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[发明专利]显示面板-CN202211272822.6有效
发明人：黄嘉辉;江志雄;王强;弓程;余明爵;蔡志辉 -专利权人：广州华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2022-10-18 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请提供一种显示面板，包括薄膜晶体管，薄膜晶体管包括：栅极；源极和漏极；以及金属氧化物层，对应栅极设置，包括：下金属氧化物层，下金属氧化物层包括铟的氧化物以及镧系元素的氧化物；以及上金属氧化物层，与下金属氧化物层叠置且位于下金属氧化物层靠近源极和所述漏极的表面上，源极和漏极与上金属氧化物层连接，上金属氧化物层包括铟的氧化物以及镧系元素的氧化物，上金属氧化物层包括多晶相。金属氧化物层包括下金属氧化物层和上金属氧化物层，下金属氧化物层包括铟的氧化物以及镧系元素的氧化物，有利于包括下金属氧化物层的薄膜晶体管实现高迁移率，上金属氧化物层包括多晶相，有利于提高包括上金属氧化物层的薄膜晶体管稳定性
显示面板

[发明专利]TFT结构及其制备方法、显示面板、显示装置-CN202110981250.8在审
发明人：童庆;向康;安晖;张敏;彭洪勇 -专利权人：合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：所述TFT结构包括栅极、栅绝缘层、氧化物有源层、源极和漏极，氧化物有源层包括层叠设置的第一氧化物层、第二氧化物层和第三氧化物层，第一氧化物层邻近栅绝缘层，第三氧化物层远离栅绝缘层，第二氧化物层位于第一氧化物层和第三氧化物层之间；第一氧化物层和第三氧化物层的迁移率低于第二氧化物层的迁移率。上述TFT结构可以通过第一氧化物层阻挡光照射在第二氧化物层上，从而避免TFT结构的失效；此外，第三氧化物层也可以保护第二氧化物层，避免其在后续制程中被污染。
tft 结构及其制备方法显示面板显示装置

[发明专利]氧化物p－i－n结器件及其制备方法-CN200610164954.1无效
发明人：赵柏儒;袁洁;吴昊;曹立新;许波;赵力;金魁;朱北沂 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2006-12-08 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本发明涉及一种氧化物p－i－n结器件及其制备方法，该器件包括衬底，在衬底之上形成的p型氧化物层，在p型氧化物层上形成的n型氧化物层，以及分别形成在p型氧化物层和n型氧化物层上用于连接引线的引出端和在p型氧化物层和n型氧化物层之间的铁电体势垒层；n型氧化物层和铁电体势垒层两层设置在的p型氧化物层的一侧，其占p型氧化物层面积的1/3～2/3，其余部分作为p型氧化物层的引出端；n型氧化物层表面作为n型氧化物层的引出端，在p型氧化物层和n型氧化物层的引出端上分别制作用于连接引线的贵金属焊盘；p型氧化物层和n型氧化物层均为金属性的；本发明的器件制备方法简单，结构易于实现，实现了单一器件功能的多样化。
氧化物器件及其制备方法

[发明专利]具有多重氮氧化物层的氧化物-氮化物-氧化物堆叠-CN201280000107.5在审
发明人：赛格·利维;克里希纳斯瓦米·库马尔;斐德列克·杰能;萨姆·吉哈 -专利权人：赛普拉斯半导体公司
申请日： 2012-01-17 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：本发明提供一种包括硅-氧化物-氮氧化物-氧化物-硅结构的半导体装置及其形成方法。一般而言，该结构包含：在包括硅的基板的表面上的隧道氧化物层；多层电荷储存层，其包括该隧道氧化物层上的富氧第一氮氧化物层，其中该第一氮氧化物层的化学计算量组成导致其实质上无陷阱，及该第一氮氧化物层上的贫氧第二氮氧化物层，其中该第二氮氧化物层的化学计算量组成导致其陷阱致密；该第二氮氧化物层上的阻挡氧化物层；及该阻挡氧化物层上的含硅闸极层。
具有多重氧化物氮化物堆叠

[发明专利]形成金属氧化物层图案的方法及制造半导体装置的方法-CN200810127783.4无效
发明人：朴玟俊;姜昌珍;金东贤 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-02-15 - 公布日： 2008-11-12 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明公开了形成金属氧化物层图案的方法及制造半导体装置的方法。在基板上形成金属氧化物层图案的方法包括：在基板上提供初步金属氧化物层；蚀刻该初步金属氧化物层以提供初步金属氧化物层图案，其线宽在垂直向下的方向上逐渐增加；以降低该初步金属氧化物层图案的下部线宽的方式蚀刻该初步金属氧化物层图案，形成金属氧化物层图案。制造半导体装置的方法包括在基板上形成金属氧化物层和第一导电层；蚀刻该金属氧化物层以提供初步金属氧化物层图案，其线宽在垂直向下的方向上逐渐增加；蚀刻该第一导电层以提供第一导电层图案；和以降低该初步金属氧化物层图案的下部线宽的方式蚀刻该初步金属氧化物层图案，以提供金属氧化物层图案。
形成金属氧化物图案方法制造半导体装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201380043764.2有效
发明人：山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2013-08-01 - 公布日： 2018-05-15 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：其包括在其中层叠有第一氧化物半导体层、第二氧化物半导体层以及第三氧化物半导体层的氧化物半导体叠层，与氧化物半导体叠层接触的源电极层以及漏电极层，与氧化物半导体层重叠的栅电极层(在所述氧化物半导体层和所述栅电极层之间设置有栅极绝缘层)，以及第一氧化物绝缘层及第二氧化物绝缘层(在所述第一氧化物绝缘层及所述第二氧化物绝缘层之间夹有氧化物半导体叠层)。第一至第三氧化物半导体层中的每个包含铟、镓及锌。第二氧化物半导体层中的铟的比例比第一及第三氧化物半导体层中的每个的铟的比例多。第一氧化物半导体层是非晶的。第二及第三氧化物半导体层都具有晶体结构。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]用于制作场效应晶体管的栅极介电的方法-CN200780016211.2无效
发明人： T·C·楚埃;C·恰尔尼克;A·G·赫格迪什;C·S·奥尔森;K·Z·阿迈德;P·A·克劳斯 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2007-05-02 - 公布日： 2009-05-20 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：在一个实施例中，该方法包括移除原生氧化物层，形成氧化物层，在该氧化物层上形成栅极介电层，在该栅极介电层上形成氧化物层，以及使上述这些层与底下的热氧化物/硅界面退火。可任选地，在形成该栅极介电层之前可先将该氧化物层氮化。在一个实施例中，衬底上的氧化物层是藉由沉积该氧化物层而形成的，并且栅极介电层上的氧化物层是藉由使用含氧等离子体来氧化该栅极介电层的至少部分而形成的。在另一个实施例中，栅极介电层上的氧化物层是藉由形成热氧化物层——即在该栅极介电层上沉积该氧化物层而形成的。
用于制作场效应晶体管栅极方法

[发明专利]一种氧化物薄膜晶体管及其制作方法和显示装置-CN202011170073.7在审
发明人：王利忠;周天民;胡合合;许晓春;姚念琦;薛大鹏;董水浪 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化物薄膜晶体管及其制作方法和显示装置。氧化物薄膜晶体管包括位于衬底上的栅极、金属氧化物有源层和源漏金属层，所述金属氧化物有源层包括沿远离所述衬底方向层叠设置的第一金属氧化物层和第二金属氧化物层，所述第一金属氧化物层为载流子传输层，所述第二金属氧化物层为载流子隔离层，所述载流子传输层的电子迁移速率大于所述载流子隔离层的电子迁移速率；所述第一金属氧化物层包括朝向所述衬底以及背离所述衬底的两个主表面，所述第一金属氧化物层还包括位于所述主表面周围的侧面，所述第二金属氧化物层覆盖所述第一金属氧化物层的所述侧面本公开实施例能够提高氧化物薄膜晶体管有源层的可靠性。
一种氧化物薄膜晶体管及其制作方法显示装置

[发明专利]半导体元件-CN201910313720.6在审
发明人：陈敏璋;易圣涵;吕承轩 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-04-18 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：一种半导体元件，其包括基板、第一含锆氧化物层、第一金属氧化物层及顶电极。第一含锆氧化物层位于基板上方且具有铁电性或反铁电性。第一金属氧化物层与第一含锆氧化物层接触。第一金属氧化物层的厚度小于第一含锆氧化物层的厚度。顶电极位于第一含锆氧化物层上方。
含锆氧化物金属氧化物层顶电极基板半导体元件反铁电铁电性

[实用新型]电极结构、触控板及触控装置-CN201721924180.8有效
发明人：王士敏;赵湘辉;朱泽力;古海裕;宋小来;李宝会 -专利权人：深圳莱宝高科技股份有限公司;重庆莱宝科技有限公司
申请日： 2017-12-30 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：一种电极结构，用于触控装置，电极结构包括依次叠层的第一黑化层、过渡层及导电层。第一黑化层为钼的氧化物层、钼的氮化物层、钼的氮氧化物层、铌的氧化物层、铌的氮化物层、铌的氮氧化物层、铬的氧化物层、铬的氮化物层、铬的氮氧化物层、钛的氧化物层、钛的氮化物层、钛的氮氧化物层、钨的氧化物层、钨的氮化物层或钨的氮氧化物层。过渡层为钼层或钼合金层。导电层为导电金属层。上述电极结构具有优良的消影效果、附着性及灵敏度。
氮氧化物层氮化物层电极结构氧化物层触控装置触控板导电层过渡层黑化层本实用新型导电金属层钼合金层附着性灵敏度叠层消影钼层

[发明专利]一种氧化物薄膜晶体管、阵列基板和显示装置-CN201510229537.X有效
发明人：王美丽;孙宏达;刘凤娟;辛龙宝 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2015-05-07 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化物薄膜晶体管、阵列基板和显示装置，所述氧化物薄膜晶体管的氧化物沟道层包括前沟道氧化物层和背沟道氧化物层，所述背沟道氧化物层的导带高于所述前沟道氧化物层的导带，所述背沟道氧化物层的禁带宽度大于所述前沟道氧化物层的禁带宽度在本发明提供的氧化物薄膜晶体管、阵列基板和显示装置中，能够通过多层结构的氧化物沟道层之间形成的势能差积累大量电子，从而提升氧化物沟道层载流子浓度，达到在不破坏TFT稳定性的基础上提高TFT迁移率的目的。
一种氧化物薄膜晶体管阵列显示装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202210863089.9在审
发明人：江家维;范扬顺;黄震铄 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种半导体装置及其制造方法，半导体装置包括基板、半导体结构、第一栅介电层、第一栅极、源极以及漏极。半导体结构包括第一金属氧化物层以及第二金属氧化物层。第二金属氧化物层覆盖第一金属氧化物层的顶面以及侧壁。第二金属氧化物层于第一金属氧化物层的侧壁处具有阶梯结构。第一金属氧化物层的载子迁移率大于第二金属氧化物层的通道区的载子迁移率。第二金属氧化物层的厚度大于或等于第一金属氧化物层的厚度。第一栅极的宽度与第一金属氧化物层的宽度差值小于0.5微米。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201811344315.2在审
发明人：铃木正彦;大东彻;今井元;菊池哲郎;西宫节治;上田辉幸;原健吾 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2018-11-13 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供具备具有稳定的特性的可靠性高的氧化物半导体TFT的半导体装置。半导体装置具备氧化物半导体TFT，氧化物半导体TFT具有：氧化物半导体层，其具有包含沟道氧化物半导体层和保护氧化物半导体层的层叠结构，沟道氧化物半导体层配置在比保护氧化物半导体层靠基板侧；上部栅极电极，其隔着上部绝缘层配置在氧化物半导体层的一部分上；层间绝缘层，其覆盖氧化物半导体层和上部栅极电极；以及第1和第2电极，其电连接到氧化物半导体层，还具有至少贯通层间绝缘层和保护氧化物半导体层并且使沟道氧化物半导体层的一部分露出的第1开口部，第1电极配置在层间绝缘层上和第1开口部内，在第1开口部内与沟道氧化物半导体层的一部分直接接触。
氧化物半导体层沟道氧化物半导体层氧化物半导体半导体装置开口部层间绝缘层栅极电极绝缘层半导体层配置覆盖氧化物上部绝缘层层叠结构电极配置电连接贯通层电极基板配置

[发明专利]透明导电膜-CN201380069624.2在审
发明人：梨木智刚;拝师基希;野口知功;石桥邦昭 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2013-10-08 - 公布日： 2015-09-09 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：透明导电膜(1)具有形成在薄膜基体材料(2)的两个表面上的透明导体层(3、4)。透明导体层(3)是从薄膜基体材料(2)的表面(2a)侧起依次层叠有铟锡氧化物层(5)、铟锡氧化物层(6)和铟锡氧化物层(7)而构成。透明导体层(4)是从薄膜基体材料(2)的表面(2b)侧起依次层叠有铟锡氧化物层(8)、铟锡氧化物层(9)和铟锡氧化物层(10)而构成。铟锡氧化物层(6)的氧化锡含量比铟锡氧化物层(5)的氧化锡含量和铟锡氧化物层(7)的氧化锡含量都高。铟锡氧化物层(9)的氧化锡含量比铟锡氧化物层(8)的氧化锡含量和铟锡氧化物层(10)的氧化锡含量都高。
透明导电

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201810335239.2有效
发明人：山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2013-08-01 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：其包括在其中层叠有第一氧化物半导体层、第二氧化物半导体层以及第三氧化物半导体层的氧化物半导体叠层，与氧化物半导体叠层接触的源电极层以及漏电极层，与氧化物半导体层重叠的栅电极层(在所述氧化物半导体层和所述栅电极层之间设置有栅极绝缘层)，以及第一氧化物绝缘层及第二氧化物绝缘层(在所述第一氧化物绝缘层及所述第二氧化物绝缘层之间夹有氧化物半导体叠层)。第一至第三氧化物半导体层中的每个包含铟、镓及锌。第二氧化物半导体层中的铟的比例比第一及第三氧化物半导体层中的每个的铟的比例多。第一氧化物半导体层是非晶的。第二及第三氧化物半导体层都具有晶体结构。
半导体装置及其制造方法

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