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[发明专利]一种发动机耐磨镶圈-CN201610920478.5在审
发明人：王涛;赵明爱;乔卫东 -专利权人：湖北通路汽车零部件股份有限公司
申请日： 2016-10-21 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： F02F1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种发动机耐磨镶圈，包括镶圈主体，所述镶圈主体一侧设有耐磨材质，所述耐磨材质一侧安装有凸台，所述镶圈主体内部设有第一道环槽，所述第一道环槽内部设有外凸起环，所述外凸起环内部设有内凸起环，所述内凸起环内部设有通孔，所述第一道环槽一侧设有第二道环槽，所述第二环槽内部设有镶圈内表面，所述镶圈内表面一侧设有刮碳沟槽，所述刮碳沟槽顶端设有上道角，所述刮碳沟槽内部设有碳沟槽槽型，所述碳沟槽槽型一侧设有碳沟槽槽深，该种发动机耐磨镶圈，内表面布置有刮碳沟槽，能有效去除活塞头部积碳，避免由于活塞头部积碳严重造成缸套磨损，造成机油耗偏高，提高了发动机的寿命和整机可靠性。
一种发动机耐磨

[发明专利]一种SiC外延沟槽的填充方法-CN202010451568.0在审
发明人：左万胜;钮应喜;刘洋;张晓洪;刘锦锦;袁松;史田超;史文华;钟敏;胡新星 -专利权人：芜湖启迪半导体有限公司
申请日： 2020-05-25 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种SiC外延沟槽的填充方法，包括以下步骤：对衬底上生长的N型4H‑SiC外延层进行沟槽刻蚀，对刻蚀后的沟槽进行部分填充，在沟槽内形成表面为V型坑的SiC外延层并生长V型坑，向沟槽内填充表面平整的SiC外延层，直至将沟槽填满，最后抛光除去台面顶部过生长的4H‑SiC，得到上表面光滑的交替排列的p型和n形区域；本发明通过在沟槽内先填充形成V型坑，再进行V型坑生长，通过控制生长条件增大V型坑斜边的长度
一种 sic 外延沟槽填充方法

[发明专利]一种ABS铅酸电池槽盖热封工艺-CN202310563490.5在审
发明人：柯志民;郭锡民;张英恢;韩亮;沈艺坡;谢永华;林念书 -专利权人：漳州市华威电源科技有限公司
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01M10/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种ABS铅酸电池槽盖热封工艺，包括以下工艺步骤：步骤一、制备由ABS材料制备而成的槽盖和壳体；壳体上开设有电池槽，电池槽的槽壁上沿开设有第一沟槽；槽盖表面向外凸起形成连接筋，连接筋上开设有第二沟槽；步骤二、对连接筋进行热融化处理，包括以下子步骤：a、将连接筋的外表面热熔化形成第一熔融层；b、预先将负热膨胀材料加热至与步骤a中连接筋热熔化相同温度，在连接筋的外表面热熔化完成时将所述负热膨胀材料填充至第二沟槽内；步骤三、将槽盖的连接筋对准槽壁上沿的第一沟槽加压对接，随着第二沟槽内的负热膨胀材料逐渐冷却，使得连接筋发生膨胀将第一熔融层压合在第一沟槽内壁，使得槽盖和电池槽的连接牢固。
一种 abs 电池槽盖热封工艺

[发明专利]半导体装置-CN201110111543.7有效
发明人：西胁达也 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2011-03-18 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：实施方式的半导体装置具备：第一导电型的漏极层；第一导电型的漂移层，设置于上述漏极层之上；第二导电型的基极区，设置于上述漂移层之上；第一导电型的源极区，选择性地设置于上述基极区表面。实施方式的半导体装置具备：第一栅电极，隔着第一绝缘膜设置于多个第一沟槽内，该第一沟槽从上述源极区的表面贯通上述基极区而与上述漂移层接触；场板电极，隔着第二绝缘膜在上述第一沟槽内设置于上述第一栅电极之下；第二栅电极，隔着第三绝缘膜设置于第二沟槽内，该第二沟槽在上述第一沟槽彼此之间从上述源极区的表面贯通上述基极区而与上述漂移层接触。
半导体装置

[发明专利]一种沉没辊上的沟槽及孔-CN201210105837.3无效
发明人：王茂庭 -专利权人：江苏华冶科技有限公司
申请日： 2012-04-12 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： C23C2/00 文献下载
摘要：沉没辊上的沟槽及孔，包括左螺纹、右螺纹；沉没辊的外圆表面上设置有两条对称相交的T型夹角为40˚的左螺纹和右螺纹；左螺纹、右螺纹的螺距为50㎜，沟槽宽为16㎜，沟槽深为7㎜，在左螺纹和右螺纹所有交汇处的两沟槽内设置有Φ8㎜孔，以交汇处的两沟槽内设置的Φ8㎜孔为基准，在各沟槽内均匀设置有数拾个Φ8㎜螺旋孔。沉没辊上设置的数拾个孔，可以把锌液中小颗粒杂质回流到锌液中，不会在辊身和带钢间形成堆积，解决了热镀锌线上热镀锌板表面易造成辊槽印、划伤等问题，确保了镀锌板的表面质量。
一种沉没沟槽

[实用新型]沉没辊上的沟槽及孔-CN201220150440.1有效
发明人：王茂庭;郭生荣 -专利权人：江苏华冶科技有限公司
申请日： 2012-04-10 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： C23C2/00 文献下载
摘要：沉没辊上的沟槽及孔，包括左螺纹、右螺纹；沉没辊的外圆表面上设置有两条对称相交的T型夹角为40˚的左螺纹和右螺纹；左螺纹、右螺纹的螺距为50㎜，沟槽宽为16㎜，沟槽深为7㎜，在左螺纹和右螺纹所有交汇处的两沟槽内设置有Φ8㎜孔，以交汇处的两沟槽内设置的Φ8㎜孔为基准，在各沟槽内均匀设置有数拾个Φ8㎜螺旋孔。沉没辊上设置的数拾个孔，可以把锌液中小颗粒杂质回流到锌液中，不会在辊身和带钢间形成堆积，解决了热镀锌线上热镀锌板表面易造成辊槽印、划伤等问题，确保了镀锌板的表面质量。
沉没沟槽

[发明专利]包含沟槽栅的半导体器件的制备方法及半导体器件-CN202010639449.8在审
发明人：吴栋华;石新欢 -专利权人：和舰芯片制造（苏州）股份有限公司
申请日： 2020-07-06 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了提供一种包含沟槽栅的半导体器件的制备方法，包含以下步骤：1)在半导体衬底上形成外延层，在外延层中形成沟槽；2)对外延层的上表面和沟槽的内壁进行蚀刻，使沟槽的顶部的直径大于沟槽的底部的直径；3)在外延层的上表面和沟槽的内壁与底部形成屏蔽氧化层；以及4)在沟槽内填充多晶硅以形成沟槽栅。该方法有效消除沟槽栅中的缝隙。本发明同时提供一种使用上述方法制备的半导体器件。
包含沟槽半导体器件制备方法

[实用新型]一种用于微机械陀螺粘胶固定装置-CN201921763310.3有效
发明人：王永;张天磊;易华祥;陈旭辉;王刚;余才佳 -专利权人：中国航空工业集团公司西安飞行自动控制研究所
申请日： 2019-10-18 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： G01C19/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种用于微机械陀螺粘胶固定装置，其特征在于所述装置包含基体(1)和分布在基体表面的沟槽，其中沟槽腔体(2)的横截面积与装入沟槽腔体(2)中的微机械陀螺相当，深度相当于微机械陀螺厚度与所需胶层厚度之和，沟槽外壁(3)的两对边设有缺口，沟槽外壁与覆盖在沟槽上的陶瓷管壳内壁贴合，沟槽外壁的高度相当于所用陶瓷管壳的厚度与所需胶层厚度之和。本实用新型不需要外部设备和精密操作，通过沟槽外壁高度和沟槽内腔深度保证微机械陀螺芯片粘接的胶层厚度，使得粘胶厚度具有良好的一致性。沟槽外壁和沟槽内腔具有相同中心，沟槽内壁与微机械陀螺贴合，沟槽外壁与陶瓷管壳贴合，保证微机械陀螺粘胶位置具有良好的一致性。
一种用于微机陀螺粘胶固定装置

[发明专利]具有三维沟道的复合栅IGBT芯片的制作方法-CN201810149985.2有效
发明人：刘国友;朱春林;朱利恒 -专利权人：株洲中车时代电气股份有限公司
申请日： 2018-02-13 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有三维沟道的复合栅IGBT芯片的制作方法，包括：在晶圆基片的上表面形成第一氧化层；对第一氧化层上的第一预设位置进行刻蚀，裸露出下方的晶圆基片；将P型杂质注入到裸露的晶圆基片的第二预设位置，并使其扩散第一结深形成P阱；对P阱上的第三预设位置进行刻蚀，形成沟槽，沟槽深度大于P阱深度；在沟槽内表面以及裸露的晶圆基片上表面形成第二氧化层；在沟槽内以及第一氧化层和第二氧化层上形成多晶硅层，沟槽内的多晶硅填满沟槽；对多晶硅层上的第四预设位置进行刻蚀，裸露出沟槽的沟槽口以及部分P阱上方的第二氧化层。
具有三维沟道复合 igbt 芯片制作方法

[发明专利]功率器件保护芯片及其制备方法-CN201811151183.1有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：深圳市物芯智能科技有限公司
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供功率器件保护芯片，其包括衬底；形成在衬底上的第一外延层；间隔形成在第一外延层内的整流区，整流区包括自第一外延层的上表面向第一外延层内形成的第一沟槽、自第一沟槽的底部向第一外延层内形成的第二沟槽及自第二沟槽的底部向第一外延层内形成的第三沟槽，所述第一沟槽、所述第二沟槽及第三沟槽连通且宽度依次减小，第一沟槽、第二沟槽及第三沟槽内的金属层与第一外延层之间的肖特基势垒高度依次减小；位于两个整流区之间自第一外延层的上表面延伸至衬底的隔离区，隔离区包括第四沟槽、位于第四沟槽的底部的注入区、形成在第四沟槽内的第二外延层。
功率器件保护芯片及其制备方法

[发明专利]用于胎面翻新精加工中的沟槽支撑的刻纹鼓-CN201780013269.5有效
发明人： C·潘;M·L·伯吉斯 -专利权人：米其林集团总公司
申请日： 2017-03-20 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： B29D30/54 文献下载
摘要：所述刻纹鼓具有多个支撑构件，所述多个支撑构件沿径向方向从鼓外表面向外延伸并且被定位成沿所述径向方向从所述内径向部分向外。具有多个沟槽的胎面在刷擦过程中由所述刻纹鼓支撑并且通过所述刻纹鼓，使得所述沟槽中的一些而非全部沟槽中安置有一个所述支撑构件。所述支撑构件在被安置在所述沟槽内时并未完全填充所述沟槽，并且在被安置在所述沟槽内时接合所述胎面的下表面。
用于翻新精加工中的沟槽支撑刻纹鼓

[实用新型]液压缸活塞-CN201120340174.4有效
发明人：张爱军;陈酉冰;潘逸明;高海波;朱江华;徐勤军 -专利权人：江阴市长龄机械制造有限公司
申请日： 2011-09-08 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： F16J9/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种液压缸活塞，该液压缸活塞与液压缸体接触的表面上开有五圈独立沟槽，三条密封圈间隔设置在五圈所述沟槽中的三圈沟槽内，在三条所述密封圈的间隔处留下两条空沟槽，所述活塞正反两表面都开有一个缺口，两个所述缺口顶部都由一块限压片封闭住，所述两个缺口关于活塞轴线中心对称，并分别通过设置在活塞内的通道就近连接一条所述空沟槽；所述空沟槽内充满液压油。
液压缸活塞

[实用新型]可调节尺寸的溜冰鞋的锁紧装置-CN200620060830.4无效
发明人：吴志刚 -专利权人：吴志刚
申请日： 2006-06-27 - 公布日： 2008-01-30 - 主分类号： A63C17/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可调节尺寸溜冰鞋的锁紧装置，包括鞋头壳、鞋跟壳和锁紧装置，鞋跟壳底部设有滚轮底座，鞋跟壳底部分别设有两条互相垂直交错的沟槽，沟槽纵向开设于鞋跟壳的上表面，沟槽横向设于沟槽的下方，由鞋跟壳的一侧作开口，横通至鞋跟壳内，沟槽内设有锁紧装置；所述的鞋头壳底部设有齿条，鞋头壳盖于鞋跟壳的表面，齿条嵌入沟槽内；所述的锁紧装置由弹簧和压块构成，压块上设有齿块，与鞋头壳上的齿条齿合。
调节尺寸溜冰鞋装置

[发明专利]半浮栅器件及其形成方法-CN201410370627.6有效
发明人：王文博;卜伟海;康劲 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-07-30 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半浮栅器件及其形成方法，形成方法包括：提供衬底，衬底内具有第一阱区；在衬底内形成沟槽，沟槽的底部低于第一阱区的底部；在沟槽的侧壁和底部表面形成第一介质层；在沟槽内的第一介质层表面和衬底表面形成浮栅层，浮栅层的表面高于衬底表面，浮栅层内和第一阱区内的掺杂类型相反；刻蚀部分浮栅层，形成浮栅，浮栅包括位于沟槽内的第一结构、以及位于第一结构部分表面的第二结构，第二结构与位于沟槽一侧的部分第一阱区相接触，且第二结构暴露出位于沟槽另一侧侧壁表面的第一介质层顶部；在浮栅表面形成第二介质层，第二介质层与浮栅暴露出的第一介质层相连接；在第二介质层表面形成控制栅。
半浮栅器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件的制备方法及屏蔽栅沟槽器件-CN202011377002.4在审
发明人：冯冰;张建栋;贺腾飞 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件的制备方法及屏蔽栅沟槽器件，所述方法包括：获取开设有沟槽的衬底，沟槽内壁形成有第一介质层，所述沟槽内未形成所述第一介质层的空间形成有多晶硅结构，所述多晶硅结构的顶部低于所述衬底的表面；湿法刻蚀去除所述第一介质层高于所述多晶硅结构的部分；等离子体轰击所述多晶硅结构的顶部，使所述多晶硅结构的顶部被部分去除；在所述沟槽内壁和所述多晶硅结构表面热生长第一氧化层；向所述沟槽内填充第二介质层，所述第二介质层将所述沟槽填满。
半导体器件制备方法屏蔽沟槽器件