终端沟槽的内侧以外形成终端保护区；在有源区内形成栅沟槽，并使该栅沟槽比终端沟槽浅，再在栅沟槽内生长栅极氧化层，并在栅沟槽中的栅极氧化层内沉积多晶硅；在有源区内形成体区，再在体区上形成源区；再在整个表面形成隔离层；再形成源极接触金属层和栅极接触金属层。本发明工艺简单，实施成本小，并且通过该方法制备的沟槽功率器件结构的终端尺寸小，漏电小，耐压能力更强。
沟槽功率器件结构及其制造方法

[发明专利]沟槽型VDMOS器件及其制作方法-CN201410264582.4有效
发明人：马万里 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2014-06-13 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了沟槽型VDMOS器件及其制作方法，具体包括：在外延层制作体区和沟槽；在所述沟槽及体区表面生成栅氧化层；在沟槽侧壁处的栅氧化层表面生成掺杂多晶硅层；在沟槽内生成不掺杂多晶硅，填充沟槽内的剩余空间；在所述体区制作源区；在形成源区后的器件表面制作介质层，并在所述介质层刻蚀出接触孔；在介质层上表面制作源极金属层，并在衬底层下表面制作漏极金属层。
介质层体区制作沟槽型制作源掺杂多晶硅层栅氧化层表面掺杂多晶硅多晶硅结构漏极金属层沟槽侧壁器件表面剩余空间栅漏电容栅氧化层衬底层接触孔金属层上表面外延层下表面刻蚀源区填充

[发明专利]一种功率半导体沟槽尺寸控制方法和功率半导体结构-CN202210377567.5有效
发明人：赵志 -专利权人：上海晶岳电子有限公司
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及功率半导体领域，具体涉及一种功率半导体沟槽尺寸控制方法和功率半导体结构，所述方法包括如下步骤：提供基底，从所述基底上表面向下注入磷/砷；在所述基底上表面淀积硬掩膜，通过光刻在硬掩膜形成沟槽图形，然后对基底进行刻蚀，形成沟槽；湿法腐蚀去掉牺牲层和所述硬掩膜，在沟槽内壁中热生长一层氧化层；再在所述沟槽内回填氧化物，通过光刻和刻蚀形成矩形槽；通过化学机械抛光在所述矩形槽内抛磨出内壁为曲面的弧形沟槽；在所述弧形沟槽内淀积掺杂的导电多晶硅，向导电多晶硅中注入磷和硼并退火。本发明能够节省成本，极大的缩短流片周期；还能以更少的工程批调节沟槽尺寸及注入规格调整耐压。
一种功率半导体沟槽尺寸控制方法结构

[发明专利]浅沟槽隔离的制造方法-CN202110226518.7在审
发明人：许进;陈敏杰;唐在峰;任昱 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-03-01 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种浅沟槽隔离的制造方法，包括：步骤一、采用干法刻蚀工艺对浅沟槽形成区域中的半导体衬底进行第一次刻蚀形成浅沟槽；第一次刻蚀中干法刻蚀工艺腔会析出金属离子并沉积浅沟槽的内侧表面上以及金属离子会扩散并形成污染层；步骤二、采用湿法刻蚀工艺对浅沟槽内侧表面暴露的半导体衬底进行第二次刻蚀以去除浅沟槽的内侧表面处污染层。本发明能去除浅沟槽的干刻刻蚀中干法刻蚀工艺腔析出并沉积在浅沟槽内侧表面上的金属离子，从而能避免金属离子对产品特别是CMOS图像传感器的良率的影响。
沟槽隔离制造方法

[发明专利]一种锁定机构-CN201310025365.5有效
发明人：李沈平;汪浩 -专利权人：泰科电子（上海）有限公司
申请日： 2013-01-23 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： H01R13/639 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于将上连接器和下连接器锁合的锁定机构，上连接器的外表面具有第一杆状对接部，下连接器的外表面具有第二杆状对接部，锁定机构包括：环形的锁定件容纳壳体，其具有套设上连接器和下连接器的侧壁，侧壁上侧具有敞开的上沟槽并且在下侧具有敞开的下沟槽；上锁定件，其设置在上沟槽内，上锁定件用于将第一杆状对接部可移除地锁定在上沟槽内；以及下锁定件，其设置在下沟槽内，下锁定件用于将第二杆状对接部可移除地锁定在下沟槽内。
一种锁定机构

[发明专利]生产半导体器件的方法-CN03121623.4无效
发明人：戴维·罗素·埃文斯;许胜籘;布鲁斯·戴尔·乌尔里克;道格拉斯·詹姆斯·特威;莉萨·H·什特克尔 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2003-03-18 - 公布日： 2003-11-19 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：本发明提供了一种利用自对齐浅沟槽隔离工艺生产半导体器件的方法，所述自对齐浅沟槽隔离工艺分离形成的与栅极结构自对齐的元件，所述方法包括下列步骤：提供覆盖衬底上的栅极绝缘层的第一多晶硅层；形成穿过第一多晶硅层并深入衬底的沟槽；提供覆盖衬底的氧化物层，所述衬底包括沟槽，以便在沟槽内氧化物层的上表面高于第一多晶硅层的下表面；提供第二多晶硅层，其覆盖氧化物层，以便沟槽内第二多晶硅层的上表面低于第一多晶硅层的上表面；平面化第二多晶硅层、氧化物层及第一多晶硅层，同时在沟槽内的第二多晶硅层的上表面处停止平面化步骤。
生产半导体器件方法

[发明专利]处理半导体器件的方法及半导体器件-CN201110285746.8有效
发明人：马万里;赵文魁 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2011-09-23 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件领域技术，尤其涉及处理半导体器件的方法及半导体器件，该方法包括：在衬底的外延层上表面形成初始氧化层后，对外延层进行刻蚀形成沟槽；沟槽内表面形成栅极氧化层后，对外延层进行多晶硅生长；回刻多晶硅后，沟槽内的多晶硅顶端平面低于沟槽的顶端平面；进行介质层淀积，初始氧化层表面覆盖的介质层与沟槽内的多晶硅表面覆盖的介质层在垂直方向具有高度差；去除外延层表面的介质层和初始氧化层后，进行金属层生长。使用本发明实施例提供的处理半导体器件的方法及半导体器件，由于省略了源区光刻和接触孔光刻过程，从而节约了成本，而且缩小了相邻沟槽之间的距离，缩小了元胞的尺寸，进而提高芯片导通电流的能力。
处理半导体器件方法

[发明专利]一种具有电荷平衡结构的沟槽MOSFET及其制作方法-CN202110115394.5在审
发明人：李加洋;胡兴正;薛璐;刘海波 -专利权人：滁州华瑞微电子科技有限公司
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有电荷平衡结构的沟槽MOSFET及其制作方法。它包括第一导电类型的衬底，衬底上侧生长外延，外延中部刻蚀形成第一沟槽，第一沟槽的表面生长有第一导电类型的连接层，连接层内侧的第一沟槽内经外延生长形成第二导电类型的柱区，第一沟槽两侧的外延内刻蚀形成第二沟槽，第二沟槽的表面长有氧化层，氧化层的上表面长有高K介质层。在第一沟槽内形成电荷平衡结构，引入平行电场，改变漂移区的电场分布，提高器件耐压，降低Rsp(单位面积电阻率)，从而降低导通损耗，第二沟槽内采用高K介质材料，可优化第二深槽对BVDSS的制约作用，进一步优化器件性能
一种具有电荷平衡结构沟槽 mosfet 及其制作方法

[发明专利]一种散热型芯片扇出结构及冷却方案-CN201910471245.5有效
发明人：王晗;陈剑;陈新;王瑞洲;崔成强;刘强;陈新度;徐滢 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明涉及芯片封装领域，具体涉及一种散热型芯片扇出结构及冷却方案，所述散热型芯片扇出结构包括芯片下基板、芯片本体、芯片上基板，所述芯片下基板的表面开设有芯片槽和沟槽，所述芯片槽内部固定所述芯片本体，所述沟槽包括完全填充沟槽和/或部分填充沟槽，至少一个所述沟槽为所述部分填充沟槽，所述完全填充沟槽内全部空间填充导电物质，所述部分填充沟槽内部分空间填充所述导电物质。本发明的散热型芯片扇出结构的沟槽中部分填充导电物质，在沟槽内导电物质上方留出冷却介质流动的空间，利用电路沟槽自身结构将芯片内部元器件的热量传递出来，从而增加散热效率，解决芯片发热问题。
一种散热芯片结构冷却方案

[实用新型]一种散热型芯片扇出结构-CN201920812582.1有效
发明人：王晗;陈剑;陈新;王瑞洲;崔成强;刘强;陈新度;徐滢 -专利权人：王晗
申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型涉及芯片封装领域，具体涉及一种散热型芯片扇出结构，所述散热型芯片扇出结构包括芯片下基板、芯片本体、芯片上基板，所述芯片下基板的表面开设有芯片槽和沟槽，所述芯片槽内部固定所述芯片本体，所述沟槽包括完全填充沟槽和/或部分填充沟槽，至少一个所述沟槽为所述部分填充沟槽，所述完全填充沟槽内全部空间填充导电物质，所述部分填充沟槽内部分空间填充所述导电物质。本实用新型的散热型芯片扇出结构的沟槽中部分填充导电物质，在沟槽内导电物质上方留出冷却介质流动的空间，利用电路沟槽自身结构将芯片内部元器件的热量传递出来，从而增加散热效率，解决芯片发热问题。
填充导电物质芯片芯片扇出结构散热型本实用新型空间填充芯片本体下基板芯片槽冷却介质流动芯片封装领域内部元器件表面开设发热问题内部固定热量传递散热效率上基板电路