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[发明专利]降低沟槽内残留物的方法-CN200910046710.7无效
发明人：厉渊;刘昌伙 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-02-26 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低沟槽内残留物的方法，依次进行氧化硅层的刻蚀及衬垫层蚀除LRM，在LRM之后，采用氧气等离子体灰化的方法，去除LRM过程中产生的聚合物。采用该方法能够去除沟槽内产生的聚合物，从而降低由聚合物演变而成的难以清除的残留物，最终提高器件的性能。
降低沟槽残留物方法

[发明专利]新型管槽内沟槽的宽度测量装置-CN201210234369.X无效
发明人：王鹏 -专利权人：无锡成诺精密机械有限公司
申请日： 2012-07-06 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： G01B5/02 文献下载
摘要：本发明属于机械领域用的测量装置，特别涉及一种用于测量管槽内沟槽的宽度的测量装置。新型管槽内沟槽的宽度测量装置，其包括测量座，所述的测量座的上方的右侧部设置有安装板，所述的安装板上通过螺钉设置有强磁钢，所述的安装板上环绕磁钢设置有多个定位钢珠，所述的测量座上设置有安装孔，所述的安装孔内设置有测量仪
新型管槽内沟槽宽度测量装置

[发明专利]处理沟槽内铜电镀层的方法-CN201010233242.7无效
发明人：叶菁 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-07-16 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种处理沟槽内铜电镀层的方法，该方法包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有绝缘层，所述绝缘层中形成有沟槽；在所述沟槽内填充铜电镀层，所述铜电镀层的高度高于所述绝缘层的高度；对所述铜电镀层进行第一次平坦化；对所述铜电镀层进行热处理；对第一次平坦化后的铜电镀层进行第二次平坦化，并露出所述绝缘层；对第二次平坦化后的铜电镀层进行预处理，去除铜表面的氧化铜。采用本发明的方法能够避免预处理铜电镀层时铜表面出现凸起。
处理沟槽内铜电镀层方法

[实用新型]新型管槽内沟槽的宽度测量装置-CN201220327131.7有效
发明人：王鹏 -专利权人：无锡成诺精密机械有限公司
申请日： 2012-07-06 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： G01B5/02 文献下载
摘要：本实用新型属于机械领域用的测量装置，特别涉及一种用于测量管槽内沟槽的宽度的测量装置。新型管槽内沟槽的宽度测量装置，其包括测量座，所述的测量座的上方的右侧部设置有安装板，所述的安装板上通过螺钉设置有强磁钢，所述的安装板上环绕磁钢设置有多个定位钢珠，所述的测量座上设置有安装孔，所述的安装孔内设置有测量仪
新型管槽内沟槽宽度测量装置

[实用新型]沟槽内井身模板的支护装置-CN202122782492.2有效
发明人：田雨 -专利权人：山东省路桥集团有限公司
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： E02D17/08 文献下载
摘要：针对现有阶段模板施工存在的问题，本实用新型目的是提供了一种沟槽内井身模板的支护装置，可以使模板快速搭设与拆除，减少施工所需要的时间及用工成本。其包括模板、多个外侧千斤顶和多个内侧千斤顶；模板，包括侧模Ⅰ、侧模Ⅱ和底模，底模铺设在沟槽底部的垫层上，侧模Ⅰ靠近沟槽侧壁的一侧及侧模Ⅱ远离沟槽侧壁的一侧均设有缓冲板，侧模Ⅰ、侧模Ⅱ及缓冲板通过螺杆组件连接为一体，侧模Ⅰ与侧模Ⅱ之间底部灌筑有混凝土，顶部设有钢筋笼；外侧千斤顶，一端连接承压板，另一端连接侧模Ⅰ，承压板铺设在沟槽侧壁内侧；内侧千斤顶，设置在侧模Ⅱ内部。
沟槽内井身模板支护装置

[实用新型]散热翅片沟槽内边开槽装置-CN202320262548.8有效
发明人：金炜炜;吴程俊;付孟旭;付孟祥;赵明华;祁小牛;吴飞鸿 -专利权人：昆山优环精密机械有限公司
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： B23Q1/25 文献下载
摘要：本实用新型公开了散热翅片沟槽内边开槽装置，包括底座，所述底座的上端固定连接有若干个第一电动推杆，所述第一电动推杆的上端固定连接有安装壳，所述安装壳的内部开设有安装腔，所述安装腔的内部固定连接有第一电机，所述第一电机的输出轴固定连接有螺纹杆，所述螺纹杆的外表面螺纹连接有螺纹块，所述螺纹块的一侧固定连接有第二电动推杆，所述第二电动推杆的一侧固定连接有连接杆，所述连接杆的一侧固定连接有第二电机，所述第二电机的输出端固定连接有开槽刀
散热沟槽开槽装置

[实用新型]油缸沟槽内径数显游标尺-CN201020289291.8无效
发明人：孟柏;卢善华;李望安 -专利权人：黄石华强数控机床有限公司
申请日： 2010-08-05 - 公布日： 2011-02-09 - 主分类号： G01B5/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及测量工具，是一种油缸沟槽内径数显游标尺，它包括有一数显深度尺，特别是：设计有一支座，数显深度尺的尺框采用左右压块螺钉固定安装于支座上，支座的尾端设计有凸台，凸台上安装有向后延伸的可调测量杆，该可调测量杆的中心线与数显深度尺的尺身的长向中心线同轴布置；本实用新型解决了油缸沟槽内径测量困难的问题，可广泛用于对各种筒形带有深而窄沟槽类工件的沟槽内径测量。
沟槽内径游标

[发明专利]沟槽栅蚀刻方法-CN201510043716.4在审
发明人：文高;杨鑫著;肖强;蒋明明;易鹏程 -专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2015-01-28 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种沟槽栅蚀刻方法，包括：步骤一：在硅衬底的表面上形成掩膜，穿过掩膜朝向硅衬底的内部蚀刻成沟槽，掩膜的与沟槽的侧壁相邻的区域形成环绕区，步骤二：垂直于沟槽的侧壁而蚀刻环绕区，在蚀刻后的环绕区的边缘和沟槽的顶角之间形成第一预定距离的台阶，步骤三：向硅衬底的经步骤二处理后的表面上涂覆保护层，步骤四：除去环绕区和台阶上的保护层，并且除去沟槽内的部分的保护层，直到沟槽内的保护层的表面与沟槽的顶角为第二预定距离，步骤五：在保护层和蚀刻后的环绕区的保护下根据本发明的方法，形成沟槽后向沟槽内填充了保护层。在对顶角进行圆化处理时，能够防止沟槽壁被破坏。
沟槽蚀刻方法

[实用新型]一种碳化硅晶片加工用盘及单面研磨机-CN202020619385.0有效
发明人：张雨晨;杨占伟;张平;邹宇 -专利权人：江苏天科合达半导体有限公司;北京天科合达半导体股份有限公司
申请日： 2020-04-22 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： B24B7/22 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种碳化硅晶片加工用盘及单面研磨机，碳化硅晶片加工用盘的盘面上开设有深沟槽和浅沟槽；深沟槽和浅沟槽间隔设置，且深沟槽的深度大于浅沟槽的深度，深沟槽至少一端延伸出碳化硅晶片加工用盘，浅沟槽用于容纳研磨液，深沟槽用于将研磨液及研磨下的碎屑排出碳化硅晶片加工用盘。使用时，将碳化硅晶片加工用盘安装在单面研磨机上对碳化硅晶片进行单面研磨，研磨液分别进入浅沟槽和深沟槽内，由于深沟槽和浅沟槽间隔设置，因此，进入浅沟槽内的碎屑能够随着研磨液流入深沟槽内，并随着深沟槽的出口将碎屑排出，避免了碎屑划伤晶片，因此，提高了晶片表面有效的外延面积，减少了碳化硅表面的缺陷，提升了碳化硅晶片的成品率。
一种碳化硅晶片工用单面研磨机

[发明专利]一种吸湿用品-CN200810128388.8有效
发明人：吴明辉;蔡光合;黄翠玉;但德兰 -专利权人：福建恒安集团有限公司;恒安(中国)卫生用品有限公司;晋江市恒安卫生材料有限公司
申请日： 2008-07-08 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： A61F13/15 文献下载
摘要：一种由液体能渗透的表面层、液体不能渗透的底面层，以及介于表面层与底面层的吸收芯构成的吸湿用品，该吸湿用品具有沟槽，其特征是该沟槽内具有高压实部和低压实部，其中高压实部显现为规则或不规则形状的几何图形，几何图形沿沟槽整齐排列该沟槽内高压实部的几何图形可为线性图形或诸如圆形、椭圆形、键槽形的非线性图形。该沟槽的平均密度小于0.7g/cm³，沟槽内高压实部的密度大于沟槽的平均密度，高压实部的密度大于低压实部的密度。
一种吸湿用品

[实用新型]一种吸湿用品-CN200820113886.0有效
发明人：吴明辉;蔡光合;黄翠玉;但德兰 -专利权人：福建恒安集团有限公司;恒安(中国)卫生用品有限公司;晋江市恒安卫生材料有限公司
申请日： 2008-07-08 - 公布日： 2009-12-16 - 主分类号： A61F13/15 文献下载
摘要：一种由液体能渗透的表面层、液体不能渗透的底面层，以及介于表面层与底面层的吸收芯构成的吸湿用品，该吸湿用品具有沟槽，其特征是该沟槽内具有高压实部和低压实部，其中高压实部显现为规则或不规则形状的几何图形，几何图形沿沟槽整齐排列该沟槽内高压实部的几何图形可为线性图形或诸如圆形、椭圆形、键槽形的非线性图形。该沟槽的平均密度小于0.7g/cm³，沟槽内高压实部的密度大于沟槽的平均密度，高压实部的密度大于低压实部的密度。
一种吸湿用品

[发明专利]相变存储器的制作方法-CN201010601467.3有效
发明人：任万春;向阳辉;宋志棠;刘波 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2010-12-22 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供相变存储器的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有底部电极和与所述底部电极齐平的第一介质层；在所述第一介质层表面形成第二介质层，所述第二介质层内形成有沟槽，所述沟槽露出下方的底部电极；在所述沟槽的侧壁形成侧墙；在所述第二介质层表面和所述沟槽内形成相变层，所述相变层至少填充满所述沟槽且覆盖于所述第二介质层表面；在所述相变层上方形成牺牲层，所述牺牲层用于保护所述沟槽内的相变层；进行平坦化工艺，去除所述牺牲层和位于所述沟槽外部、第二介质层表面的相变层，使得所述沟槽内的相变层与所述第二介质层齐平。
相变存储器制作方法

[发明专利]半导体器件的堆叠多晶硅栅结构的制造方法-CN201710533773.X有效
发明人：祁树坤 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2017-07-03 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件的堆叠多晶硅栅结构的制造方法，包括：在晶圆表面形成沟槽；通过淀积向沟槽内填充氧化硅；将氧化硅回刻掉一部分；在沟槽顶部的拐角处形成拐角结构；淀积含氮化合物；干法刻蚀含氮化合物，拐角结构表面形成向沟槽内延伸的含氮化合物侧壁残留；以含氮化合物侧壁残留为掩膜，将氧化硅刻蚀掉一部分；依次重复执行以上三个步骤，直至将沟槽内的氧化硅刻蚀至所需的底部氧化硅厚度；去除沟槽内的含氮化合物；向沟槽内填入多晶硅；在多晶硅上形成隔离氧化硅；反复执行以上两步骤本发明采用淀积+分步刻蚀的方式形成沟槽内的氧化硅，减少了氧化时间，提高了生产效率。
半导体器件堆叠多晶结构制造方法

[发明专利]浅沟槽隔离结构的形成方法-CN200910195864.2有效
发明人：袁宏韬;李敏 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-09-17 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种浅沟槽隔离结构的形成方法：在半导体衬底上依次形成垫氧化层和刻蚀终止层；依次刻蚀刻蚀终止层、垫氧化层以及半导体衬底，形成浅沟槽；在浅沟槽内表面形成衬氧化层；在浅沟槽内的衬氧化层及刻蚀终止层表面形成前层沟槽氧化物；在所述前层沟槽氧化物表面沉积第一顶层沟槽氧化物；在所述第一顶层沟槽氧化物表面进行过渡沉积沟槽氧化物，所述过渡沉积沟槽氧化物时的沉积速率大于第一顶层沟槽氧化物的沉积速率，并且小于第二顶层沟槽氧化物的沉积速率；在所述过渡沉积的沟槽氧化物表面沉积第二顶层沟槽氧化物；平坦化所填充的沟槽氧化物至显露出刻蚀终止层，并去除刻蚀终止层和垫氧化层。
沟槽隔离结构形成方法

[发明专利]形成浅沟槽隔离结构的方法及半导体器件的制造方法-CN200810117502.7有效
发明人：赵星;冀建民;侯红娟;李慧强;郭得亮 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2008-07-31 - 公布日： 2010-02-03 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种形成浅沟槽隔离结构的制造方法及一种半导体器件的制造方法，该形成浅沟槽隔离结构的方法包括：提供一硅片；在硅片上形成半导体衬底；对半导体衬底进行刻蚀，在硅片的中央区域和边缘区域的半导体衬底中形成围绕硅片中心对称分布的至少100个沟槽；在所述沟槽内形成覆盖沟槽的侧壁和底面垫氧化物层，其中在硅片边缘区域沟槽内形成的所述垫氧化物层的厚度大于在硅片中央区域沟槽内形成的所述垫氧化物层的厚度；在沟槽内垫氧化物层上填充氧化物，使沟槽内氧化物的表面与半导体衬底表面在同一个平面
形成沟槽隔离结构方法半导体器件制造