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[发明专利]阵列基板和阵列基板的制备方法-CN202211709461.7在审
发明人：弓程 -专利权人：广州华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种阵列基板和阵列基板的制备方法。阵列基板包括衬底基板，栅极，栅极绝缘层，源漏极层，有源层，钝化层以及像素电极，所述栅极设于所述衬底基板。所述栅极绝缘层设于所述栅极上。所述源漏极层设于所述栅极绝缘层上，所述源漏极层开设有开口，所述源漏极层包括源极和漏极，所述源极位于所述开口的一侧，所述漏极位于所述开口的另一侧。所述有源层设于所述开口内，且连接所述源极和所述漏极。所述钝化层形成于所述源漏极层以及所述有源层上；所述像素电极形成所述钝化层上。本申请旨在能够避免漏极和源极的蚀刻过程中有源层的沟道区受到的损伤，同时节省了刻蚀阻挡层光罩，制作成本低。
阵列制备方法

[发明专利]显示面板及显示面板的制备方法-CN202211714645.2在审
发明人：弓程 -专利权人：广州华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种显示面板及显示面板的制备方法。显示面板包括衬底、源/漏金属层、栅极以及有源层，其中，该源/漏金属层包括至少一源极以及至少一漏极，源极设置在相邻两漏极之间，或漏极设置在相邻两源极之间，且该有源层对应设置在源极与漏极之间，并与源极与漏极电性连接。通过直接在衬底上制备图案化的源/漏金属层，并将有源层设置在相邻的源极与漏极之间，进而有效的改进显示面板的制备工艺，并提高薄膜晶体管内的驱动电流及综合性能。
显示面板制备方法

[发明专利]显示面板及其制作方法-CN202211717076.7在审
发明人：赵斌;肖军城;弓程 -专利权人：广州华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种显示面板及其制作方法。其中，栅极设置于基板上，栅极绝缘层覆盖栅极；半导体层设置于栅极绝缘层远离栅极的一侧，并包括半导体部，源极和漏极分别设置于半导体部的两侧，半导体部连接于源极和漏极之间；其中，半导体部包括层叠的至少两个半导体子层，源极的材料以及漏极的材料皆包括导体化的氧化铟、导体化的铟锌氧化物以及导体化的铟镓锌氧化物中的至少一者。本发明可以提高显示面板中由半导体部形成的薄膜晶体管的迁移率，提高薄膜晶体管的开关能力和反应速度，以提高显示面板的刷新率；此外，本发明中源极的材料和漏极的材料皆包括导体化的半导体材料，进而可以缩减工序和工艺时间，降低工艺成本。
显示面板及其制作方法

[发明专利]显示面板-CN202211272822.6有效
发明人：黄嘉辉;江志雄;王强;弓程;余明爵;蔡志辉 -专利权人：广州华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2022-10-18 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请提供一种显示面板，包括薄膜晶体管，薄膜晶体管包括：栅极；源极和漏极；以及金属氧化物层，对应栅极设置，包括：下金属氧化物层，下金属氧化物层包括铟的氧化物以及镧系元素的氧化物；以及上金属氧化物层，与下金属氧化物层叠置且位于下金属氧化物层靠近源极和所述漏极的表面上，源极和漏极与上金属氧化物层连接，上金属氧化物层包括铟的氧化物以及镧系元素的氧化物，上金属氧化物层包括多晶相。金属氧化物层包括下金属氧化物层和上金属氧化物层，下金属氧化物层包括铟的氧化物以及镧系元素的氧化物，有利于包括下金属氧化物层的薄膜晶体管实现高迁移率，上金属氧化物层包括多晶相，有利于提高包括上金属氧化物层的薄膜晶体管稳定性。
显示面板

[发明专利]面板结构及其制备方法-CN202211649875.5在审
发明人：弓程 -专利权人：广州华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种面板结构及其制备方法，所述面板结构包括玻璃基板、第一绝缘层、半导体器件层以及第二绝缘层。使第二绝缘层与显示区所对应的半导体器件层完全重合，并使第二绝缘层的第二材料的能带隙小于半导体器件层的第一材料的能带隙。当第二材料的能带隙小于第一材料的能带隙时，可以吸收掉大部分的紫外光，其剩余的紫外光不足以激发半导体器件层产生光生电子，从而可以有效提升显示区的半导体器件层的光照稳定性。即，通过上述设置，本发明提供的面板结构可以在长时间光照下同时保持外围驱动电路区和显示区的稳定性。
面板结构及其制备方法

[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板-CN202211233954.8在审
发明人：黄嘉辉;江志雄;王强;弓程;余明爵;蔡志辉 -专利权人：广州华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2022-10-10 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种阵列基板及其制备方法、显示面板，所述阵列基板内设有薄膜晶体管，所述阵列基板包括：衬底；第一导电层，设于所述衬底上，包括第一电极和虚拟电极，所述第一电极和所述虚拟电极间隔设置；第二导电层，设于所述第一导电层上，包括所述薄膜晶体管的栅极，所述栅极与所述虚拟电极层叠设置，所述第一导电层的材料中，锡元素的摩尔百分比小于1%；其中，所述第一导电层的材料包括镧系金属氧化物，且所述镧系元素的摩尔百分比为1%‑5%；和/或所述第一导电层的材料包括铟金属氧化物，且所述铟元素的摩尔百分比为30%‑50%。避免了栅极成膜过程中，与栅极层叠设置的第一导电层高温结晶，以致在后续刻蚀过程中不易刻蚀的问题。
阵列及其制备方法显示面板

[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、显示面板-CN202210775614.1在审
发明人：弓程 -专利权人：广州华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本申请公开了一种薄膜晶体管及其制备方法、显示面板。该薄膜晶体管包括衬底、设于衬底的一侧的有源层以及设于有源层背对衬底的一侧的源漏极层，有源层和源漏极层欧姆接触设置；源漏极层的材料为硼化镧，有源层的材料包括硼化镧。本申请中的源漏极层的材料为硼化镧，且有源层的材料包括硼化镧，使得在有源层成膜后，源漏极层可以通过与有源层同样的成膜工艺继续成膜，实现有源层和源漏极层的膜层的一次连续成膜，从而有助于简化成膜工艺的工序，大大提升成膜工艺的产能；此外，本申请中的有源层和源漏极层的材料的元素种类一致，有助于降低有源层和源漏极层之间的界能障碍，使得二者的欧姆接触完美，从而有效避免产生界面缺陷。
薄膜晶体管及其制备方法显示面板

[发明专利]TFT器件及其制备方法、阵列基板-CN202210203908.7在审
发明人：弓程 -专利权人：广州华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2022-03-03 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明提供一种TFT器件及其制备方法、阵列基板，所述方法包括：步骤S1，提供一衬底，在所述衬底上制备第一金属层；步骤S2，对所述第一金属层进行氧化处理，以使所述第一金属层外围形成氧化绝缘膜；步骤S3，向所述氧化绝缘膜的一侧进行离子掺杂，以使所述氧化绝缘膜表面形成氧化物半导体层；步骤S4，在所述衬底上制备第二金属层，图案化所述第二金属层以形成源极和漏极，且所述源极和所述漏极分别位于所述氧化物半导体层两端；本发明采用可以形成绝缘氧化物保护膜的第一金属层作为底栅电极，氧化绝缘膜表面形成氧化物半导体层，在整个TFT器件的栅极、栅绝缘层和氧化物半导体层形成过程无需采用光罩制程，可极大降低TFT器件的制备成本。
tft 器件及其制备方法阵列

[发明专利]TFT器件及其制备方法、阵列基板-CN202210178801.1在审
发明人：弓程 -专利权人：广州华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种TFT器件及其制备方法、阵列基板，该TFT器件中的有源层包括：源极掺杂区、漏极掺杂区、位于源极掺杂区和漏极掺杂区之间的沟道区；源极掺杂区与源极之间设置有第一金属氧化物层，漏极掺杂区与漏极之间设置有第二金属氧化物层，源极通过第一金属氧化物层与源极掺杂区电性连接，漏极通过第二金属氧化物层与漏极掺杂区电性连接；由于第一金属氧化物层和第二金属氧化物层与有源层中的金属氧化物层接触较好，第一金属氧化物层和第二金属氧化物层可以作为源极、漏极与有源层之间的过渡层，可以有效改善二者欧姆接触问题，从而提高TFT器件的充电率，进而满足大尺寸显示面板的显示分辨率和刷新率。
tft 器件及其制备方法阵列

[外观设计]汽车前门护板-CN202130549106.8有效
发明人：刘隆隆;弓程;王怡然;石思思;梁灿灿;任璐;高红菊;裴晓敏;何艳;王赛朋 -专利权人：长城汽车股份有限公司
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： 12-16 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：汽车前门护板。2.本外观设计产品的用途：用于交通运输工具的部件。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
汽车前门

[外观设计]汽车前门护板-CN202130454649.1有效
发明人：李明哲;弓程;张于栋;王宁;赵子涵;付冬伟;代华;王虎;裴晓敏;路亮 -专利权人：长城汽车股份有限公司
申请日： 2021-07-17 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： 12-16 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：汽车前门护板。2.本外观设计产品的用途：用于交通运输工具的部件。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
汽车前门

[外观设计]汽车前门护板-CN202130360045.0有效
发明人：刘倩;周叶;弓程;刘越;王天;尹春阳;林涛;魏国盈;杨金鑫 -专利权人：长城汽车股份有限公司
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： 12-16 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：汽车前门护板。2.本外观设计产品的用途：用于交通运输工具的部件。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
汽车前门

[外观设计]汽车后保险杠-CN202030689189.6有效
发明人：任宝鹤;弓程;王建伟;董晓锋;徐虎;林涛;李宾红;骆佳丽;祁颖;牛凡 -专利权人：长城汽车股份有限公司
申请日： 2020-11-14 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： 12-16 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：汽车后保险杠。2.本外观设计产品的用途：用于交通运输工具的部件。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
汽车保险杠

[发明专利]铁酸镧纳米颗粒修饰的二氧化钛纳米管阵列的制备方法-CN201710060965.3在审
发明人：孙岚;弓程;林昌健 -专利权人：厦门大学;厦门大学深圳研究院
申请日： 2017-01-25 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： C25D11/26 文献下载
摘要：铁酸镧纳米颗粒修饰的二氧化钛纳米管阵列的制备方法，涉及二氧化钛纳米管阵列。将基底进行表面清洁预处理；配制HF水溶液作为电解液，以金属为对电极，基底为工作电极，进行电化学阳极氧化处理，在基底表面构筑TiO2纳米管阵列膜，然后对膜层进行热处理；配制La浓度为0.01～0.05mol/L、Fe/La浓度比为1︰(1～3)的前驱体溶液，搅拌得到均匀的溶液；将所得的TiO2纳米管阵列膜放入配制的溶液中，以TiO2纳米管阵列膜为工作电极，Pt电极为对电极进行电沉积，取出样品后干燥，得复合膜层；将得到的复合膜层进行热处理，即得到铁酸镧纳米颗粒修饰的二氧化钛纳米管阵列。
铁酸镧纳米颗粒修饰氧化阵列制备方法

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