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[发明专利]集成启动管和采样管的低压超结DMOS结构及制备方法-CN202010235416.7有效
发明人： 李加洋;胡兴正;薛璐;刘海波 -专利权人：南京华瑞微集成电路有限公司
申请日： 2020-03-30 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了集成启动管和采样管的低压超结DMOS结构及制备方法。所述低压超结DMOS结构包括主MOS管、启动MOS管、采样MOS管和多晶电阻；主MOS管的漏极、采样MOS管的漏极与启动MOS管的漏极连接在一起，主MOS管的栅极与采样MOS管的栅极连接，启动MOS管的栅极经所述多晶电阻与启动MOS管的漏极连接，各MOS管的源极经接触孔与有源区金属相连并接零电位，各MOS管之间设置隔离结构，隔离结构通过深槽形成。本发明将采样、启动功能和功率DMOS集成，提高电路的集成度，降低电路中启动损耗和电流采样损耗，从而降低待机功耗，提高能源转换效率。
集成启动采样低压 dmos 结构制备方法

[发明专利]集成启动管、采样管和二极管的DMOS结构及其制备方法-CN202010235837.X有效
发明人： 李加洋;胡兴正;薛璐;刘海波 -专利权人：南京华瑞微集成电路有限公司
申请日： 2020-03-30 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了集成启动管、采样管和二极管的DMOS结构及其制备方法。所述DMOS结构包括主MOS管、启动MOS管、采样MOS管、多晶电阻和二极管，主MOS管、启动MOS管和采样MOS管的漏极连接在一起，采样MOS管的栅极连接主MOS管的栅极，启动MOS管的栅极经所述多晶电阻与所述二极管的阴极连接，二极管的阳极连接启动MOS管的漏极；各功能区之间设置隔离结构，所述隔离结构通过场氧化层和Ring注入方式实现。本发明将采样、启动、二极管功能与功率DMOS集成，提高电路的集成度，同时可以降低电路中启动损耗和电流采样损耗，从而降低待机功耗，提高能源转换效率。
集成启动采样二极管 dmos 结构及其制备方法

[发明专利]集成电压采样功能的沟槽型MOSFET及其制造方法-CN202310836234.9有效
发明人： 李加洋;陶瑞龙;胡兴正;薛璐;刘海波 -专利权人：南京华瑞微集成电路有限公司
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成电压采样功能的沟槽型MOSFET及其制造方法。该方法包括在外延层上制作形成设置采样沟槽，在采样沟槽内制作第一导电类型的多晶硅，对采样沟槽内的部分多晶硅的上端注入第二导电类型的元素，在有源区的外延层上制作形成第二导电类型的体区，并在终端区的外延层上制作形成第二导电类型的阱区，同时使部分多晶硅的上端变为第二导电类型的多晶硅，将金属层刻蚀形成源极金属、栅极金属、栅极总线金属、连接金属、采样金属和截止环金属。本发明在常规的沟槽MOSFET上集成电压采样功能，将采样功能区放在终端区域，不影响芯片面积，成本更低；可采样器件的浪涌电压，以避免损坏器件，提高电路系统的可靠性和稳定性。
集成电压采样功能沟槽 mosfet 及其制造方法

[发明专利]一种集成SBD的沟槽终端结构及其制备方法-CN202110707129.6有效
发明人： 李加洋;陶瑞龙;吴磊;胡兴正;薛璐;刘海波 -专利权人：滁州华瑞微电子科技有限公司
申请日： 2021-06-24 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成SBD的沟槽终端结构及其制备方法，涉及半导体的技术领域，旨在解决现有技术中SBD结构占用大量硅表面面积，导致芯片面积大、成本高且工艺控制难度较大的问题。其技术方案要点是在元胞区设置第一类沟槽，在终端区环绕元胞区设置有截止环结构，在终端区设置有位于第一类沟槽和截止环结构之间的若干个第二类沟槽，位于N型外延层顶部设置有位于相邻的至少两个第二类沟槽之间的肖特基结构，肖特基结构包括有同时跨越至少两个第二类沟槽的金属条，金属条底壁向下延伸出嵌入对应第二类沟槽的突出部，金属条与N型外延层形成肖特基接触，金属条与源极金属电气连接。本发明达到了节约芯片面积、工艺简单、降低成本的效果。
一种集成 sbd 沟槽终端结构及其制备方法

[实用新型]一种便拆式城市道路与交通用隔离护栏-CN202222429487.8有效
发明人： 李加洋 -专利权人： 李加洋
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： E01F15/02 文献下载
摘要：本实用新型属于隔离护栏技术领域，尤其为一种便拆式城市道路与交通用隔离护栏，包括护栏主体，所述护栏主体包括第一基座和第二基座，两个所述安装槽的内部分别设置有第一立杆和第二立杆，所述第一立杆与第一基座以及所述第二立杆与第二基座均通过第一紧固螺栓连接，两个所述立杆与第一基座和第二基座均通过紧固组件连接，两个所述立杆之间设置有第一连杆和第二连杆，所述第一连杆的顶部贯穿开设有若干个插孔，所述插孔的内部均设有栏杆，所述栏杆的底端延伸至第二连杆的内部，所述第一栏杆的顶部铰接有限位板，所述限位板的底部均匀开设有限位槽。本实用新型的有益效果为：便于对隔离护栏组装和拆卸，同时还能够对隔离护栏中的栏杆进行更换。
一种便拆式城市道路通用隔离护栏

[发明专利]一种集成SBD结构的SGT MOSFET及其制作方法-CN202310145778.0有效
发明人：陶瑞龙;李加洋;胡兴正;薛璐;刘海波 -专利权人：南京华瑞微集成电路有限公司
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成SBD结构的SGT MOSFET及其制作方法。该方法包括在外延层上刻蚀形成多个沟槽，所述沟槽包括多个呈间隔设置的第一沟槽，两个相邻的第一沟槽设为一对，每对的两个第一沟槽一侧之间设有第二沟槽；在第一沟槽内制作控制栅多晶硅时，并在第二沟槽内同步制作形成源极多晶硅，在刻蚀形成连接孔时，同时将同属一对的两个第一沟槽上侧之间的介质层和屏蔽氧化层刻蚀掉，使得源极金属与同属一对的两个第一沟槽上侧之间外延层形成SBD结构。本发明可以大大节省芯片面积，大幅度降低寄生二极管的反向恢复时间，提高开关频率，降低开关损耗，改善栅极位置的电场峰值，避免栅氧提前击穿，提升外延纵向电场分布的均匀性。
一种集成 sbd 结构 sgt mosfet 及其制作方法

[发明专利]一种基于两层光罩的沟槽MOSFET及其制造方法-CN202211556239.8有效
发明人：薛璐;李加洋;吴磊;胡兴正;刘海波 -专利权人：南京华瑞微集成电路有限公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于两层光罩的沟槽MOSFET及其制造方法。该方法包括在外延层的表面淀积一层二氧化硅层，然后第一步刻蚀形成沟槽的上端部分，第二步刻蚀形成沟槽的下端部分，所述沟槽的上端部分侧壁向外倾斜设置，终端区内的相邻的两个沟槽的下端部分之间的距离为a，有源区内的相邻的两个沟槽的下端部分的中部之间的距离为b，a＜b，且其两端延伸至终端区内，并与终端区内用以引出gate的沟槽连接，有源区内的相邻的两个沟槽的下端部分的两端之间的距离缩小。本发明通过刻蚀工艺调整沟槽的形貌，以及结合版图结构设计，仅需两层光罩即可实现传统沟槽MOSFET的性能；工艺简单，可与传统工艺兼容，可减少制作成本。
一种基于两层光罩沟槽 mosfet 及其制造方法

[发明专利]一种优化高温特性的沟槽器件及其制造方法-CN202211180942.3有效
发明人：陶瑞龙;李加洋;胡兴正;薛璐 -专利权人：南京华瑞微集成电路有限公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种优化高温特性的沟槽器件及其制造方法。该方法包括在第一介质层的上侧及第一连接孔内制作形成第一金属层，第一金属层经刻蚀形成与N阱连接的第一极板，并在第二介质层上刻蚀形成第二连接孔；在第二介质层的上侧及第二连接孔内制作形成第二金属层，第二金属层经刻蚀形成第二极板，第二极板的内端设置在第一极板的上侧，以与第一极板和第二介质层配合形成平行板电容器结构，第二极板的外端与场板连接。本发明通过设置第一极板和第二极板构成平行板电容器结构，在不显著增加加工成本的前提下，可实现功率器件与平行板电容器的集成，提高器件的耐压能力。
一种优化高温特性沟槽器件及其制造方法

[发明专利]入侵防御设备自动化测试方法及装置-CN202210872076.8在审
发明人： 李加洋;叶倩 -专利权人：杭州迪普科技股份有限公司
申请日： 2022-07-24 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H04L43/08 文献下载
摘要：本公开涉及一种入侵防御设备自动化测试方法、装置、电子设备及计算机可读介质。该方法包括：将测试设备和被测的入侵防御设备按照指定方式连接；进行入侵防御规则配置和入侵防御策略配置；基于所述入侵防御规则和所述入侵防御策略生成攻击报文；所述入侵防御设备对所述攻击报文进行响应生成响应信息；根据所述响应信息生成所述入侵防御设备的自动化测试结果。本申请涉及的入侵防御设备自动化测试方法、装置、电子设备及计算机可读介质，能够自动化进行入侵防御设备的测试，解决现有技术中通过人力测试方式中存在的问题，提升测试效率。
入侵防御设备自动化测试方法装置

[实用新型]一种暖通用空气过滤装置-CN202221368959.7有效
发明人： 李加洋;王鹏 -专利权人：山东华森建筑消防项目管理有限公司
申请日： 2022-06-02 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： F24F8/108 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种暖通用空气过滤装置，包外壳，所述外壳的中央前后方向形成通道，通道内设置过滤材料，所述外壳的前壁在通道的下方水平向后开设宽槽，所述宽槽内放置挡板，所述宽槽槽口的左右两端各固定设置固定座，两所述固定座对向设置滑杆，所述挡板的左右两侧各留有滑槽，所述滑杆位于滑槽内，所述外壳的前壁沿周设置凸边，所述挡板前端左右两侧固定设置防尘罩，所述防尘罩将同侧的固定座笼罩，所述防尘罩与外壳接触的一面设置第一卡头，所述外壳对应留有第一卡槽，所述防尘罩上方设置第二卡头，所述外壳的前壁上端对应留有第二卡槽。本实用新型结构简单合理，能够在更换拆卸工作时，防止因滤材灰尘掉落而造成管道污染或影响运输。
一种暖通空气过滤装置

[发明专利]集成鳍式SBD结构的沟槽栅MOSFET及其制造方法-CN202111496378.1有效
发明人： 李加洋;吴磊;胡兴正;薛璐;刘海波 -专利权人：南京华瑞微集成电路有限公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成鳍式SBD结构的沟槽栅MOSFET及其制造方法。该方法包括在外延层的上侧刻蚀形成外露于外延层上侧的SBD接触台，在SBD接触台两侧的外延层上侧淀积形成介质层，并在介质层上刻蚀形成金属淀积区；在第一阱区和第二阱区的上侧制作形成欧姆接触区，同时在SBD接触台的上侧及两侧制作形成SBD接触区，SBD接触区与SBD接触台配合形成鳍式SBD结构。本发通过SBD接触台与SBD接触区配合形成的鳍式SBD结构来提高器件的反向恢复速度，降低反向恢复时间Trr，并使SBD接触区由平面结构升级为三维立体结构，大辐增加接触面积，从而在Trr相同时，占用的芯片面积更小。
集成 sbd 结构沟槽 mosfet 及其制造方法

[发明专利]一种提高BV稳定性的SGT终端结构及其制备方法-CN202210030400.1有效
发明人： 李加洋;陶瑞龙;胡兴正;薛璐;刘海波 -专利权人：南京华瑞微集成电路有限公司
申请日： 2022-01-12 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高BV稳定性的SGT终端结构及其制备方法。该方法包括在所述栅氧化层的上侧淀积形成第二导电类型的多晶硅，然后对所述多晶硅进行刻蚀操作，对所述体区内以及栅氧化层上侧经过刻蚀保留的多晶硅的内端部执行第一导电类型元素注入和退火操作，以制作形成设置在有源区的体区内的第一阱区、设置在终端区的体区外端的第二阱区、以及设置在所述栅氧化层上侧的二极管和电阻，所述二极管的外端与电阻的内端连接。本发明通过在终端沟槽内增加偏置电压的方式，减小雪崩击穿时的氧化层界面空穴缺陷密度，从而有效改善BV walk‑in和walk‑out的问题，从而提高BV的稳定性，增加器件的可靠性。
一种提高 bv 稳定性 sgt 终端结构及其制备方法

[发明专利]一种超结和SGT新型复合MOSFET及其制造方法-CN202111496386.6有效
发明人：薛璐;陶瑞龙;李加洋;胡兴正;刘海波 -专利权人：南京华瑞微集成电路有限公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种超结和SGT新型复合MOSFET及其制造方法。该方法包括在所述衬底的上侧制作外延层，所述外延层包括依次设置在衬底上侧的第一外延层和第二外延层，所述第一外延层的掺杂浓度大于第二外延层的掺杂浓度；在所述外延层上刻蚀形成若干第一沟槽，所述第一沟槽的下端设置在第一外延层内；在所述第二外延层的上侧及第一沟槽内生长第一氧化层；在所述第一沟槽下侧的第一外延层上刻蚀形成第二沟槽；在所述第一沟槽和第二沟槽内制作第二导电类型的硅柱。本发明可以通过调节硅柱的掺杂浓度实现电荷平衡，降低外延层的电阻率，使导通电阻减小，并减小晶圆的应力，增大了器件Coss，使器件抗EMI的能力增强。
一种 sgt 新型复合 mosfet 及其制造方法

[实用新型]一种盾构隧道道床-管片结构剥离量变化动态监测系统-CN202121470187.3有效
发明人：彭玥锴;何剑;崔忠东;俞丰平;朱映丞;赵养基;张勇;李加洋 -专利权人：中铁城市发展投资集团有限公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： E21F17/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种盾构隧道道床‑管片结构剥离量变化动态监测系统，包括传感系统、信号传输系统和数据采集系统；传感系统包括弹簧自复位直线位移计和电阻式表面应变计；弹簧自复位直线位移计通过支架固定在道床排水沟上；其尾部连接柔性拉弦，绕过定滑轮，沿铅垂方向深入剥离裂缝内部并固定在盾构管片上；电阻式表面应变计粘贴在钢轨跨中位置紧贴轨底上表面边缘两边；信号传输系统包括MO信号变送模块、毫伏信号变送器和联测信号隔离转换器，使用电缆屏蔽线连接；数据采集系统包括数据采集卡和数据采集软件。本实用新型能够满足高频率监测且能智能控制数据采集的启动与停止，且数据可直接反映剥离量的变化，保证了监测数据的准确性和可靠性。
一种盾构隧道道床管片结构剥离变化动态监测系统

[发明专利]一种优化电场特性的分裂栅沟槽MOS及其制造方法-CN202111393083.1在审
发明人： 李加洋;陶瑞龙;胡兴正;薛璐;刘海波 -专利权人：南京华瑞微集成电路有限公司
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种优化电场特性的分裂栅沟槽MOS及其制造方法。该方法包括在衬底的上侧制作外延层，具体如下：在所述衬底的上侧生长掺杂浓度为N3的第一外延层；调整掺杂源的浓度使掺杂浓度线性增加，并在第一外延层的上侧生长掺杂浓度从N3至N2线性增加的第二外延层；调整掺杂源的浓度使掺杂浓度线性降低，并在第二外延层的上侧生长掺杂浓度从N2至N1线性降低的第三外延层；在第三外延层的上侧生成掺杂浓度为N1的第四外延层。本发明通过调节外延层的掺杂分布，使SGT MOSFET中间部位的电荷补偿能力增强，电场分布更加接近梯形分布，增加了器件的耐压能力，并且在击穿电压相同的情况下，导通电阻可以减小30%左右。
一种优化电场特性分裂沟槽 mos 及其制造方法

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